公开(公告)号：US4703019A

公开(公告)日：1987-10-27

申请号：US861269

申请日：1986-05-09

申请人： Yoshihiro Abe ,  Hideo Hosono

发明人： Yoshihiro Abe ,  Hideo Hosono

IPC分类号： C03C3/062 ,  C03C3/064 ,  C03C3/145 ,  C03C3/17 ,  C03C3/253 ,  C03C4/00 ,  C03C4/02 ,  C03C4/04 ,  C03C11/00

CPC分类号： C03C11/007 ,  C03C11/00 ,  C03C3/062 ,  C03C3/145 ,  C03C3/17 ,  C03C3/253 ,  C03C4/005 ,  C03C4/04

摘要： The invention relates to a photosensitive and heat-sensitive glass which is composed of 25-70 mol % of Al.sub.2 O.sub.3 and/or Ga.sub.2 O.sub.3, 30-75 mol % of at least one of CaO, BaO, SrO and MgO and 0-40 mol % of an auxiliary component which is at least one of SiO.sub.2, GeO.sub.2, B.sub.2 O.sub.3 and P.sub.2 O.sub.5. The glass is produced by melting a batch mixture of powdery raw materials. By exposure to UV rays the glass colors in yellowish brown, and the color does not fade by termination of the exposure. Bleaching of the colored glass is accomplished by heating for a short time at about 150.degree.-300.degree. C. Coloration and bleaching can be repeated without deterioration. The same glass turns into an opaline foam glass, which presents a very attractive appearance, by heat treatment at a temperature above the softening temperature. This change is irreversible. The foams created in the glass matrix are usually tens of microns in diameter.

摘要翻译： 本发明涉及一种感光和热敏玻璃，其由25-70mol％的Al2O3和/或Ga2O3，30-75mol％的CaO，BaO，SrO和MgO中的至少一种和0-40mol％ 的SiO 2，GeO 2，B 2 O 3和P 2 O 5中的至少一种的辅助成分。 玻璃是通过熔化粉末状原料的批料混合而制成的。 通过暴露于紫外线，玻璃颜色呈黄棕色，并且颜色不会通过曝光终止而褪色。 有色玻璃的漂白通过在约150-300℃下加热短时间来实现。可以重复着色和漂白而不变质。 相同的玻璃变成蛋白质泡沫玻璃，通过在高于软化温度的温度下进行热处理，呈现出非常有吸引力的外观。 这种变化是不可逆转的。 在玻璃基质中产生的泡沫通常直径为几十微米。

公开(公告)号：US5266557A

公开(公告)日：1993-11-30

申请号：US798246

申请日：1991-11-26

申请人： Yoshihiro Abe ,  Hideo Hosono ,  Takeshi Akamatsu

发明人： Yoshihiro Abe ,  Hideo Hosono ,  Takeshi Akamatsu

IPC分类号： B28B21/36 ,  C01G1/00 ,  C01G29/00 ,  C04B35/45 ,  C04B35/653 ,  H01B12/00 ,  H01B12/12 ,  H01B13/00 ,  H01L39/24 ,  H01L39/12

CPC分类号： C04B35/45 ,  C04B35/653 ,  H01L39/248 ,  Y10S505/739

摘要： A method of fabricating a superconducting ceramic pipe including the steps of: melting a ceramic powder having a predetermined composition to form a melt; filling a supporting tube with the melt by a suction caused by a vacuum pressure; partially solidifying an outer part of the melt near the tube to form a shell (i.e., a ceramic pipe); discharging an inner unsolidified part at the center of the tube from the tube by gravity, to form a solidified ceramic pipe on the inside surface of the tube; and heat treating the ceramic pipe to convert it into a superconducting pipe. When a supporting tube with a bottom plate is used, the melt is poured into the tube, and the tube is turned over to remove an unsolidified melt, whereby a superconducting ceramic pipe with a bottom is fabricated.

