公开(公告)号：US06664612B2

公开(公告)日：2003-12-16

申请号：US09757328

申请日：2001-01-09

Applicant: Josef Willer ,  Paul-Werner Von Basse ,  Thomas Scheiter

Inventor： Josef Willer ,  Paul-Werner Von Basse ,  Thomas Scheiter

IPC: H01L2358

CPC classification number: G06K9/0002 ,  H01L21/3145

Abstract: A semiconductor component with passivation includes at least two double passivating layers, of which an uppermost is applied to a planar surface of a layer located therebelow. The double passivating layers include two layers of different dielectric materials, for example silicon oxide and silicon nitride. The respective thicknesses of the individual passivating layers can be adapted to dimensions of the structuring of the layer to which the passivation is applied. This produces a reliable passivation which is particularly suitable for capacitively measuring fingerprint sensors.

Abstract translation: 具有钝化的半导体部件包括至少两个双钝化层，其中最上层被施加到位于其下方的层的平坦表面。 双钝化层包括两层不同的介电材料，例如氧化硅和氮化硅。 单个钝化层的各自的厚度可以适应于施加钝化层的层的结构尺寸。 这产生了可靠的钝化，其特别适用于电容测量指纹传感器。

公开(公告)号：US06401544B2

公开(公告)日：2002-06-11

申请号：US09794664

申请日：2001-02-27

Applicant: Robert Aigner ,  Christofer Hierold ,  Hergen Kapels ,  Stefan Kolb ,  Dieter Maier-Schneider ,  Klaus-Günter Oppermann ,  Hans-Jörg Timme ,  Thomas Scheiter ,  Wolfgang Werner

Inventor： Robert Aigner ,  Christofer Hierold ,  Hergen Kapels ,  Stefan Kolb ,  Dieter Maier-Schneider ,  Klaus-Günter Oppermann ,  Hans-Jörg Timme ,  Thomas Scheiter ,  Wolfgang Werner

IPC: G01L900

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00896 ,  B81C2201/053 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method is disclosed for producing a micromechanical component. The micromechanical component has sensor holes, wherein at least one component protective layer and/or a spacer coating is applied on the component before separating the wafer into chips. The component protective layer sealingly covers at least the walls of the holes extending parallel to the surface of the wafer and perpendicular to the surface of the wafer and the spacer coating sealingly covers at least the walls of the holes extending parallel to the surface of the wafer.

Abstract translation: 公开了一种用于制造微机械部件的方法。 微机械部件具有传感器孔，其中在将晶片分成芯片之前，在部件上施加至少一个部件保护层和/或间隔涂层。 部件保护层至少密封地覆盖平行于晶片表面延伸的垂直于晶片表面的孔的壁，间隔件涂层至少密封地覆盖平行于晶片表面延伸的孔的壁 。

公开(公告)号：US6159762A

公开(公告)日：2000-12-12

申请号：US308985

申请日：1999-05-27

Applicant: Thomas Scheiter ,  Christofer Hierold ,  Ulrich Naher

Inventor： Thomas Scheiter ,  Christofer Hierold ,  Ulrich Naher

IPC: G01L9/04 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  G01L9/12 ,  H01L29/84 ,  H01L21/00

CPC classification number: G01L9/0073 ,  G01L9/0042

Abstract: Method for manufacturing an absolute pressure sensor as micromechanical component on a silicon substrate, whereby a cavity (4) is etched out in an auxiliary layer (3) under a membrane layer (5) through etching openings (6), the etching openings are closed with a passivation layer (7), whereby a specific etching opening (11) is re-opened in a via hole etching and this opening is re-closed with a metallization or dielectric material (10, 12) in a following process step that ensues at low pressure.

Abstract translation: PCT No.PCT / DE97 / 02751 Sec。 371日期1999年5月27日第 102（e）日期1999年5月27日PCT 1997年11月24日PCT公布。 第WO98 / 23935号公报 日期1998年6月4日制造绝缘压力传感器作为硅基板上的微机械部件的方法，由此通过蚀刻开口（6）在膜层（5）的辅助层（3）内蚀刻空腔（4） 蚀刻开口用钝化层（7）封闭，由此在通孔蚀刻中重新打开特定的蚀刻开口（11），并且该开口用金属化或介电材料（10,12）重新闭合 在低压下进行以下处理步骤。

公开(公告)号：US6094985A

公开(公告)日：2000-08-01

申请号：US308730

申请日：1999-05-24

Applicant: Hergen Kapels ,  Christofer Hierold ,  Max Steger ,  Thomas Scheiter ,  Reinhold Noe ,  Ulrich Naher

Inventor： Hergen Kapels ,  Christofer Hierold ,  Max Steger ,  Thomas Scheiter ,  Reinhold Noe ,  Ulrich Naher

