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    GENERATION OF HIGHLY N-TYPE, DEFECT PASSIVATED TRANSITION METAL OXIDES USING PLASMA FLUORINE INSERTION
    62.
    发明申请
    GENERATION OF HIGHLY N-TYPE, DEFECT PASSIVATED TRANSITION METAL OXIDES USING PLASMA FLUORINE INSERTION 审中-公开
    使用等离子体氟化物插入物生成高N型，缺陷钝化金属氧化物

    公开(公告)号：WO2012083220A2

    公开(公告)日：2012-06-21

    申请号：PCT/US2011065587

    申请日：2011-12-16

    申请人： UNIV CALIFORNIA ,  BAKER ROBERT L ,  SEO HYUNGTAK ,  HERVIER ANTOINE ,  SOMORJAI GABOR A

    发明人： BAKER ROBERT L ,  SEO HYUNGTAK ,  HERVIER ANTOINE ,  SOMORJAI GABOR A

    CPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/324 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

    摘要： A new composition of matter is disclosed wherein oxygen vacancies in a semiconducting transition metal oxide such as titanium dioxide are filled with a halogen such as Fluorine, whereby the conductivity of the composition is greatly enhanced, while at the same time the chemical stability of the composition is greatly improved. Stoichiometric titanium dioxide having less than 3% oxygen vacancies is subject to fluorine insertion such that oxygen vacancies are filled, limited amounts of fluorine replace additional oxygen atoms and fluorine interstitially inserts into the body of the Ti02 composition. A method is described for the preparation of this new composition of matter, in which (1) a layer of a transition metal oxide is first deposited upon a substrate, (2) the deposited layer is then subject to rapid thermal anneal in the presence of oxygen to increase the presence of oxygen in the as-deposited film, and thereafter (3) the film is exposed to a nitrogen plasma containing trace amounts of a halogen containing gas, the gas may include fluorine atoms to achieve fluorine insertion. A new composition of matter is disclosed for a doped metal oxide and a metal catalyst. A method is described for catalyzing a reaction utilizing a doped metal oxide and a metal catalyst. A catalytic solid state device comprising a doped metal oxide with a metal catalyst formed thereon for catalyzing a reaction.

    摘要翻译： 公开了一种新的物质组合物，其中半导体过渡金属氧化物如二氧化钛中的氧空位填充有诸如氟的卤素，由此组合物的导电性大大增强，同时组合物的化学稳定性 大大提高。 具有小于3％氧空位的化学计量二氧化钛经受氟插入，使得氧空位被填充，有限量的氟替代额外的氧原子和氟空间插入到TiO 2组合物的主体中。 描述了用于制备这种新的物质组合物的方法，其中（1）首先将一层过渡金属氧化物沉积在基底上，（2）然后在存在下沉积层进行快速热退火 氧以增加沉积膜中的氧气的存在，此后（3）将膜暴露于含有微量含卤素气体的氮等离子体中，气体可以包括氟原子以实现氟插入。 对于掺杂的金属氧化物和金属催化剂公开了一种新的物质组合物。 描述了一种利用掺杂金属氧化物和金属催化剂催化反应的方法。 一种催化固体装置，其包含掺杂的金属氧化物，其上形成有用于催化反应的金属催化剂。

