公开(公告)号：US20070126042A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11633682

申请日：2006-12-04

申请人： Takeshi Kijima ,  Akio Konishi

发明人： Takeshi Kijima ,  Akio Konishi

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/78391

摘要： A transistor type ferroelectric memory including: a substrate; a gate electrode formed above the substrate; a ferroelectric layer formed above the substrate to cover the gate electrode; a source electrode formed above the ferroelectric layer; a drain electrode formed above the ferroelectric layer and apart from the source electrode; and a channel layer formed above the ferroelectric layer and between the source electrode and the drain electrode.

摘要翻译： 一种晶体管型铁电存储器，包括：基板; 形成在所述衬底上的栅电极; 形成在所述基板上方以覆盖所述栅电极的铁电层; 形成在铁电层上方的源电极; 漏电极，形成在铁电层之上并与源极隔离; 以及形成在铁电层上方以及源电极和漏电极之间的沟道层。

公开(公告)号：US07573083B2

公开(公告)日：2009-08-11

申请号：US11633682

申请日：2006-12-04

申请人： Takeshi Kijima ,  Akio Konishi

发明人： Takeshi Kijima ,  Akio Konishi

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/78391

摘要： A transistor type ferroelectric memory including: a substrate; a gate electrode formed above the substrate; a ferroelectric layer formed above the substrate to cover the gate electrode; a source electrode formed above the ferroelectric layer; a drain electrode formed above the ferroelectric layer and apart from the source electrode; and a channel layer formed above the ferroelectric layer and between the source electrode and the drain electrode.

摘要翻译： 一种晶体管型铁电存储器，包括：基板; 形成在所述衬底上的栅电极; 形成在所述基板上方以覆盖所述栅电极的铁电层; 形成在铁电层上方的源电极; 漏电极，形成在铁电层之上并与源极隔离; 以及形成在铁电层上方以及源电极和漏电极之间的沟道层。

公开(公告)号：US20070170479A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：US11653231

申请日：2007-01-16

申请人： Masami Hashimoto ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Akio Konishi ,  Tatsuya Shimoda

发明人： Masami Hashimoto ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Akio Konishi ,  Tatsuya Shimoda

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L28/55

摘要： A polarization transfer device includes a ferroelectric thin film formed continuously as one piece; a plurality of polarization switches formed by placing the ferroelectric thin film between a first gate electrode and a second gate electrode; and a plurality of polarization accumulators formed by placing the ferroelectric thin film between a first electrode plate and a second electrode plate, wherein the plurality of polarization switches and the plurality of polarization accumulators are arranged alternately.

摘要翻译： 极化转移装置包括连续形成为一体的铁电薄膜; 通过将铁电薄膜放置在第一栅极电极和第二栅极电极之间而形成的多个极化开关; 以及通过将铁电薄膜放置在第一电极板和第二电极板之间而形成的多个偏振累积器，其中多个偏振开关和多个偏振累积器交替布置。

公开(公告)号：US08075795B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12402828

申请日：2009-03-12

申请人： Yasuaki Hamada ,  Akio Konishi ,  Takeshi Kijima

发明人： Yasuaki Hamada ,  Akio Konishi ,  Takeshi Kijima

IPC分类号： C04B35/49 ,  B41J2/00 ,  C01G33/00

CPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/768 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A piezoelectric body includes a perovskite type compound that is expressed by a compositional formula being Pb (Zrx Ti1-x)1-y My O3, where M is at least one of Ta and Nb, x is in a range of 0.51≦x≦0.57, and y is in a range of 0.05≦y

摘要翻译： 压电体包括由组成式表示为Pb（Zr x Ti 1-x）1-y My O 3的钙钛矿型化合物，其中M是Ta和Nb中的至少一种，x在0.51和n1E的范围内; x＆ ; 0.57，y在0.05＆lt; lEE; y <0.2的范围内，其中，钙钛矿型化合物含有SiO 2和GeO 2中的至少一种作为添加剂，添加剂的添加量为0.5摩尔％以上但为5 相对于钙钛矿型化合物的量为mol％以下。

