公开(公告)号：US06509274B1

公开(公告)日：2003-01-21

申请号：US09632486

申请日：2000-08-04

申请人： Ted Guo ,  Jing-Pei Chou ,  Liang-Yuh Chen ,  Roderick C. Mosely

发明人： Ted Guo ,  Jing-Pei Chou ,  Liang-Yuh Chen ,  Roderick C. Mosely

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76882

摘要： A method for forming aluminum lines over aluminum-filled vias in a semiconductor substrate that can compensate for some misalignment between the filled vias and the lines. By alternately depositing liner-barrier layers and aluminum layers on the substrate, different etch chemistries can be used that can anisotropically etch an aluminum layer used to form the lines without etching voids in the aluminum-filled vias.

摘要翻译： 一种用于在半导体衬底中的铝填充通孔上形成铝线的方法，其可以补偿所填充的通孔和线之间的一些不对准。 通过在衬底上交替沉积衬垫阻挡层和铝层，可以使用不同的蚀刻化学性质，其可以各向异性地蚀刻用于形成线的铝层，而不会在铝填充的通孔中蚀刻空隙。

公开(公告)号：US06933021B2

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：US10124575

申请日：2002-04-16

申请人： Jing-Pei Chou ,  Chien-Teh Kao ,  Chiukin Lai ,  Roderick C. Mosely ,  Mei Chang

发明人： Jing-Pei Chou ,  Chien-Teh Kao ,  Chiukin Lai ,  Roderick C. Mosely ,  Mei Chang

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/48 ,  C23C16/509 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  B05D3/04 ,  B05D3/06 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/481 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32174 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/336 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862

摘要： A method of forming a titanium silicide nitride (TiSiN) layer on a substrate id described. The titanium silicide nitride (TiSiN) layer is formed by providing a substrate to a process chamber and treating the substrate with a silicon-containing gas. A titanium nitride layer is formed on the treated substrate and exposed to a silicon-containing gas. The titanium nitride (TiN) layer reacts with the silicon-containing gas to form the titanium silicide nitride (TiSiN) layer. The formation of the titanium silicide nitride (TiSiN) layer is compatible with integrated circuit fabrication processes. In one integrated circuit fabrication process, the titanium silicide nitride (TiSiN) layer may be used as a diffusion barrier for a tungsten (W) metallization process.

摘要翻译： 在所述基板上形成硅化钛氮化物（TiSiN）层的方法。 通过向处理室提供衬底并用含硅气体处理衬底来形成硅化钛氮化物（TiSiN）层。 在经处理​​的基底上形成氮化钛层并暴露于含硅气体。 氮化钛（TiN）层与含硅气体反应形成硅化钛（TiSiN）层。 钛硅化钛（TiSiN）层的形成与集成电路制造工艺兼容。 在一个集成电路制造工艺中，硅化钛氮化物（TiSiN）层可以用作钨（W）金属化工艺的扩散阻挡层。

公开(公告)号：US20060051966A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11266167

申请日：2005-11-03

申请人： David Or ,  Jing-Pei Chou ,  See-Eng Phan ,  Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

发明人： David Or ,  Jing-Pei Chou ,  See-Eng Phan ,  Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302 ,  B08B6/00

CPC分类号： H01L21/67109 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32522 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method and apparatus for cleaning a processing chamber comprising blocking a flow of cooling fluid to a channel within a support member within a processing chamber, elevating the support member to be within about 0.1 inches of a gas distribution plate, heating the gas distribution plate, and introducing a thermally conductive gas through the gas distribution plate into the processing chamber.

摘要翻译： 一种用于清洁处理室的方法和装置，包括将冷却流体流阻塞到处理室内的支撑构件内的通道，将支撑构件升高到气体分配板的约0.1英寸以内，加热气体分配板， 并且将导热气体通过所述气体分配板引入所述处理室。

公开(公告)号：US20050230350A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US11063645

申请日：2005-02-22

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei Chou ,  Chiukin Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei Chou ,  Chiukin Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/28 ,  C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method and apparatus for removing native oxides from a substrate surface is provided. In one aspect, the chamber comprises a chamber body and a support assembly at least partially disposed within the chamber body and adapted to support a substrate thereon. The support assembly includes one or more fluid channels at least partially formed therein and capable of cooling the substrate. The chamber further comprises a lid assembly disposed on an upper surface of the chamber body. The lid assembly includes a first electrode and a second electrode which define a plasma cavity therebetween, wherein the second electrode is adapted to connectively heat the substrate.

摘要翻译： 提供了一种从衬底表面去除天然氧化物的方法和装置。 在一个方面，腔室包括室主体和至少部分地设置在腔体内并适于在其上支撑衬底的支撑组件。 支撑组件包括至少部分地形成在其中并能够冷却基底的一个或多个流体通道。 所述室还包括设置在所述室主体的上表面上的盖组件。 盖组件包括在其间限定等离子体腔的第一电极和第二电极，其中第二电极适于连接地加热衬底。