    炭化珪素基板を有する複合基板
    63.
    发明申请
    炭化珪素基板を有する複合基板 审中-公开
    具有碳化硅基体的复合基板

    公开(公告)号：WO2012053252A1

    公开(公告)日：2012-04-26

    申请号：PCT/JP2011/063950

    申请日：2011-06-17

    申请人： 住友電気工業株式会社 ,  堀 勉 ,  原田 真 ,  井上 博揮 ,  佐々木 信 ,  伊藤 里美 ,  沖田 恭子 ,  並川 靖生

    发明人： 堀　勉 ,  原田　真 ,  井上　博揮 ,  佐々木　信 ,  伊藤　里美 ,  沖田　恭子 ,  並川　靖生

    IPC分类号： H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

    摘要： 　第１の炭化珪素基板（１１）は、支持部（３０）に接合された第１の裏面（Ｂ１）と、第１の裏面（Ｂ１）に対向する第１の表面（Ｔ１）と、第１の裏面（Ｂ１）および第１の表面（Ｔ１）をつなぐ第１の側面（Ｓ１）とを有する。第２の炭化珪素基板（１２）は、支持部（３０）に接合された第２の裏面（Ｂ２）と、第２の裏面（Ｂ２）に対向する第２の表面（Ｔ２）と、第２の裏面（Ｂ２）および第２の表面（Ｔ２）をつなぎ、第１の側面（Ｓ１）との間に隙間（ＧＰ）を形成する第２の側面（Ｓ２）とを有する。閉塞部（２１）は隙間（ＧＰ）を閉塞している。これにより、複合基板が有する複数の炭化珪素基板の間の隙間への異物の残留を防ぐことができる。

    摘要翻译： 第一碳化硅基板（11）具有接合到支撑部（30）的第一后表面（B1），与第一后表面（B1）相反一侧的第一前表面（T1），以及第一侧表面 （S1）与第一后表面（B1）和第一前表面（T1）连接。 第二碳化硅衬底（12）具有接合到支撑衬底（30）的第二后表面（B2），与第二后表面（B2）相对的一侧上的第二前表面（T2）和第二侧表面 （S2），其连接所述第二背面（B2）和所述第二前表面（T2），并在其与所述第一侧面（S1）之间形成间隙（GP）。 密封部分（21）封闭间隙（GP）。 因此，可以防止异物残留在复合基板的多个碳化硅基板之间的间隙中。

    SEMICONDUCTOR DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF
    66.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF 审中-公开
    半导体器件及其驱动方法

    公开(公告)号：WO2012029637A1

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：PCT/JP2011/069239

    申请日：2011-08-19

    申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. ,  NAGATSUKA, Shuhei ,  MATSUZAKI, Takanori ,  INOUE, Hiroki ,  KATO, Kiyoshi

    发明人： NAGATSUKA, Shuhei ,  MATSUZAKI, Takanori ,  INOUE, Hiroki ,  KATO, Kiyoshi

    IPC分类号： H01L27/105 ,  G11C11/402 ,  G11C11/407 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

    CPC分类号： G11C11/403 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

    摘要： The semiconductor device includes a memory cell including a first transistor including a first channel formation region, a first gate electrode, and first source and drain regions; a second transistor including a second channel formation region provided so as to overlap with at least part of either of the first source region or the first drain region, a second source electrode, a second drain electrode electrically connected to the first gate electrode, and a second gate electrode; and an insulating layer provided between the first transistor and the second transistor. In a period during which the second transistor needs in an off state, at least when a positive potential is supplied to the first source region or the first drain region, a negative potential is supplied to the second gate electrode.

    摘要翻译： 半导体器件包括存储单元，其包括第一晶体管，第一晶体管包括第一沟道形成区，第一栅电极以及第一源区和漏区; 第二晶体管，包括设置成与第一源极区域或第一漏极区域中的至少一部分重叠的第二沟道形成区域，第二源极电极，电连接到第一栅极电极的第二漏极电极，以及 第二栅电极; 以及设置在第一晶体管和第二晶体管之间的绝缘层。 在第二晶体管需要处于截止状态的期间中，至少当向第一源极区域或第一漏极区域提供正电位时，向第二栅电极提供负电位。

    酸化物焼結体及び酸化物半導体薄膜
    67.
    发明申请
    酸化物焼結体及び酸化物半導体薄膜 审中-公开
    氧化物烧结体和氧化物半导体薄膜

    公开(公告)号：WO2012029408A1

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：PCT/JP2011/065584

    申请日：2011-07-07

    申请人： JX日鉱日石金属株式会社 ,  高見 英生 ,  長田 幸三

    发明人： 高見　英生 ,  長田　幸三

    IPC分类号： C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/203 ,  H01L29/786

    CPC分类号： C23C14/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/04 ,  C04B35/117 ,  C04B35/26 ,  C04B35/457 ,  C04B35/46 ,  C04B35/462 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

