公开(公告)号：US06180451B2

公开(公告)日：2001-01-30

申请号：US09165143

申请日：1998-10-01

申请人： Wen-Yi Hsieh ,  Juan-Yuan Wu ,  Water Lur

发明人： Wen-Yi Hsieh ,  Juan-Yuan Wu ,  Water Lur

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： H01L21/02667 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/84

摘要： A method of forming a DRAM capacitor. A hemispherical grain structure is formed on the surface of the bottom electrode of the capacitor. By employing an additional annealing under a dopant contained ambient, the dopant is diffused into the hemispherical grain structure and distributed at the surface area of the hemispherical grain region.

摘要翻译： 一种形成DRAM电容器的方法。 在电容器的底部电极的表面上形成半球形晶粒结构。 通过在包含环境的掺杂剂下进行额外的退火，掺杂剂扩散到半球形晶粒结构中并分布在半球形晶粒区域的表面区域。

公开(公告)号：US06174812B1

公开(公告)日：2001-01-16

申请号：US09328246

申请日：1999-06-08

申请人： Chiung-Sheng Hsiung ,  Wen-Yi Hsieh ,  Water Lur

发明人： Chiung-Sheng Hsiung ,  Wen-Yi Hsieh ,  Water Lur

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/76873 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A copper-palladium alloy damascene technology applied to the ultra large scale integration (ULSI) circuits fabrication is disclosed. First, a TaN barrier is deposited over an oxide layer or in terms of the inter metal dielectric (IMD) layer. Then a copper-palladium seed is deposited over the TaN barrier. Furthermore, a copper-palladium gap-fill electroplating layer is electroplated over the dielectric oxide layer. Second, a copper-palladium annealing process is carried out. Then the copper-palladium electroplating surface is planarized by means of a chemical mechanical polishing (CMP) process. Third, the CoWP cap is self-aligned to the planarized copper-palladium alloy surface. Finally, a second IMD layer is deposited over the first IMD layer. Furthermore, a contact hole in the second dielectric layer over said CoWP cap layer is formed, and then the CoWP cap of the first IMD layer is connected with the copper-palladium alloy bottom surface of the second IMD layer directly. The other deposition processes are subsequently performed the same way.

摘要翻译： 公开了一种应用于超大规模集成（ULSI）电路制造的铜 - 钯合金镶嵌技术。 首先，在氧化物层上或以金属间电介质（IMD）层方式沉积TaN势垒。 然后将铜钯种子沉积在TaN屏障上。 此外，将铜 - 钯间隙填充电镀层电镀在电介质氧化物层上。 其次，进行铜 - 钯退火处理。 然后通过化学机械抛光（CMP）工艺对铜 - 钯电镀表面进行平面化处理。 第三，CoWP帽与平面化的铜 - 钯合金表面自对准。 最后，第二IMD层沉积在第一IMD层上。 此外，形成在所述CoWP覆盖层上的第二电介质层中的接触孔，然后直接将第一IMD层的CoWP帽与第二IMD层的铜 - 钯合金底面连接。 随后以相同的方式进行其它沉积工艺。

公开(公告)号：US06245380B1

公开(公告)日：2001-06-12

申请号：US09249582

申请日：1999-02-11

申请人： Shih-Wei Sun ,  Wen-Yi Hsieh ,  Water Lur ,  Kun-Chih Wang

发明人： Shih-Wei Sun ,  Wen-Yi Hsieh ,  Water Lur ,  Kun-Chih Wang

IPC分类号： B05D512

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

摘要： A method of forming bonding pad commences by forming a conformal barrier layer on a provided inter-metal dielectric layer. A first metal layer is formed on the barrier layer to partially fill the trench. A thin glue layer is formed on the first metal layer. A second metal layer is formed on the glue layer to fill the trench. The second metal layer, the glue layer, the first metal layer and the barrier layer are partially removed to expose the dielectric layer. A bonding pad structure is thus formed in the trench. The bonding pad structure comprises a first metal pad and a second metal pad.

摘要翻译： 通过在所提供的金属间介电层上形成保形阻挡层，开始形成焊盘的方法。 在阻挡层上形成第一金属层以部分地填充沟槽。 在第一金属层上形成薄胶层。 在胶层上形成第二金属层以填充沟槽。 部分去除第二金属层，胶层，第一金属层和阻挡层，以露出介质层。 因此在沟槽中形成接合焊盘结构。 焊盘结构包括第一金属焊盘和第二金属焊盘。

公开(公告)号：US06218284B1

公开(公告)日：2001-04-17

申请号：US09241841

申请日：1999-02-01

申请人： Chih-Chien Liu ,  Cheng-Yuan Tsai ,  Wen-Yi Hsieh ,  Water Lur

发明人： Chih-Chien Liu ,  Cheng-Yuan Tsai ,  Wen-Yi Hsieh ,  Water Lur

IPC分类号： H01L2176

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76837

摘要： A method for forming an inter-metal dielectric layer without voids therein is described. Wiring lines are formed on a provided substrate. Each of the wiring lines comprises a protective layer thereon. A liner layer is formed over the substrate and over the wiring lines. A fluorinated silicate glass (FSG) layer is formed on the liner layer by using high density plasma chemical vapor deposition (HDPCVD). A thickness of the FSG layer is about 0.9-1 times a thickness of the wiring lines. A cap layer is formed on the FSG layer using HDPCVD. A thickness of the cap layer is about 0.2-0.3 times a thickness of the wiring lines. An oxide layer is formed on the cap layer to achieve a predetermined thickness. A part of the dielectric layer is removed to obtain a planarized surface.

