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    Method for manufacturing an acceleration sensor
    1.
    发明授权
    Method for manufacturing an acceleration sensor 失效
    加速度传感器的制造方法

    公开(公告)号：US5700702A

    公开(公告)日：1997-12-23

    申请号：US676282

    申请日：1996-07-17

    申请人： Helmut Klose ,  Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Christofer Hierold

    发明人： Helmut Klose ,  Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Christofer Hierold

    IPC分类号： G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  H01L21/265

    CPC分类号： G01P15/125 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828 ,  Y10S148/159

    摘要： Manufacturing method for an acceleration sensor on silicon, whereby, following the manufacture of the doped regions required for the electronic function elements, a polysilicon layer is deposited. The polysilicon layer is structured such that a portion of this polysilicon layer forms an electrode (for example, the emitter electrode (9) and the collector electrode (10) of a transistor) and a sensor layer (17) provided as sensor element.

    摘要翻译： PCT No.PCT / DE95 / 00022 Sec。 371日期：1996年7月17日 102（e）日期1996年7月17日PCT 1995年1月10日PCT PCT。 第WO95 / 19572号公报 日期1995年7月20日硅上的加速度传感器的制造方法，其中，在制造电子功能元件所需的掺杂区域之后，沉积多晶硅层。 多晶硅层被构造为使得该多晶硅层的一部分形成电极（例如，发射极（9）和晶体管的集电极（10））和设置为传感器元件的传感器层（17）。

    Acceleration sensor and method for manufacturing same
    2.
    发明授权
    Acceleration sensor and method for manufacturing same 失效
    加速度传感器及其制造方法

    公开(公告)号：US5447067A

    公开(公告)日：1995-09-05

    申请号：US207080

    申请日：1994-03-08

    申请人： Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Helmut Klose

    发明人： Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Helmut Klose

    IPC分类号： G01P15/09 ,  G01P15/08 ,  G01P15/12 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  G01P1/02

    CPC分类号： G01P15/125 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0814

    摘要： An acceleration sensor has a proof mass attached by resilient elements, in the form of micromechanical components, in a monocrystalline silicon layer of an SOI (silicon-on-insulator) substrate, the insulator layer of the substrate being removed under the structure which is susceptible to acceleration, in order to enable free mobility of the micromechanical components. Piezoresistors are provided for detecting movement of the proof mass, the piezoresistors supplying electrical signals to an evaluation circuit.

    摘要翻译： 加速度传感器具有通过在MEMS（绝缘体上硅）衬底的单晶硅层中以微机械部件的形式的弹性元件附着的校验物质，该衬底的绝缘体层在易感的结构下被去除 以加速，以便实现微机械部件的自由移动。 提供压阻器用于检测检测质量块的运动，压电电阻器将电信号提供给评估电路。

    Tunnel effect acceleration sensor
    3.
    发明授权
    Tunnel effect acceleration sensor 失效
    隧道效应加速度传感器

    公开(公告)号：US5431051A

    公开(公告)日：1995-07-11

    申请号：US219538

    申请日：1994-03-29

    申请人： Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Helmut Klose

    发明人： Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Helmut Klose

    IPC分类号： G01P15/08 ,  H01L29/88 ,  G01P15/13

    CPC分类号： G01P15/0894

    摘要： An acceleration sensor is produced on a silicon substrate by etching to leave a cantilevered beam of polysilicon with a tip on the substrate projecting toward this beam. Acceleration of the sensor causes the beam to bend, thereby changing the spacing between the tip and the beam, and thereby also changing the tunnel current, which is measured. Electrodes are provided that, given application of a potential thereto, effect an electrostatic compensation of the bending of the beam.