IPC: G01C9/04 ,  G01C19/56 ,  G01P9/04

CPC classification number: G01C19/5712

Abstract: Rotation rate sensor as a micromechanical component in silicon, in which a ring with a rigid strut along a diameter is so suspended at elastic braces and anchoring arrangements on a substrate as to be able to perform rotation oscillations about its center axis and to be able to be tilted about the strut under the influence of outer torques. There are electrodes present at the ring and at the substrate, at which electrodes electrical voltages can be applied such that rotary oscillations of the ring about its center axis can be excited and rotary oscillations about the strut can be detected. To stabilize the position of the ring in the neutral position, additional electrodes can be provided at the ring and at the substrate for the generation of electrostatic forces.

Abstract translation: PCT No.PCT / DE97 / 02671 Sec。 371日期1999年5月24日 102（e）1999年5月24日PCT 1997年11月14日PCT PCT。 第WO98 / 23917号公报 日期1998年6月4日作为硅中的微机械部件的转速传感器，其中沿着直径的刚性支柱的环悬挂在基板上的弹性支架和锚定装置上，以便能够围绕其中心轴线执行旋转振荡 并且能够在外部扭矩的影响下围绕支柱倾斜。 存在于环和基板处的电极，电极可以施加电压，使得环绕其中心轴的旋转振荡可被激发，并且可以检测到围绕支柱的旋转振荡。 为了稳定环在中性位置的位置，可以在环和基板处设置附加电极以产生静电力。

公开(公告)号：US5700702A

公开(公告)日：1997-12-23

申请号：US676282

申请日：1996-07-17

Applicant: Helmut Klose ,  Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Christofer Hierold

Inventor： Helmut Klose ,  Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Christofer Hierold

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  H01L21/265

CPC classification number: G01P15/125 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828 ,  Y10S148/159

Abstract: Manufacturing method for an acceleration sensor on silicon, whereby, following the manufacture of the doped regions required for the electronic function elements, a polysilicon layer is deposited. The polysilicon layer is structured such that a portion of this polysilicon layer forms an electrode (for example, the emitter electrode (9) and the collector electrode (10) of a transistor) and a sensor layer (17) provided as sensor element.

Abstract translation: PCT No.PCT / DE95 / 00022 Sec。 371日期：1996年7月17日 102（e）日期1996年7月17日PCT 1995年1月10日PCT PCT。 第WO95 / 19572号公报 日期1995年7月20日硅上的加速度传感器的制造方法，其中，在制造电子功能元件所需的掺杂区域之后，沉积多晶硅层。 多晶硅层被构造为使得该多晶硅层的一部分形成电极（例如，发射极（9）和晶体管的集电极（10））和设置为传感器元件的传感器层（17）。

公开(公告)号：US06714392B2

公开(公告)日：2004-03-30

申请号：US09906475

申请日：2001-07-16

Applicant: Heinz Opolka ,  Paul-Werner Von Basse ,  Thomas Scheiter ,  Rainer Grossmann ,  Christian Peters ,  Reinhard Fischbach ,  Andreas Gaymann ,  Thomas Rosteck ,  Domagoj Siprak ,  Thorsten Sasse ,  Reinhard Göllner ,  Justin Bierner ,  Michael Melzl ,  Klaus Hammer ,  Markus Witte

Inventor： Heinz Opolka ,  Paul-Werner Von Basse ,  Thomas Scheiter ,  Rainer Grossmann ,  Christian Peters ,  Reinhard Fischbach ,  Andreas Gaymann ,  Thomas Rosteck ,  Domagoj Siprak ,  Thorsten Sasse ,  Reinhard Göllner ,  Justin Bierner ,  Michael Melzl ,  Klaus Hammer ,  Markus Witte

IPC: H05F300

CPC classification number: H01L23/60 ,  G06K9/00053 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An electronic component is described and has a dielectric layer which is constructed on a substrate, conductive surfaces that are constructed on the dielectric layer, and an electrically conductive guard structure. The guard structure is disposed in a plane above the conductive surfaces such that the conductive surfaces are not completely covered by the guard structure.

Abstract translation: 描述了电子部件，并且具有构造在基板上的介电层，构造在电介质层上的导电表面和导电保护结构。 防护结构设置在导电表面上方的平面中，使得导电表面不被保护结构完全覆盖。

公开(公告)号：US6020050A

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：US930947

申请日：1997-10-10

Applicant: Ulrich Naher ,  Adrian Berthold ,  Thomas Scheiter ,  Christofer Hierold

Inventor： Ulrich Naher ,  Adrian Berthold ,  Thomas Scheiter ,  Christofer Hierold

IPC: G01L9/12 ,  G01L1/14 ,  G01L9/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  B32B3/00 ,  H01L23/12

CPC classification number: G01L1/148 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926

Abstract: A semiconductor chip has a membrane mounted on supports that are held in the material of the chip so that the membrane is supported at a space from the chip. The membrane may be a metal layer. The supports are columns or webs that extend into the chip material. Electrical connections to the membrane may be made by conductive supports.