摘要翻译： 描述了一种在没有空隙的情况下形成金属间介电层的方法。 在所提供的基板上形成接线。 每条布线包括其上的保护层。 在衬底上方和衬底上形成衬里层。 通过使用高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）在衬层上形成氟化硅酸盐玻璃（FSG）层。 FSG层的厚度约为布线厚度的0.9-1倍。 使用HDPCVD在FSG层上形成覆盖层。 盖层的厚度为布线的厚度的约0.2-0.3倍。 在盖层上形成氧化层以达到预定的厚度。 去除介电层的一部分以获得平坦化表面。

公开(公告)号：US6048796A

公开(公告)日：2000-04-11

申请号：US211891

申请日：1998-12-15

申请人： Kun-Chih Wang ,  Wen-Yi Hsieh ,  Yimin Huang ,  Chih-Chien Liu ,  Water Lur

发明人： Kun-Chih Wang ,  Wen-Yi Hsieh ,  Yimin Huang ,  Chih-Chien Liu ,  Water Lur

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/76829

摘要： A method is described for manufacturing a multilevel metal interconnects. The method comprises the steps of providing a substrate and then forming a wire on the substrate. A dielectric layer is formed on the substrate and the wire and a protective layer is formed on the dielectric layer. An opening is formed by patterning the protective layer and the dielectric layer and a barrier layer is formed on the protective layer and in the opening. A copper layer is formed on the barrier layer and fills the opening. A portion of the copper layer and the barrier layer are removed by chemical-mechanical polishing.

摘要翻译： 描述了一种用于制造多层金属互连的方法。 该方法包括以下步骤：提供衬底，然后在衬底上形成线。 在基板和导线上形成电介质层，在电介质层上形成保护层。 通过图案化保护层和电介质层形成开口，并且在保护层和开口中形成阻挡层。 在阻挡层上形成铜层并填充开口。 通过化学机械抛光去除铜层和阻挡层的一部分。

公开(公告)号：US6001746A

公开(公告)日：1999-12-14

申请号：US314928

申请日：1999-05-20

申请人： Cheng-Yuan Tsai ,  Chih-Chien Liu ,  Wen-Yi Hsieh ,  Water Lur

发明人： Cheng-Yuan Tsai ,  Chih-Chien Liu ,  Wen-Yi Hsieh ,  Water Lur

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

摘要： The present invention provides a method of forming an undoped silicate glass layer on a semiconductor wafer by performing a high density plasma chemical vapor deposition process. The semiconductor wafer being positioned in a deposition chamber. The method comprises forming the undoped silicate glass layer by performing the high density plasma chemical vapor deposition process in the deposition chamber under the following conditions: an argon (Ar) flow rate of 40 to 70 sccm (standard cubic centimeter per minute); an oxygen (O.sub.2) flow rate of 90 to 120 sccm; a silane flow rate of 70 to 100 sccm; a gas pressure of 3 to 10 mtorr; a temperature of 300 to 400.degree. C.; and a low frequency power of 2500 to 3500 watts. Wherein the ratio of Ar to O.sub.2 is 0.53, and O.sub.2 to silane is 1.23.

摘要翻译： 本发明提供了通过进行高密度等离子体化学气相沉积工艺在半导体晶片上形成未掺杂的硅酸盐玻璃层的方法。 半导体晶片位于沉积室中。 该方法包括通过在以下条件下在沉积室中进行高密度等离子体化学气相沉积工艺来形成未掺杂的硅酸盐玻璃层：氩（Ar）流速为40至70sccm（标准立方厘米每分钟）; 氧气（O 2）流量为90至120sccm; 硅烷流量为70〜100sccm; 气体压力为3至10毫托; 温度为300〜400℃。 和2500至3500瓦的低频功率。 其中Ar与O 2的比例为0.53，O 2与硅烷的比例为1.23。

公开(公告)号：US08434949B2

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US12892952

申请日：2010-09-29

申请人： Chun-Hsiung Wang ,  Wen-Yi Hsieh ,  Yen-Chih Chang ,  Ming-Lun Szu ,  Chien-Hung Lee

发明人： Chun-Hsiung Wang ,  Wen-Yi Hsieh ,  Yen-Chih Chang ,  Ming-Lun Szu ,  Chien-Hung Lee

IPC分类号： G02B6/38

CPC分类号： G02B6/32 ,  G02B6/3853 ,  G02B6/3865 ,  G02B6/3882 ,  G02B6/3885

摘要： An optical fiber connector includes a pair of optical fibers and a seat defining a pair of lenses at a front edge thereof and passageways aligned with the lenses respectively and receiving the optical fibers. The seat defines a pair of first apertures at a first surface thereof communicating with the passageways, and a pair of second aperture at a second surface thereof opposite to the first surface communicating with the passageways. Rear insides of the first apertures are aligned with front insides of the second apertures.