    摘要翻译： 通过蚀刻在硅衬底上产生加速度传感器，以留下多晶硅的悬臂梁，衬底上的尖端朝向该梁突出。 传感器的加速度导致光束弯曲，从而改变尖端和光束之间的间距，从而也改变测量的隧道电流。 提供电极，其给予施加电位以对光束的弯曲进行静电补偿。

    Pressure sensor
    6.
    发明授权
    Pressure sensor 失效
    压力传感器

    公开(公告)号：US5450754A

    公开(公告)日：1995-09-19

    申请号：US207067

    申请日：1994-03-08

    申请人： Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Helmut Klose

    发明人： Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Helmut Klose

    IPC分类号： G01L1/14 ,  G01L9/00 ,  G01L9/12 ,  G01L19/02 ,  H01L29/84

    CPC分类号： G01L19/02 ,  G01L9/0073

    摘要： A pressure sensor comprises a matrix of diaphragms of polysilicon which, via a structure of electrical conductors, are arranged at an upper side of a silicon substrate for the determination of their variable electrical capacitance dependent on the pressure stressing. These diaphragms are present in at least two different sizes. Capacitances of these diaphragms of a same size are respectively connected to form a sub-unit such that basic capacitances of these sub-units are of a respectively same size.

    摘要翻译： 压力传感器包括多晶硅膜的矩阵，其经由电导体的结构布置在硅衬底的上侧，用于根据压力应力确定其可变电容。 这些隔膜以至少两种不同的尺寸存在。 相同尺寸的这些隔膜的电容分别连接以形成子单元，使得这些子单元的基本电容具有相同的尺寸。

    Sensor for sensing fingerpaints and method for producing the sensor
    7.
    发明授权
    Sensor for sensing fingerpaints and method for producing the sensor 失效
    用于感应指纹的传感器和用于产生传感器的方法

    公开(公告)号：US5373181A

    公开(公告)日：1994-12-13

    申请号：US142713

    申请日：1993-10-25

    申请人： Thomas Scheiter ,  Markus Biebl ,  Helmut Klose

    发明人： Thomas Scheiter ,  Markus Biebl ,  Helmut Klose

    IPC分类号： H01L27/04 ,  B81B1/00 ,  G01B7/28 ,  G01L1/14 ,  G06K9/00 ,  G06T1/00 ,  H01L21/822 ,  H01L29/04 ,  H01L21/44

    CPC分类号： G01L1/146 ,  G01L1/148 ,  G06K9/0002

    摘要： A grid-like arrangement of membranes of doped polysilicon are mounted on a substrate but are electrically insulated therefrom each membrane extends over a cavity and is joined to the substrate at at least two supporting locations so that they cavity lies between the membrane and the substrate. Changes in an electrical quantity existing between the membranes and the substrate are measured as forces exerted on the grid-like arrangement of sensor elements so that the ridges in the skin on a finger tip may be sensed for detecting a fingerprint.

    摘要翻译： 掺杂多晶硅膜的栅状布置安装在基板上，但是与其电绝缘，每个膜在空腔上延伸并且在至少两个支撑位置处连接到基板，使得其空腔位于膜和基板之间。 测量存在于膜和基底之间的电量的变化作为施加在传感器元件的格栅状布置上的力，从而可以感测指尖上的皮肤中的脊以检测指纹。

    Micromechanical component
    8.
    发明授权
    Micromechanical component 失效
    微机械部件

    公开(公告)号：US5939171A

    公开(公告)日：1999-08-17

    申请号：US875371

    申请日：1997-07-24

    申请人： Markus Biebl

    发明人： Markus Biebl

    IPC分类号： G01P15/02 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  H01L21/00

    CPC分类号： G01P15/125 ,  B81B3/001 ,  G01P15/0802 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24479

    摘要： Micromechanical component, wherein there are present, between a movable part (2) and a substrate (1), narrowly bounded spikes or spacers (3) which are composed of dielectric and which prevent the movable part from adhering (sticking) to the opposite surface during production and while the component is being operated during deflection in the direction of the substrate. Said spikes are produced by etching an auxiliary layer between the substrate and the structural layer (2) through etching apertures (4) to such an extent that only the layer components (3) forming such spikes are left behind.