    摘要： 　高価なガリウム（Ｇａ）、及び、膜の安定性に問題がある亜鉛（Ｚｎ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。インジウム（Ｉｎ）と、マグネシウム（Ｍｇ）と、金属元素Ｘ（但し、ＸはＡｌ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｔｉから選択される１種以上の元素を表す）と、酸素（Ｏ）とからなり、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、及び、金属元素Ｘの原子数比がそれぞれ、０．２≦［Ｉｎ］／［Ｉｎ＋Ｍｇ＋Ｘ］≦０．８、０．１≦［Ｍｇ］／［Ｉｎ＋Ｍｇ＋Ｘ］≦０．５、及び、０．１≦［Ｘ］／［Ｉｎ＋Ｍｇ＋Ｘ］≦０．５を満たす酸化物焼結体。

    摘要翻译： 本发明解决了提供一种氧化物烧结体的问题，该氧化物烧结体用于制造不含锌（Zn）的氧化物半导体薄膜，其干扰膜稳定性或昂贵的镓（Ga）。 本发明还涉及提供具有与氧化物烧结体相同组成的氧化物半导体薄膜的单独问题。 氧化物烧结体包括铟（In），镁（Mg）金属元素X（其中X表示选自Al，Fe，Sn和Ti中的至少一种元素）和氧（O），原子序数比 的铟（In），镁（Mg）和金属元素X满足0.2 = [In] / [In + Mg + X] = 0.8,0.1 = [Mg] / [In + Mg + X] = 0.5， 0.1 = [X] / [In + Mg + X] = 0.5。

    エピタキシャル膜形成方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置
    70.
    发明申请
    エピタキシャル膜形成方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置 审中-公开
    外延膜形成方法，真空处理装置，生产半导体发光元件的方法，半导体发光元件，照明装置

    公开(公告)号：WO2011136016A1

    公开(公告)日：2011-11-03

    申请号：PCT/JP2011/059070

    申请日：2011-04-12

    申请人： キヤノンアネルバ株式会社 ,  醍醐 佳明 ,  石橋 啓次

    发明人： 醍醐　佳明 ,  石橋　啓次

    IPC分类号： C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/683 ,  H01L33/32

    CPC分类号： H01L33/007 ,  C23C16/4586 ,  C30B23/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/18

    摘要： 本発明は、＋ｃ極性のＩＩＩ族窒化物半導体からなるエピタキシャル膜をスパッタリング法により作製することが可能なエピタキシャル膜形成方法、及びこのエピタキシャル膜形成方法に適した真空処理装置を提供する。本発明の一実施形態は、ヒーター（１０３）を用いて任意の温度に加熱されたα－Ａｌ ２ Ｏ ３ 基板（１０７）に対して、スパッタリング法によってＩＩＩ族窒化物半導体薄膜をエピタキシャル成長させる。まずは、α－Ａｌ ２ Ｏ ３ 基板（１０７）がヒーター（１０３）と所定の距離ｄ２だけ離れて配置されるように、α－Ａｌ ２ Ｏ ３ 基板（１０７）を、ヒーター（１０３）を有する基板ホルダー（９９）に配置する。次いで、α－Ａｌ ２ Ｏ ３ 基板（１０７）を、ヒーター（１０３）と所定の距離ｄ２だけ離れて配置した状態で、α－Ａｌ ２ Ｏ ３ 基板（１０７）上にＩＩＩ族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を形成する。

    摘要翻译： 提供一种外延膜形成方法，其可以通过溅射法由+ c极性的III族氮化物半导体制成外延膜，并且还提供了一种适于该外延膜形成方法的真空处理装置 。 例如，溅射法用于使用加热器（103）加热到任意温度的a-Al 2 O 3衬底（107）上的III族氮化物半导体薄膜的外延生长。 首先，将a-Al 2 O 3衬底（107）设置在包括加热器（103）的衬底保持器（99）上，使得a-Al 2 O 3衬底（107）以预定距离（d2）设置， 来自加热器（103）。 接着，在与加热器（103）隔开规定距离（d2）的a-Al 2 O 3衬底（107）上，在a-Al 2 O 3衬底（107）上形成III族氮化物半导体薄膜用外延膜。