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    セラミック基板およびその製造方法
    31.
    发明申请
    セラミック基板およびその製造方法 审中-公开
    陶瓷基板及其制造方法

    公开(公告)号：WO2012108229A1

    公开(公告)日：2012-08-16

    申请号：PCT/JP2012/050774

    申请日：2012-01-17

    Applicant: 株式会社村田製作所 ,  飯田 裕一 ,  川田 秋一

    Inventor： 飯田　裕一 ,  川田　秋一

    IPC: H05K1/02 ,  H05K3/00

    CPC classification number: H05K3/0052 ,  H05K1/141 ,  H05K1/181 ,  H05K3/0029 ,  H05K2201/0909

    Abstract: 　焼成工程を経て製造されたセラミック集合基板を、焼成工程の後に形成されたブレイク溝に沿って分割することによって得られる、セラミック基板の、落下衝撃に対する耐性を向上させる。　焼成後のセラミック集合基板にブレイク溝を形成するにあたって、セラミック基板（１）の実装面（２）とは逆の主面（３）となるべき主面にブレイク溝を形成し、ブレイク溝の片割れであるブレイク溝面（１４）が実装面（２）とは逆の主面（３）側の周縁部に形成されるようにする。これによって、マイクロクラックを生じさせ得るブレイク溝が実装面（２）とは逆の主面（３）側に形成されるので、落下衝撃をより大きく受ける実装面（２）側ではマイクロクラックをあまり存在させないようにすることができ、よって、落下衝撃に対する耐性を向上させることができる。

    Abstract translation: 该陶瓷基板具有提高的耐滴落冲击的耐受性，所述陶瓷基板通过沿着烧成工序后形成的断裂槽分割通过进行烧成工序而制造的陶瓷集合基板而得到。 在烧成后的陶瓷集合基板中形成断裂槽的时刻，在作为陶瓷基板（1）的主面（3）的主面上形成断裂槽，所述主表面位于陶瓷基板 表面（2）和断裂槽表面（14），即每个断裂槽的一半部分形成在主表面（3）侧的作为安装表面的相反侧的圆周部分上 （2）。 因此，由于在主面（3）侧即安装面（2）的背面形成有可能产生微裂纹的断裂槽，所以在安装面（2）侧产生少量的微裂纹 其中接收到较大的跌落冲击，从而提高对跌落冲击的容忍度。

    セラミックス集合基板とその製造方法及びセラミックス基板並びにセラミックス回路基板
    33.
    发明申请
    セラミックス集合基板とその製造方法及びセラミックス基板並びにセラミックス回路基板 审中-公开
    集体陶瓷基板，基板，陶瓷基板和陶瓷电路基板的制造方法

    公开(公告)号：WO2009154295A1

    公开(公告)日：2009-12-23

    申请号：PCT/JP2009/061342

    申请日：2009-06-22

    Applicant: 日立金属株式会社 ,  手島 博幸 ,  渡辺 純一 ,  和井 伸一 ,  佐々木 淳 ,  水野 晶仁

    Inventor： 手島　博幸 ,  渡辺　純一 ,  和井　伸一 ,  佐々木　淳 ,  水野　晶仁

    IPC: H05K1/02 ,  B23K26/00 ,  H01L23/12 ,  H05K3/00 ,  B23K101/42

    CPC classification number: H05K1/0306 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/52 ,  H01L21/481 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/0029 ,  H05K3/0052 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/0909 ,  Y10T428/24479 ,  H01L2924/00