公开(公告)号：US07504682B2

公开(公告)日：2009-03-17

申请号：US11653231

申请日：2007-01-16

申请人： Masami Hashimoto ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Akio Konishi ,  Tatsuya Shimoda

发明人： Masami Hashimoto ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Akio Konishi ,  Tatsuya Shimoda

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L28/55

摘要： A polarization transfer device includes a ferroelectric thin film formed continuously as one piece; a plurality of polarization switches formed by placing the ferroelectric thin film between a first gate electrode and a second gate electrode; and a plurality of polarization accumulators formed by placing the ferroelectric thin film between a first electrode plate and a second electrode plate, wherein the plurality of polarization switches and the plurality of polarization accumulators are arranged alternately.

摘要翻译： 极化转移装置包括连续形成为一体的铁电薄膜; 通过将铁电薄膜放置在第一栅极电极和第二栅极电极之间而形成的多个极化开关; 以及通过将铁电薄膜放置在第一电极板和第二电极板之间而形成的多个偏振累积器，其中多个偏振开关和多个偏振累积器交替布置。

公开(公告)号：US20140319405A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：US14350864

申请日：2011-10-14

申请人： Takeshi Kijima ,  Yuuji Honda ,  Tomoyuki Araki

发明人： Takeshi Kijima ,  Yuuji Honda ,  Tomoyuki Araki

IPC分类号： H01L41/187 ,  H01L41/257

CPC分类号： H01L41/1876 ,  G02F1/3558 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/257 ,  H01L41/314 ,  Y10T29/42

摘要： To perform poling treatment in a simple procedure by dry process. An aspect of the invention is a magnetic field poling device including: a first holding part configured to hold a film-to-be-poled 2; a second holding part configured to hold a magnet generating a magnetic field B to the film-to-be-poled 2; and a moving mechanism configured to move the first holding part or the second holding part in a direction perpendicular to the direction of the magnetic field B.

摘要翻译： 通过干法在简单的程序中进行极化处理。 本发明的一个方面是一种磁场极化装置，包括：第一保持部分，被配置成保持被膜极2; 第二保持部构造成将产生磁场B的磁体保持在被膜极2上; 以及移动机构，被配置为沿着与磁场B的方向垂直的方向移动第一保持部或第二保持部。

公开(公告)号：US20140242379A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：US14235626

申请日：2011-07-29

申请人： Takeshi Kijima ,  Yuuji Honda

发明人： Takeshi Kijima ,  Yuuji Honda

IPC分类号： B05D5/00

CPC分类号： H01L41/0815 ,  B05D1/005 ,  B05D3/0254 ,  B05D5/00 ,  B05D7/54 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318 ,  Y10T428/26

摘要： To produce a ferroelectric film formed of a lead-free material. The ferroelectric film according to an aspect of the present invention includes a (K1-XNaX)NbO3 film or a BiFeO3 film having a perovskite structure and a crystalline oxide preferentially oriented to (001) formed on at least one of the upper side and lower side of the (K1-XNaX)NbO3 film or BiFeO3 film, and X satisfies the formula below 0.3≦X≦0.7.

摘要翻译： 制造由无铅材料形成的铁电体膜。 根据本发明的一个方面的铁电体膜包括（K1-XNaX）NbO3膜或具有钙钛矿结构的BiFeO 3膜和优先取向成（001）的结晶氧化物，其形成在上侧和下侧的至少一个上 的（K1-XNaX）NbO3膜或BiFeO3膜，X满足下式0.3≤nlE; X＆lt; l1; 0.7。

公开(公告)号：US20130059076A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13643873

申请日：2010-04-28

申请人： Mitsuhiro Suzuki ,  Takeshi Kijima ,  Yuuji Honda

发明人： Mitsuhiro Suzuki ,  Takeshi Kijima ,  Yuuji Honda

IPC分类号： B05C11/08 ,  B05D3/12

CPC分类号： H01L21/67017 ,  B05C11/023 ,  B05C11/08 ,  B05D1/005 ,  B05D3/0486 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67207

