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    Image sensor module and the method of the same
    6.
    发明申请
    Image sensor module and the method of the same 审中-公开
    图像传感器模块及其方法相同

    公开(公告)号：US20080173792A1

    公开(公告)日：2008-07-24

    申请号：US11656410

    申请日：2007-01-23

    申请人： Wen-Kun Yang ,  Jui-Hsien Chang ,  Tung-chuan Wang ,  Chihwei Lin ,  Hsien-Wen Hsu

    发明人： Wen-Kun Yang ,  Jui-Hsien Chang ,  Tung-chuan Wang ,  Chihwei Lin ,  Hsien-Wen Hsu

    IPC分类号： H01L27/00

    CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/19105 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/2257 ,  H01L2924/00

    摘要： The present invention provides an image sensor module structure comprising a substrate with a die receiving cavity formed within an upper surface of the substrate and conductive traces within the substrate and a die having a micro lens disposed within the die receiving cavity. A dielectric layer is formed on the die and the substrate, a re-distribution conductive layer (RDL) is formed on the dielectric layer, wherein the RDL is coupled to the die and the conductive traces and the dielectric layer has an opening to expose the micro lens. A lens holder is attached on the substrate and the lens holder has a lens attached an upper portion of the lens holder. A filter is attached between the lens and the micro lens. The structure further comprises a passive device on the upper surface of the substrate within the lens holder.

    摘要翻译： 本发明提供了一种图像传感器模块结构，其包括具有形成在基板的上表面内的模具接收空腔的基板和基板内的导电迹线以及具有设置在模具接收腔内的微透镜的模具。 在管芯和衬底上形成电介质层，在电介质层上形成再分配导电层（RDL），其中RDL耦合到管芯，并且导电迹线和电介质层具有露出 微透镜。 透镜保持器附接在基板上，并且透镜保持器具有安装在透镜保持器的上部的透镜。 滤光片安装在透镜和微透镜之间。 该结构还包括在透镜保持器内的衬底的上表面上的无源器件。

    Wafer level image sensor package with die receiving cavity and method of making the same
    7.
    发明申请
    Wafer level image sensor package with die receiving cavity and method of making the same 审中-公开
    晶圆级图像传感器封装，带模具接收腔及其制作方法

    公开(公告)号：US20080274579A1

    公开(公告)日：2008-11-06

    申请号：US12216641

    申请日：2008-07-09

    申请人： Wen-Kun Yang ,  Jui-Hsien Chang ,  Tung-Chuan Wang

    发明人： Wen-Kun Yang ,  Jui-Hsien Chang ,  Tung-Chuan Wang

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The present invention provides a structure of package comprising a substrate with a die receiving cavity formed within an upper layer of the substrate, wherein terminal pads are formed on the upper surface of the substrate, the same plain as the micro lens. A die is disposed within the die receiving cavity by adhesion and a dielectric layer formed on the die and the substrate. A re-distribution metal layer (RDL) is formed on the dielectric layer and coupled to the die. An opening is formed within the dielectric layer and a top protection layer to expose the micro lens area of the die for Image Sensor chip. A protection layer (film) be coated on the micro lens area with water repellent and oil repellent to away the particle contamination. A transparent cover with coated IR filter is optionally formed over the micron lens area for protection.

    摘要翻译： 本发明提供一种封装结构，其包括：衬底，其具有形成在衬底的上层内的管芯容纳腔，其中端子衬垫形成在衬底的上表面上，与微透镜相同。 通过粘合将模具设置在模具接收腔内，并且在模具和基板上形成介电层。 在电介质层上形成再分配金属层（RDL）并与管芯耦合。 在电介质层内形成一个开口和一个顶部保护层，以露出图像传感器芯片的芯片的微透镜区域。 保护层（膜）涂覆在微透镜区域上，具有防水和防油性，以消除颗粒污染。 可选地，在微透镜区域上形成具有涂覆的IR滤光器的透明盖，用于保护。

    METHOD OF PLASMA ETCHING WITH PATTERN MASK
    10.
    发明申请
    METHOD OF PLASMA ETCHING WITH PATTERN MASK 审中-公开
    等离子体蚀刻与图案掩模的方法

    公开(公告)号：US20080268647A1

    公开(公告)日：2008-10-30

    申请号：US12134249

    申请日：2008-06-06

    申请人： Wen-Kun Yang ,  Jui-Hsien Chang ,  Wen-Bin Sun

    发明人： Wen-Kun Yang ,  Jui-Hsien Chang ,  Wen-Bin Sun

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/31144

    摘要： The present invention provides a method of plasma etching with pattern mask. There are two different devices in the two section of a wafer, comprising silicon and Gallium Arsenide (GaAs). The Silicon section is for general semiconductor. And the GaAs section is for RF device. The material of pad in the silicon is usually metal, and metal oxide is usually formed on the pads. The metal oxide is unwanted for further process; therefore it should be removed by plasma etching process. A film is attached to the surface of the substrate exposing the area need for etching. Then a mask is attached and aligned onto the film therefore exposing the area need for etching. Then plasma dry etching is applied on the substrate for removing the metal oxide.

    摘要翻译： 本发明提供了一种使用图案掩模进行等离子体蚀刻的方法。 在晶片的两个部分中有两种不同的器件，包括硅和砷化镓（GaAs）。 硅部分用于一般半导体。 而GaAs部分用于RF器件。 硅中的焊盘材料通常是金属，金属氧化物通常形成在焊盘上。 金属氧化物对于进一步的处理是不需要的; 因此应该通过等离子体蚀刻工艺去除。 将膜附着到衬底的表面，暴露出需要蚀刻的区域。 然后将掩模附着并对准到膜上，从而暴露该区域对蚀刻的需要。 然后在衬底上施加等离子体干蚀刻以去除金属氧化物。