Abstract translation: PCT No.PCT / DE96 / 00575 Sec。 371日期：1997年10月10日 102（e）日期1997年10月10日PCT 1996年4月1日PCT PCT。 公开号WO96 / 32627 日期1996年10月17日半导体芯片具有安装在保持在芯片的材料中的支撑件上的膜，使得膜被从芯片的空间支撑。 膜可以是金属层。 支撑体是延伸到芯片材料中的柱或网。 与膜的电连接可以由导电支撑件制成。

公开(公告)号：US5447067A

公开(公告)日：1995-09-05

申请号：US207080

申请日：1994-03-08

Applicant: Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Helmut Klose

Inventor： Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Helmut Klose

IPC: G01P15/09 ,  G01P15/08 ,  G01P15/12 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  G01P1/02

CPC classification number: G01P15/125 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0814

Abstract: An acceleration sensor has a proof mass attached by resilient elements, in the form of micromechanical components, in a monocrystalline silicon layer of an SOI (silicon-on-insulator) substrate, the insulator layer of the substrate being removed under the structure which is susceptible to acceleration, in order to enable free mobility of the micromechanical components. Piezoresistors are provided for detecting movement of the proof mass, the piezoresistors supplying electrical signals to an evaluation circuit.

Abstract translation: 加速度传感器具有通过在MEMS（绝缘体上硅）衬底的单晶硅层中以微机械部件的形式的弹性元件附着的校验物质，该衬底的绝缘体层在易感的结构下被去除 以加速，以便实现微机械部件的自由移动。 提供压阻器用于检测检测质量块的运动，压电电阻器将电信号提供给评估电路。

公开(公告)号：US5431051A

公开(公告)日：1995-07-11

申请号：US219538

申请日：1994-03-29

Applicant: Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Helmut Klose

Inventor： Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Helmut Klose

IPC: G01P15/08 ,  H01L29/88 ,  G01P15/13

CPC classification number: G01P15/0894

Abstract: An acceleration sensor is produced on a silicon substrate by etching to leave a cantilevered beam of polysilicon with a tip on the substrate projecting toward this beam. Acceleration of the sensor causes the beam to bend, thereby changing the spacing between the tip and the beam, and thereby also changing the tunnel current, which is measured. Electrodes are provided that, given application of a potential thereto, effect an electrostatic compensation of the bending of the beam.

Abstract translation: 通过蚀刻在硅衬底上产生加速度传感器，以留下多晶硅的悬臂梁，衬底上的尖端朝向该梁突出。 传感器的加速度导致光束弯曲，从而改变尖端和光束之间的间距，从而也改变测量的隧道电流。 提供电极，其给予施加电位以对光束的弯曲进行静电补偿。

公开(公告)号：US6140689A

公开(公告)日：2000-10-31

申请号：US202837

申请日：1998-12-21

Applicant: Thomas Scheiter ,  Ulrich Naher ,  Christofer Hierold

Inventor： Thomas Scheiter ,  Ulrich Naher ,  Christofer Hierold

IPC: G01L9/12 ,  G01L9/00 ,  H01L29/84 ,  H04R19/00 ,  H01L27/14 ,  H01L29/82

CPC classification number: G01L9/0073 ,  H04R19/005

Abstract: In a relative pressure sensor or miniaturized microphone as a micromechanical sensor component, a polysilicon membrane is arranged over a polysilicon membrane of an SOI substrate. A recess that is connected to the cavity between the membrane and the body silicon layer by openings in the body silicon layer is present in the substrate on the back side. Given an excursion of the membrane, a pressure equalization can therefore occur in the cavity as a result of these openings. The measurement occurs capacitatively by electrical connection of the electrically conductively doped membrane and a doped region formed in the body silicon layer.

Abstract translation: PCT No.PCT / DE97 / 02740 Sec。 371 1998年12月21日第 102（e）日期1998年12月21日PCT 1997年11月21日PCT PCT。 第WO98 / 23934号公报 日期1998年6月4日在作为微机械传感器部件的相对压力传感器或小型化麦克风中，多晶硅膜布置在SOI衬底的多晶硅膜上。 通过体硅层中的开口连接到膜和体硅层之间的空腔的凹部存在于背面的基板中。 考虑到膜的偏移，由于这些开口，因此在空腔中可以发生压力平衡。 测量通过导电掺杂膜的电连接和形成在体硅层中的掺杂区电容地进行。