公开(公告)号：US20070170479A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：US11653231

申请日：2007-01-16

申请人： Masami Hashimoto ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Akio Konishi ,  Tatsuya Shimoda

发明人： Masami Hashimoto ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Akio Konishi ,  Tatsuya Shimoda

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L28/55

摘要： A polarization transfer device includes a ferroelectric thin film formed continuously as one piece; a plurality of polarization switches formed by placing the ferroelectric thin film between a first gate electrode and a second gate electrode; and a plurality of polarization accumulators formed by placing the ferroelectric thin film between a first electrode plate and a second electrode plate, wherein the plurality of polarization switches and the plurality of polarization accumulators are arranged alternately.

摘要翻译： 极化转移装置包括连续形成为一体的铁电薄膜; 通过将铁电薄膜放置在第一栅极电极和第二栅极电极之间而形成的多个极化开关; 以及通过将铁电薄膜放置在第一电极板和第二电极板之间而形成的多个偏振累积器，其中多个偏振开关和多个偏振累积器交替布置。

公开(公告)号：US08075795B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12402828

申请日：2009-03-12

申请人： Yasuaki Hamada ,  Akio Konishi ,  Takeshi Kijima

发明人： Yasuaki Hamada ,  Akio Konishi ,  Takeshi Kijima

IPC分类号： C04B35/49 ,  B41J2/00 ,  C01G33/00

CPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/768 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A piezoelectric body includes a perovskite type compound that is expressed by a compositional formula being Pb (Zrx Ti1-x)1-y My O3, where M is at least one of Ta and Nb, x is in a range of 0.51≦x≦0.57, and y is in a range of 0.05≦y

摘要翻译： 压电体包括由组成式表示为Pb（Zr x Ti 1-x）1-y My O 3的钙钛矿型化合物，其中M是Ta和Nb中的至少一种，x在0.51和n1E的范围内; x＆ ; 0.57，y在0.05＆lt; lEE; y <0.2的范围内，其中，钙钛矿型化合物含有SiO 2和GeO 2中的至少一种作为添加剂，添加剂的添加量为0.5摩尔％以上但为5 相对于钙钛矿型化合物的量为mol％以下。

公开(公告)号：US07504682B2

公开(公告)日：2009-03-17

申请号：US11653231

申请日：2007-01-16

申请人： Masami Hashimoto ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Akio Konishi ,  Tatsuya Shimoda

发明人： Masami Hashimoto ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Akio Konishi ,  Tatsuya Shimoda

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L28/55

摘要： A polarization transfer device includes a ferroelectric thin film formed continuously as one piece; a plurality of polarization switches formed by placing the ferroelectric thin film between a first gate electrode and a second gate electrode; and a plurality of polarization accumulators formed by placing the ferroelectric thin film between a first electrode plate and a second electrode plate, wherein the plurality of polarization switches and the plurality of polarization accumulators are arranged alternately.

摘要翻译： 极化转移装置包括连续形成为一体的铁电薄膜; 通过将铁电薄膜放置在第一栅极电极和第二栅极电极之间而形成的多个极化开关; 以及通过将铁电薄膜放置在第一电极板和第二电极板之间而形成的多个偏振累积器，其中多个偏振开关和多个偏振累积器交替布置。

公开(公告)号：US07524451B2

公开(公告)日：2009-04-28

申请号：US11504255

申请日：2006-08-15

申请人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： B28B1/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An insulating target material for obtaining a conductive complex oxide film represented by a general formula ABO3, the insulating target material including an oxide of an element A, an oxide of an element B, and at least one of an Si compound and a Ge compound.

摘要翻译： 一种用于获得由通式ABO3表示的导电复合氧化物膜的绝缘靶材料，包括元素A的氧化物，元素B的氧化物，以及Si化合物和Ge化合物中的至少一种的绝缘靶材料。

公开(公告)号：US07371473B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US11286286

申请日：2005-11-25

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

IPC分类号： B32B9/00

CPC分类号： C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01B1/08 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A ferroelectric film is formed by an oxide that is described by a general formula AB1-xNbxO3. An A element includes at least Pb, and a B element includes at least one of Zr, Ti, V, W, Hf and Ta. The ferroelectric film includes Nb within the range of: 0.05 ≦x

摘要翻译： 铁氧体膜由通式AB 1-x N x O 3 O 3所描述的氧化物形成。 A元素至少包含Pb，B元素包括Zr，Ti，V，W，Hf和Ta中的至少一种。 铁电体膜包括在0.05 <= x <1的范围内的Nb。 铁电薄膜可用于1T1C，2T2C和简单矩阵类型的铁电存储器。

公开(公告)号：US07262450B2

公开(公告)日：2007-08-28

申请号：US11108933

申请日：2005-04-19

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/28291 ,  H01L21/28167 ,  H01L29/495 ,  H01L29/516 ,  H01L29/78391

摘要： A MFS type field effect transistor includes a semiconductor layer, a PZT system ferroelectric layer formed on the semiconductor layer, a gate electrode formed on the PZT system ferroelectric layer, and an impurity layer composing a source or a drain, formed in the semiconductor layer. The PZT system ferroelectric layer includes Nb that replaces a Ti composition by 2.5 mol % or more but 40 mol % or less.