    Abstract: 　分割時には良好に分割できるが非分割時には不用意に分割され難いという分割性を有するセラミックス集合基板と、寸法精度と曲げ強度に優れたセラミックス基板及び絶縁耐圧性に優れたセラミックス回路基板を提供する。セラミックス焼結基板の片面または両面に、回路基板を多数個取りするための分割用の連続溝がレーザ加工により設けられたセラミックス集合基板であって、少なくともその一つの連続溝は、溝の長さ方向にある最大深さ部と最小深さ部との溝深さ差Δｄが１０μｍ≦Δｄ≦５０μｍであるセラミックス集合基板。また、例えば前記セラミックス集合基板から分割されたセラミックス基板であって、少なくともその一つの側面は前記連続溝に沿って分割されて形成された面であり、該側面の算術平均粗さＲａにおいて、前記連続溝加工部表面の算術平均粗さＲａ２の方が破断部表面の表面粗さ算術平均粗さＲａ１よりも小さいセラミックス基板である。

    Abstract translation: 提供了一种具有可分割性的集体陶瓷基板，其中基板可以在预期时被良好地分割，并且在不期望的情况下不容易被错误地划分。 还提供了尺寸精度和弯曲强度优异的陶瓷基板和介电强度优异的陶瓷电路基板。 集体陶瓷基板通过激光束加工操作在烧结的陶瓷基板的一个或两个面中设置有用于分割多个电路基板的连续凹槽。 集合陶瓷基板的至少一个连续槽在最深部分和最浅部分之间具有在槽的纵向方向上取的凹槽深度差（Δd）为10μm=Δd=50μm。 在从集体陶瓷基板分割的陶瓷基板中，例如，通过沿着连续的槽分割至少一个侧面而形成至少一个侧面。 在侧面的算术平均粗糙度（Ra）中，连续槽加工面的算术平均粗糙度（Ra2）小于断裂面的算术平均表面粗糙度（Ra1）。

    穴あけ加工方法、基板の製造方法、および電子部品の製造方法
    36.
    发明申请
    穴あけ加工方法、基板の製造方法、および電子部品の製造方法 审中-公开
    镗孔方法，基体的生产方法和电子部件的制造方法

    公开(公告)号：WO2008004307A1

    公开(公告)日：2008-01-10

    申请号：PCT/JP2006/313600

    申请日：2006-07-07

    Applicant: 富士通株式会社 ,  十倉 史彦

    Inventor： 十倉 史彦

    IPC: B23K26/38 ,  B23K26/42 ,  B28D5/00

    CPC classification number: B23K26/382 ,  B23K26/40 ,  B23K26/702 ,  B23K2203/50 ,  H05K3/0029 ,  H05K2203/1383

    Abstract: 　本発明は、光ビームを照射することにより加工対象物に穴あけ加工を施す穴あけ加工方法であり、介在物質を介在させて加工対象物にダミー板を重ね合わせる重ね合わせ過程と、ダミー板が重ね合わされた後の加工対象物に穴あけ加工用の光ビームを照射するビーム照射過程と、光ビームが照射された後の加工対象物からダミー板および介在物質を除去する除去過程とを備える。穴周辺の欠けや剥離を加工対象物ではなくダミー板で発生させることができるうえ、介在物質によってダミー板と加工対象物との溶着が回避されるため、ダミー板を除去する際に加工対象物の穴の形状が損なわれてしまう不具合も防止することができる。

    Abstract translation: 通过用光束照射工件来镗孔的方法包括通过介入材料将伪板叠加在工件上的步骤，用于将用于镗孔的光束照射在其上叠加有虚拟板的工件的步骤，以及 从用光束照射的工件中去除伪板和插入材料的步骤。 由于在工件附近不会发生在孔附近的碎裂和剥落，而是发生在虚设板中，并且可以通过插入材料避免虚设板和工件的焊接，因此可以防止轮廓 当去除虚拟板时，工件中的孔被损坏。

    多層セラミック電子部品、多層セラミック基板、および多層セラミック電子部品の製造方法
    37.
    发明申请
    多層セラミック電子部品、多層セラミック基板、および多層セラミック電子部品の製造方法 审中-公开
    多层陶瓷电子元件，多层陶瓷基板及制造多层陶瓷电子元件的方法