摘要翻译： 一种制造超导陶瓷管的方法，包括以下步骤：熔化具有预定组成的陶瓷粉末以形成熔体; 通过由真空压力引起的吸力用熔体填充支撑管; 部分地固化管附近的熔体的外部部分以形成壳体（即陶瓷管）; 通过重力将管的中心的内部未固化部分从管排出，在管的内表面上形成凝固的陶瓷管; 并对陶瓷管进行热处理以将其转换成超导管。 当使用具有底板的支撑管时，将熔体倒入管中，并将管翻转以除去未固化的熔体，由此制造具有底部的超导陶瓷管。

公开(公告)号：US09605357B2

公开(公告)日：2017-03-28

申请号：US14343719

申请日：2012-03-09

申请人： Tomofumi Susaki ,  Hideo Hosono ,  Tadahiro Fujihashi ,  Yoshitake Toda

发明人： Tomofumi Susaki ,  Hideo Hosono ,  Tadahiro Fujihashi ,  Yoshitake Toda

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B23/06 ,  B01D53/02 ,  C30B29/16 ,  B01J20/04 ,  B01J20/32

CPC分类号： C30B23/066 ,  B01D53/02 ,  B01D2253/1124 ,  B01D2253/25 ,  B01D2257/504 ,  B01J20/041 ,  B01J20/3204 ,  B01J20/3236 ,  C30B23/025 ,  C30B29/16 ,  Y02C10/08

摘要： A method for depositing a magnesium oxide thin film on a substrate by a laser abrasion method using a sintered body or single crystal of magnesium oxide as a target. In this method, a flat processed film made of magnesium oxide having a (111) plane as its front surface is prepared, using a substrate made of strontium titanate having a (111) plane as its principal surface or yttria-stabilized zirconia having a (111) plane as its principal surface, by directly depositing a film on the principal surface of the substrate and epitaxially growing the film.

公开(公告)号：US09048380B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US11667753

申请日：2005-11-15

申请人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ohta ,  Kunihito Koumoto

发明人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ohta ,  Kunihito Koumoto

IPC分类号： H01L35/00 ,  H01L35/22 ,  H01L35/34

CPC分类号： H01L35/22 ,  H01L35/34

摘要： A thermoelectric conversion material having a novel composition is provided. The thermoelectric conversion material comprises a first dielectric material layer, a second dielectric material layer, and an electron localization layer that is present between the first dielectric material layer and the second dielectric material layer and that has a thickness of 1 nm.

摘要翻译： 提供具有新型组成的热电转换材料。 热电转换材料包括第一电介质材料层，第二电介质材料层和存在于第一电介质材料层和第二电介质材料层之间且厚度为1nm的电子定位层。

公开(公告)号：US08420236B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US11909020

申请日：2006-08-01

申请人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hidenori Hiramatsu ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi ,  Eiji Motomitsu

发明人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hidenori Hiramatsu ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi ,  Eiji Motomitsu

IPC分类号： B32B15/04

CPC分类号： H01F10/193 ,  C01G45/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/42 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/407 ,  Y10T428/325

摘要： A magnetic semiconductor material contains at least one type of transition metals (Mn2+, Fe3+, Ru3+, Re2+, and Os3+) having five electrons in the d atomic orbital as a magnetic ion, in which the magnetic semiconductor material exhibits n-type electrical conduction by injection of an electron carrier and p-type electric conduction by injection of a hole carrier. A specific example is a layered oxy-pnictide compound represented by LnMnOPn (wherein Ln is at least one type selected from Y and rare earth elements of La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu, and Pn is at least one selected from pnicogen elements of N, P, As, Bi, and Sb). A high-sensitivity magnetic sensor, current sensor, or memory device can be made by using a magnetic pn homojunction structure made of thin films composed of the magnetic semiconductor material.

摘要翻译： 磁性半导体材料在d原子轨道中含有至少一种在d原子轨道中具有五个电子的过渡金属（Mn2 +，Fe3 +，Ru3 +，Re2 +和Os3 +）作为磁性离子，其中磁性半导体材料表现出n型导电 注入电子载体和p型导电注入孔载体。 具体实例是由LnMnOPn（其中Ln是选自Y中的至少一种和La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er的稀土元素中的至少一种类型的层状氧基化合物） ，Tm，Yb和Lu，Pn为选自N，P，As，Bi和Sb中的至少一种元素）。 可以通过使用由磁性半导体材料构成的薄膜制成的磁性pn均质结构来制造高灵敏度的磁传感器，电流传感器或存储器件。

公开(公告)号：US08203146B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12882404

申请日：2010-09-15

申请人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Semiconductor devices and circuits with use of transparent oxide film are provided. The semiconductor device having a P-type region and an N-type region, wherein amorphous oxides with electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used for the N-type region.