摘要翻译： 光纤连接器包括一对光纤和在其前边缘处限定一对透镜的座，并且分别与透镜对准并接收光纤。 座位在其与通道连通的第一表面处限定一对第一孔，以及在与通道连通的与第一表面相对的第二表面处的一对第二孔。 第一孔的后内侧与第二孔的前内侧对准。

公开(公告)号：US08342870B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US13045546

申请日：2011-03-11

申请人： Wen-Yi Hsieh ,  Ke-Hao Chen

发明人： Wen-Yi Hsieh ,  Ke-Hao Chen

IPC分类号： H01R13/62

CPC分类号： G01R1/0458

摘要： A socket connector (100) comprises a socket body (5), a plurality of contacts (3) received in the socket body (5), a lid (1) movably mounted on the socket body (5) and moving up and down along a vertical direction, a moving plate (4) movably mounted upon the socket body (5) and moving along a horizontal direction and an operating lever (2) located between the lid (1) and the moving plate (4), the operating lever (2) comprises a press member (22), the press member (22) presses on the top surface of the moving plate (4) to prevent the floating of the moving plate (4) in the vertical direction.

摘要翻译： 插座连接器（100）包括插座主体（5），容纳在插座主体（5）中的多个触点（3），可移动地安装在插座主体（5）上并沿着 垂直方向，可移动地安装在插座主体（5）上并沿着水平方向移动的移动板（4）和位于盖（1）和移动板（4）之间的操作杆（2） （2）包括按压构件（22），所述按压构件（22）压在所述移动板（4）的顶表面上，以防止所述移动板（4）在垂直方向上浮动。

公开(公告)号：US08094493B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US11271300

申请日：2005-11-10

申请人： Wen-Yi Hsieh ,  Ken-Hui Chen ,  Chun-Hsiung Hung ,  Han-Sung Chen ,  Nai-Ping Kuo ,  Ching-Chung Lin ,  Chuan-Ying Yu

发明人： Wen-Yi Hsieh ,  Ken-Hui Chen ,  Chun-Hsiung Hung ,  Han-Sung Chen ,  Nai-Ping Kuo ,  Ching-Chung Lin ,  Chuan-Ying Yu

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C7/02

CPC分类号： G11C16/28 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0475 ,  G11C29/028 ,  G11C29/24 ,  G11C29/50004 ,  G11C2211/5634

摘要： A memory device is disclosed that includes a plurality of word lines and a plurality of memory cells operating in one of a plurality of modes and coupled to at least one of the word lines. The memory device also includes a plurality of reference lines and reference cells. Each reference cell corresponds to one of the operating modes, supplies a reference current for the corresponding mode, and is coupled to at least one of the reference lines. A reference cell current from a reference cell can also be compared to a target range and, if outside the target range, the voltage level on a corresponding reference line can be adjusted accordingly such that the reference current falls within the target range (i.e., reference current trimming).

摘要翻译： 公开了一种存储器件，其包括多个字线和以多个模式之一工作并耦合到至少一个字线的多个存储单元。 存储装置还包括多个参考线和参考单元。 每个参考单元对应于一个操作模式，为相应模式提供参考电流，并耦合到至少一个参考线。 来自参考单元的参考单元电流也可以与目标范围进行比较，并且如果在目标范围之外，可以相应地调整相应参考线上的电压电平，使得参考电流落在目标范围内（即，参考 当前修剪）。

公开(公告)号：US07841864B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US12538883

申请日：2009-08-11

申请人： Shih-Wei Hsiao ,  Wen-Yi Hsieh

发明人： Shih-Wei Hsiao ,  Wen-Yi Hsieh

IPC分类号： H01R12/00

CPC分类号： H01R13/2421

摘要： An electrical connector (100) includes an insulative housing (2) defining a plurality of passageways (21) and a plurality of contacts (1) received in corresponding passageways. Each contact includes a moveable part (10) forming a pair of guiding beams (105), an immoveable part (20) coupled with the moveable part and a biasing device (30) constantly urging the moveable part away from immoveable part. The immoveable part includes a pair of posts (205) and defines a pair of guiding slots (207). The guiding beams are received in the guiding slots and are capable of moving with regard to the immovable part along opposite surfaces of the immoveable part. The guiding beams and the posts are decussated to surround the biasing device for preventing the biasing device from disengaging therefrom.

摘要翻译： 电连接器（100）包括限定多个通道（21）的绝缘外壳（2）和容纳在相应通道中的多个触点（1）。 每个触点包括形成一对引导梁（105）的可移动部分（10），与可移动部分联接的不可移动部分（20）和不断地将可移动部分推离远离不可移动部分的偏置装置（30）。 不可移动部分包括一对柱（205）并且限定一对引导槽（207）。 引导梁被容纳在引导槽中并且能够相对于不可移动部分的相对表面相对于不可移动部分移动。 引导梁和柱被折叠以围绕偏置装置，以防止偏置装置与其分离。