    公开(公告)号：WO2007094123A1

    公开(公告)日：2007-08-23

    申请号：PCT/JP2006/325805

    申请日：2006-12-25

    Applicant: 株式会社村田製作所 ,  野宮 正人 ,  酒井 範夫 ,  西出 充良

    Inventor： 野宮 正人 ,  酒井 範夫 ,  西出 充良

    IPC: H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H05K3/46

    CPC classification number: H05K1/181 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49822 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/113 ,  H05K3/0029 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4694 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/09045 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10674 ,  Y02P70/611 ,  Y10T428/24926 ,  H01L2224/0401

    Abstract: 　耐衝撃性や、小型化対応性に優れ、かつ、寸法精度が良好で、信頼性の高い多層セラミック電子部品、多層セラミック基板、および多層セラミック電子部品の製造方法を提供する。 　セラミック基材層と、収縮抑制層とを積層することにより形成され、所定の導体パターンを有する多層セラミック素体４の第１主面１４の一部領域に、非金属無機粉末と樹脂を含み、樹脂により該第１主面１４に固着された台座部１１を設けるとともに、一方側端面が台座部１１の表面に露出するように台座部１１にビアホール導体１７を配設し、台座部１１の表面に露出したビアホール導体１７の一方側端面１７ａに、導電性接合材を介して半導体素子１３などの表面実装型電子部品を接合する。 　表面実装型電子部品と台座部との間に、台座部における樹脂と同組成の樹脂が充填された構造とする。 　台座部に表面実装型電子部品として半導体素子を搭載する。

    Abstract translation: 本发明提供一种多层陶瓷电子元件，其具有优异的抗冲击性和满足尺寸减小要求的能力，同时具有良好的尺寸精度和高可靠性，并且多层陶瓷基板和制造方法 多层陶瓷电子元件。 在多层陶瓷元件组件（4）中的第一主平面（14）的局部区域中，包括陶瓷基材层和堆叠在彼此顶部并具有预定导体图案的收缩抑制层，座部（11） ），其包含非金属无机粉末和树脂，并借助于树脂固定在第一主平面（14）上。 此外，在座部（11）中设置通孔导体（17），使得一个侧端面暴露在座部（11）的表面上。 诸如半导体元件（13）的表面安装型电子部件通过导电接合材料连接到暴露在座部（11）的表面上的通孔导体（17）中的一个侧端面（17a）。 采用了一种结构，其中具有与在座部件中使用的树脂相同组成的树脂已被填充到表面安装型电子部件和就座部之间。 半导体元件作为表面安装型电子部件安装在座部。

    多層セラミック基板の内蔵コンデンサの容量値調整方法、ならびに多層セラミック基板およびその製造方法
    38.
    发明申请
    多層セラミック基板の内蔵コンデンサの容量値調整方法、ならびに多層セラミック基板およびその製造方法 审中-公开
    用于调节多层陶瓷基板中的内置电容器的电容值的方法和多层陶瓷基板及其制造方法

    公开(公告)号：WO2007086184A1

    公开(公告)日：2007-08-02

    申请号：PCT/JP2006/323149

    申请日：2006-11-21

    Applicant: 株式会社村田製作所 ,  大賀 聡 ,  杉本 安隆

    Inventor： 大賀 聡 ,  杉本 安隆

    IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

    CPC classification number: H01G4/105 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/162 ,  H05K3/0029 ,  H05K2201/017 ,  H05K2203/171 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49004

    Abstract: 　多層セラミック基板において、コンデンサ電極間の絶縁抵抗値やコンデンサのＱ値を大きく変化させることなく、内蔵コンデンサの容量値を精度良くレーザートリミングできる方法を提供する。 　複数のセラミック層（３～５）を積層してなるセラミック積層体（６）内に、第１コンデンサ電極（７）、第２コンデンサ電極（８）および誘電体ガラスセラミック層（４）で形成された内蔵コンデンサ（２）を有する多層セラミック基板（１）について、内蔵コンデンサ（２）の容量値を、第１コンデンサ電極（７）のレーザートリミングによって調整する。この場合、誘電体ガラスセラミック層（４）を、ＴｉＯ ２ を含む誘電体グレインの含有割合が１０～３５体積％である、ＴｉＯ ２ 系誘電体ガラスセラミック層から構成する。