摘要翻译： MFS型场效应晶体管包括半导体层，形成在半导体层上的PZT系铁电层，形成在PZT系铁电层上的栅电极和构成源极或漏极的杂质层，形成在半导体层中。 PZT系铁电体层包含将Ti成分替换为2.5摩尔％以上且40摩尔％以下的Nb。

公开(公告)号：US07214977B2

公开(公告)日：2007-05-08

申请号：US11241959

申请日：2005-10-04

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691

摘要： A ferroelectric thin film formed of a highly oriented polycrystal in which 180° domains and 90° domains arrange at a constant angle to an applied electric field direction in a thin film plane and reversely rotate in a predetermined electric field.

摘要翻译： 由高取向多晶形成的铁电薄膜，其中180°畴和90°畴以与薄膜平面中所施加的电场方向成一定角度排列，并在预定电场中反向旋转。

公开(公告)号：US20070040243A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11504255

申请日：2006-08-15

申请人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An insulating target material for obtaining a conductive complex oxide film represented by a general formula ABO3, the insulating target material including an oxide of an element A, an oxide of an element B, and at least one of an Si compound and a Ge compound.

摘要翻译： 一种用于获得由通式ABO 3 3表示的导电复合氧化物膜的绝缘靶材料，包括元素A的氧化物，元素B的氧化物的绝缘靶材料，以及元素B的至少一种 Si化合物和Ge化合物。

公开(公告)号：US20060083933A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US11286286

申请日：2005-11-25

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

IPC分类号： G11C11/22 ,  H01L41/18 ,  B32B17/06 ,  B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  B32B19/00

CPC分类号： C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01B1/08 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A ferroelectric film is formed by an oxide that is described by a general formula AB1-xNbxO3. An A element includes at least Pb, and a B element includes at least one of Zr, Ti, V, W, Hf and Ta. The ferroelectric film includes Nb within the range of: 0.05≦x

摘要翻译： 铁氧体膜由通式AB 1-x N x O 3 O 3所描述的氧化物形成。 A元素至少包含Pb，B元素包括Zr，Ti，V，W，Hf和Ta中的至少一种。 铁电体膜包括在0.05 <= x <1的范围内的Nb。 铁电薄膜可用于1T1C，2T2C和简单矩阵类型的铁电存储器。

公开(公告)号：US20050271823A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：US11129475

申请日：2005-05-16

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Mayumi Ueno

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Mayumi Ueno

IPC分类号： B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/135 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  C01G25/00 ,  C01G33/00 ,  C04B35/49 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C23C18/12 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/318 ,  H01L41/39 ,  B05D5/12 ,  C04B35/46 ,  C04B35/48

CPC分类号： C04B35/493 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C01G25/00 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/761 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： To provide precursor compositions for forming ferroelectric, methods for manufacturing precursor compositions, and methods for forming ferroelectric films using precursor compositions, which have excellent composition controllability in a liquid phase method, and in which metal compositions such as lead can be reused. A precursor composition pertains to a precursor composition including a precursor for forming a ferroelectric, wherein the ferroelectric is expressed by a general formula of AB1-xCxO3, where an element A is composed of at least Pb, an element B is composed of at least one of Zr, Ti, V, W and Hf, an element C is composed of at least one of Nb and Ta, and the precursor includes at least the element B and the element C, and has an ester-bond in a part thereof.

摘要翻译： 提供用于形成铁电体的前体组合物，用于制备前体组合物的方法，以及使用在液相法中具有优异的组成可控性的前体组合物形成铁电体膜的方法，其中可以重复使用诸如铅的金属组合物。 前体组合物涉及包含用于形成铁电体的前体的前体组合物，其中铁电体由通式为AB 1-x C x O O 3元素A至少由Pb构成，元素B由Zr，Ti，V，W和Hf中的至少一种构成，元素C由Nb和Ta中的至少一种构成 ，并且前体至少包含元素B和元素C，并且其一部分具有酯键。