摘要： To provide a substrate treatment apparatus capable of suppressing adherence of dust to a film coated on a substrate. As an aspect of the present invention is a substrate treatment apparatus provided with a spin-coating treatment chamber 4a for coating a film on the substrate by spin-coating, a first air-conditioning mechanism that regulates an amount of dust in the air in the spin-coating treatment chamber, an annealing treatment chamber 7a for performing lamp annealing treatment on the film coated on the substrate, a conveying chamber 2a that is connected to each of the spin-coating treatment chamber and the annealing treatment chamber and is for conveying the substrate between the spin-coating treatment chamber and the annealing treatment chamber each other, and a second air-conditioning mechanism that regulate an amount of dust in the air in the conveying chamber.

摘要翻译： 提供能够抑制灰尘对涂布在基材上的膜的粘附性的基板处理装置。 作为本发明的一个方面，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具有旋转涂布处理室4a，用于通过旋转涂布在基板上涂覆膜;第一空调机构，其调节空气中的灰尘量 旋涂处理室，对涂布在基板上的膜进行灯退火处理的退火处理室7a，与旋涂处理室和退火处理室连接的输送室2a， 旋转涂布处理室和退火处理室之间的基板，以及调节输送室中的空气中的灰尘量的第二空调机构。

公开(公告)号：US07960901B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US12662619

申请日：2010-04-26

申请人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

发明人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： A method of manufacturing a ceramic includes forming a film which includes a complex oxide material having an oxygen octahedral structure and a paraelectric material having a catalytic effect for the complex oxide material in a mixed state, and performing a heat treatment to the film, wherein the paraelectric material is one of a layered catalytic substance which includes Si in the constituent elements and a layered catalytic substance which includes Si and Ge in the constituent elements. The heat treatment includes sintering and post-annealing. At least the post-annealing is performed in a pressurized atmosphere including at least one of oxygen and ozone. A ceramic is a complex oxide having an oxygen octahedral structure, and has Si and Ge in the oxygen octahedral structure.

摘要翻译： 一种制造陶瓷的方法包括：形成包含具有氧八面体结构的复合氧化物材料和对复合氧化物材料具有催化作用的顺电性材料的混合状态的膜，并对膜进行热处理，其中， 顺电材料是构成元素中包含Si的层状催化物质和构成元素中包含Si和Ge的层状催化物质之一。 热处理包括烧结和后退火。 至少在包括氧和臭氧中的至少一种的加压气氛中进行后退火。 陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，并且具有氧八面体结构中的Si和Ge。

公开(公告)号：US20100207492A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12662617

申请日：2010-04-26

申请人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

发明人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： A method of manufacturing a ceramic includes forming a film which includes a complex oxide material having an oxygen octahedral structure and a paraelectric material having a catalytic effect for the complex oxide material in a mixed state, and performing a heat treatment to the film, wherein the paraelectric material is one of a layered catalytic substance which includes Si in the constituent elements and a layered catalytic substance which includes Si and Ge in the constituent elements. The heat treatment includes sintering and post-annealing. At least the post-annealing is performed in a pressurized atmosphere including at least one of oxygen and ozone. A ceramic is a complex oxide having an oxygen octahedral structure, and has Si and Ge in the oxygen octahedral structure.

摘要翻译： 一种制造陶瓷的方法包括：形成包含具有氧八面体结构的复合氧化物材料和对复合氧化物材料具有催化作用的顺电性材料的混合状态的膜，并对膜进行热处理，其中， 顺电材料是构成元素中包含Si的层状催化物质和构成元素中包含Si和Ge的层状催化物质之一。 热处理包括烧结和后退火。 至少在包括氧和臭氧中的至少一种的加压气氛中进行后退火。 陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，并且具有氧八面体结构中的Si和Ge。