    Abstract translation: 本发明提供一种在多层陶瓷基板中能够以高精度实现内置电容器的电容值的激光微调，而不会使电容器电极之间的绝缘电阻值与电容器的Q值发生显着变化的方法。 在包括层叠在彼此顶部的多个陶瓷层（3〜5层）和内置电容器（2）的陶瓷层叠体（6）的多层陶瓷基板（1）中，形成有第一电容电极（ 7），设置在陶瓷层叠体（6）内的第二电容电极（8）和电介质玻璃陶瓷层（4），内置电容器（2）的电容值通过第一 电容电极（7）。 在这种情况下，电介质玻璃陶瓷层（4）由具有TiO 2的电介质晶粒含量为10〜20的基于TiO 2的电介质玻璃陶瓷层形成 35％（体积）。

    脆性材料基板の分断方法および基板分断システム
    40.
    发明申请
    脆性材料基板の分断方法および基板分断システム 审中-公开
    切割材料基材和基材切割系统的方法

    公开(公告)号：WO2006070825A1

    公开(公告)日：2006-07-06

    申请号：PCT/JP2005/023940

    申请日：2005-12-27

    Applicant: 三星ダイヤモンド工業株式会社 ,  上野 勉 ,  音田 健司 ,  山本 幸司

    Inventor： 上野 勉 ,  音田 健司 ,  山本 幸司

    IPC: B28D5/00 ,  B23K26/00 ,  B23K26/08 ,  C03B33/037 ,  C03B33/09 ,  H01L21/301

    CPC classification number: H05K3/0052 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/50 ,  B28D5/0011 ,  B65G2249/04 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/033 ,  C03B33/091 ,  C03B33/093 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67282 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0029 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/0909 ,  H05K2203/302 ,  Y02P40/57

    Abstract: 　脆性材料基板に欠け等の損傷を発生させずに、良好な基板分断面が得られる分断方法を提供する。（ａ）第１方向スクライブラインを形成する際に、第１方向スクライブライン近傍において局所的に体積収縮を生じさせそれによって前記部位に引張応力を発生させるようにレーザビームの相対移動速度及び／又は出力を調整してスクライブを行う第１方向スクライブ工程、（ｂ）第２方向スクライブラインを形成する際に、第１方向スクライブライン近傍に生じた引張応力を利用して、第２方向のブレイクの際に起点となるブレイク用トリガクラックを、第１方向スクライブラインと第２方向スクライブラインとの交点近傍に局所的に形成する第２方向スクライブ工程、（ｃ）基板を第１方向に沿ってブレイクする第１方向ブレイク工程、（ｄ）第１方向ブレイク工程後に、基板を第２方向にブレイクする第２方向ブレイク工程を行い、ブレイク用トリガクラックを起点にブレイクを行う。

    Abstract translation: 可以提供优异的基板切割平面而不产生诸如在脆性材料基板上的碎裂的损伤的切割方法。 通过执行（a）在形成第一方向划线时相对于第一方向划线时相对于第一方向划线时的第一方向划线附近产生体积收缩的第一方向划片处理，相对移动速度和 /或者激光束的输出被调整以在该部分处产生拉伸应力，并进行划线; （b）第二方向划线工序，其中以第一方向划线和第二方向划线的交叉点在第二方向上断裂为起始点的断裂触发裂纹通过使用产生的拉伸应力局部形成 在形成第二方向划线时，在第一方向划线附近; （c）沿着第一方向断开基板的第一方向断裂处理; 以及（d）第二方向断开处理，用于在第一方向断开处理之后沿第二方向断开基板。

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