    摘要翻译： PCT No.PCT / DE96 / 00004 Sec。 371日期1997年7月24日 102（e）1997年7月24日PCT PCT 1996年1月2日PCT公布。 公开号WO96 / 23230 PCT 日期：1996年8月1日在可动部件（2）和基板（1）之间存在的机械部件，由电介质构成的狭缝结构的凸起或间隔件（3），并且防止可动部件粘附 ）到生产期间的相对表面，并且当在基板的方向偏转期间部件被操作时。 通过在基板和结构层（2）之间通过蚀刻孔（4）蚀刻辅助层来产生所述尖峰，使得仅形成这种尖峰的层成分（3）被留下。

    Method for producing a CMOS circuit
    9.
    发明授权
    Method for producing a CMOS circuit 失效
    CMOS电路的制造方法

    公开(公告)号：US5913115A

    公开(公告)日：1999-06-15

    申请号：US67766

    申请日：1998-04-29

    申请人： Markus Biebl ,  Udo Schwalke ,  Herbert Schaefer ,  Dirk Schumann

    发明人： Markus Biebl ,  Udo Schwalke ,  Herbert Schaefer ,  Dirk Schumann

    IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/20 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/265

    CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/823814

    摘要： In producing a CMOS circuit, an n-channel MOS transistor and a p-channel MOS transistor are formed in a semiconductor substrate. In situ p-doped, monocrystalline silicon structures are formed by epitaxial growth selectively with respect to insulating material and with respect to n-doped silicon, such silicon structures being suitable as a diffusion source for forming source/drain regions of the p-channel MOS transistor. The source/drain regions of the n-channel MOS transistor are produced beforehand by means of implantation or diffusion. Owing to the selectivity of the epitaxy that is used, it is not necessary to cover the n-doped source/drain regions of the n-channel MOS transistor during the production of the p-channel MOS transistor.

    摘要翻译： 在制造CMOS电路时，在半导体衬底中形成n沟道MOS晶体管和p沟道MOS晶体管。 原位p掺杂的单晶硅结构通过相对于绝缘材料选择性地外延生长而形成，并且对于n掺杂的硅，这种硅结构适合作为用于形成p沟道MOS的源极/漏极区的扩散源 晶体管。 n沟道MOS晶体管的源极/漏极区域通过注入或扩散预先产生。 由于使用的外延的选择性，在制造p沟道MOS晶体管期间不需要覆盖n沟道MOS晶体管的n掺杂源极/漏极区域。

    Digital circuit having a filter unit for suppressing glitches
    10.
    发明授权
    Digital circuit having a filter unit for suppressing glitches 有权
    具有用于抑制毛刺的滤波器单元的数字电路

    公开(公告)号：US06389086B1

    公开(公告)日：2002-05-14

    申请号：US09521396

    申请日：2000-03-08

    申请人： Thoai-Thai Le ,  Eckhard Brass ,  Markus Biebl

    发明人： Thoai-Thai Le ,  Eckhard Brass ,  Markus Biebl

    IPC分类号： H03B110

    CPC分类号： H03K5/1252

    摘要： A digital circuit has a signal input terminal and a signal output terminal. The digital circuit additionally has a logic circuit unit, whose input is connected to the signal input terminal and whose output is connected to the signal output terminal via a switching element. Furthermore, it has a filter unit, whose input is connected to the signal input terminal and whose output is connected to a control input of the switching element. The filter unit serves for suppressing glitches on a digital signal present at its input.

    摘要翻译： 数字电路具有信号输入端和信号输出端。 数字电路还具有逻辑电路单元，其输入端连接到信号输入端子，其输出端经由开关元件连接到信号输出端子。 此外，它具有滤波器单元，其输入端连接到信号输入端，并且其输出端连接到开关元件的控制输入端。 滤波器单元用于抑制存在于其输入端的数字信号的毛刺。