摘要翻译： 提供了使用透明氧化膜的半导体器件和电路。 具有P型区域和N型区域的半导体器件，其中电子载流子浓度小于1018 / cm3的非晶形氧化物用于N型区域。

公开(公告)号：US20120012838A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13243244

申请日：2011-09-23

申请人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ota ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ota ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/26

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： A switching element of LCDs or organic EL displays which uses a thin film transistor device, includes: a drain electrode, a source electrode, a channel layer contacting the drain electrode and the source electrode, wherein the channel layer comprises indium-gallium-zinc oxide having a transparent, amorphous state of a composition equivalent to InGaO3(ZnO)m (wherein m is a natural number less than 6) in a crystallized state, and the channel layer has a semi-insulating property represented by an electron mobility of more than 1 cm2/(V·sec) and an electron carrier concentration is less than 1018/cm3, a gate electrode, and a gate insulating film positioned between the gate electrode and the channel layer.

摘要翻译： 使用薄膜晶体管器件的LCD或有机EL显示器的开关元件包括：漏电极，源电极，与漏电极和源电极接触的沟道层，其中沟道层包括铟镓锌氧化物 具有在结晶化状态下等价于InGaO 3（ZnO）m（其中m为小于6的自然数）的组成的透明非晶状态，并且沟道层具有以电子迁移率表示的半绝缘性 1cm 2 /（V·sec），电子载流子浓度小于1018 / cm3，栅电极和栅极绝缘膜位于栅电极和沟道层之间。

公开(公告)号：US07892458B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US12094936

申请日：2006-11-17

申请人： Hideo Hosono ,  Sungwng Kim ,  Katsurou Hayashi ,  Masashi Miyakawa ,  Satoru Matsuishi ,  Toshio Kamiya ,  Masahiro Hirano ,  Yoshitake Toda

发明人： Hideo Hosono ,  Sungwng Kim ,  Katsurou Hayashi ,  Masashi Miyakawa ,  Satoru Matsuishi ,  Toshio Kamiya ,  Masahiro Hirano ,  Yoshitake Toda

IPC分类号： H01B1/08

CPC分类号： H01B1/08 ,  C01F7/164 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/44 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/664 ,  C30B13/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/22 ,  C30B33/02

摘要： In an electride C12A7 provided by replacing free oxygen in 12CaO.7Al2O3 with electrons, a material having metallic electroconductivity and an electric conductivity of more than 5×102 S/cm at room temperature could not have been produced without difficulties. An electride 12CaO.7Al2O3, which has metallic electroconductivity and has an electric conductivity of more than 5×102 S/cm at room temperature, can be produced by heat-treating titanium metal vapor and 12CaO.7Al2O3 single crystal, sinter, or thin film at a temperature above 600° C. and below 1,450° C. for less than 240 hours. Further, thermoelectric field electron release can also be realized using an electron release chip fabricated from the electride.

摘要翻译： 在12Ca0.7Al2O3中用电子代替游离氧提供的电化学C12A7中，在室温下具有金属导电性和电导率大于5×102S / cm的材料不能没有困难地产生。 通过热处理钛金属蒸气和12CaO.7Al2O3单晶，烧结体或薄膜，可以制备具有金属导电性并且室温下电导率大于5×102S / cm的电化学12CaO.7Al2O3 温度高于600℃，低于1450℃，时间不超过240小时。 此外，还可以使用由电极制造的电子释放芯片来实现热电场电子释放。

公开(公告)号：US20110012107A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12882647

申请日：2010-09-15

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

摘要翻译： 提供了一种采用无定形氧化物的新型场效应晶体管。 在本发明的一个实施例中，晶体管包括含有浓度小于1×10-18 / cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层由与非晶氧化物接触的第一层 以及与第一层不同的第二层。

公开(公告)号：US07872259B2

公开(公告)日：2011-01-18

申请号：US11269768

申请日：2005-11-09

申请人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G03G5/08 ,  G03G5/144 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693 ,  H01L2251/5315

摘要： An object of the present invention is to provide a new light-emitting device with the use of an amorphous oxide. The light-emitting device has a light-emitting layer existing between first and second electrodes and a field effect transistor, of which the active layer is an amorphous.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种使用无定形氧化物的新的发光装置。 发光器件具有存在于第一和第二电极之间的发光层和场效应晶体管，其中有源层是无定形的。