Abstract:
The invention relates to an electronic sub-assembly comprising a carrier layer and a component region with at least one electronic component, the carrier layer having, at least in sections, a material with a low coefficient of thermal expansion to adapt the coefficient of thermal expansion of the carrier layer, and the carrier layer, in addition to the component region, having at least one compensation layer on which an electrically insulating, thermally conducting layer and at least one electrically conductive layer are provided.
Abstract:
Elektronisches Bauteil (36) mit mindestens einem in einer Schichtabfolge eingebetteten elektronischen Bauelement (14), wobei das elektronische Bauelement (14) in einer Ausnehmung einer elektrisch leitenden zentralen Schicht (16) angeordnet ist und beiderseits unmittelbar an jeweils eine Harzschicht (12, 20) anschließt.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anschlussvorrichtung (10) für einen Generator sowie einen Generator (G), insbesondere Solarmodul, mit einer derartigen Anschlussvorrichtung. Die Anschlussvorrichtung umfasst eine an dem Generator (G) zu befestigende Grundplatte (12) und einem auf der Grundplatte (12) abnehmbar angeordneten Anschlussgehäuse (20), das eine Anschlusselektronik beinhaltet, wobei zur Anbringung des Anschlussgehäuses (20) an der Grundplatte (12) eine Schienenanordnung (16, 22) vorgesehen ist. In Ausgestaltung kann das Anschlussgehäuse (20) in vollständig auf die Schienenanordnung (16) aufgebrachtem Zustand aufgrund der Ausgestaltung der Schienenanordnung (16) einen Abstand (d) zu der Grundplatte (12) aufweisen.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Leiterstrukturelements, mit folgenden Schritten: - Bereitstellen eines starren Trägers (12), - Galvanisches Abscheiden einer Kupferbeschichtung (14) auf dem starren Träger (12), - Aufbringen einer Leiterbildstruktur (16) auf die Kupferbeschichtung (14), gefolgt von eventueller Bauelementbestückung, - Laminieren des Trägers mit mindestens einer elektrisch isolierenden Lage (24, 28), - Ablösen des starren Trägers (12), - zumindest teilweises Entfernen der verbliebenen Kupferbeschichtung (14) des starren Trägers (12), derart dass eine Freilegung der Leiterbildstruktur (16, 14, 42) erfolgt.
Abstract:
The invention relates to a multilayer structure with a temperature control fluid channel (2), which is provided inside a temperature control fluid channel layer (1) on one side thereof or while passing therethrough. According to the invention, a multilayer channel covering (3a, 7, 8) is provided that, on a channel side that is open toward the main side of the temperature control fluid channel layer, seals the temperature control fluid channel from the outside and in a lateral direction in a fluid-impermeable manner. In addition or alternatively, a connection opening starting from a main side of the multilayer structure and extending up to the temperature control fluid channel is provided that serves to receive a connecting piece and hold this connecting piece on the opening edge area in a fluid-tight manner. The one or more adjacent layers, at least in one partial area facing the temperature control fluid channel and extending up to the fluid-tight junction for the connecting piece, is/are made of a fluid-impermeable material, covered therewith or is/are laterally delimited by such a material.
Abstract:
Es wird vorgeschlagen, eine Halberzeugnisleiterplatte zur Bildung einer einseitig oder beidseitig und in Zwischenlagen mit einem Leitermuster versehenen Mehrschicht-Leiterplatte, welche mit einer Spannungsquelle und/oder Stromquelle zu verbinden ist, in der Weise aufzubauen, dass eine isolierende Zwischenschicht (1), welche Oberseite und/oder Unterseite ein Leitermuster (6) trägt, und welche in von solchen Leitermustern freien Bereichen Ausschnitte (2) aufweist, mit den die Ausschnitte eingesetzten flächigen Batterie- oder Akkuelementen (3) versehen wird, deren Dicke nicht grösser als die Dicke der Zwischenschicht gewählt ist und welche in den Ausschnitten durch Fixierungsmittel fixiert werden. Von unten und von oben werden an die Zwischenschicht (1) Schichten mit aushärtendem Kunstharz angelegt und der so gebildete Schichtenverband wird mit aussenseitig aufgebrachten Leiterfolienbahnen versehen. Eine Mehrschicht-Leiterplatte kann aus einer derartigen Halberzeugnisleiterplatte durch Bilden von Leitermustern aus mindestens einer der aussenseitig angebrachten Leiterfolienbahnen erzeugt werden.
Abstract:
Leiterplatte (10, 10', 10'') mit mindestens einer isolierenden Substratlage (SL1, SL2, SL3, S14, SL5) und einer Mehrzahl von auf der mindestens einen isolierenden Substratlage (SL1, SL2, SL3, S14, SL5) angeordneten elektrisch leitenden Kupferschichten (C1, C2, C3), wobei mindestens eine der elektrisch leitenden Kupferschichten (C1, C2, C3) zumindest beidseitig mit einer Schicht (HS1, HS2, HS3) aus einem Material zur Hemmung von Elektromigration beschichtet ist, wobei auf einer Schicht (HS1, HS2) aus einem Material zur Hemmung von Elektromigration eine weitere Metallschicht (M1, M2, M3, M3') vorgesehen ist, die wiederum mit einer weiteren Schicht (HS3, HS3') aus einem Material zur Hemmung von Elektromigration beschichtet ist.
Abstract:
Leiterstrukturelement mit einem in einen Schichtaufbau einlaminierten Innenlagensubstrat (20, 20', 20''), das eine mit mindestens einem ersten Bauelement (30) bestückte Bauelementseite (32) und eine zu einer durch einen starren Träger (12) gebildeten Randlage weisenden gegenüberliegenden Seite (28) aufweist, wobei das Innenlagensubstrat (20) bis zu einem Randbereich um einen freiliegenden Ausschnitt (50) in dem starren Träger (12) mit Harzmaterial umschlossen ist.
Abstract:
Verfahren zum Herstellen einer Hochfrequenzantenne (26, 26A) in einem Leiterstrukturelement (10) mit einer Schichtabfolge, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines starren Trägers (12) mit einer Unterseite (11) und einer Oberseite (13); Definieren eines Antennenzuordnungsabschnitts (14) auf dem starren Träger (12); Aufbringen mindestens einer elektrisch isolierenden Lage (17) mit einer Aussparung (15) derart, dass der Antennenzuordnungsabschnitt (14) freiliegt; Auflegen eines ein hochfrequenztaugliches Basismaterial (21) aufweisenden Hochfrequenzsubstrats (20, 20', 20'', 20A) über dem Antennenzuordnungsabschnitt (14) unter Ausbildung eines Hohlraumes (24) zwischen dem starren Träger (12) und dem Hochfrequenzsubstrat (20, 20', 20'', 20A); Ausrichten und Fixieren des Hochfrequenzsubstrats (20, 20', 20'', 20A) gegenüber dem starren Träger (12); Laminieren des so vorbereiteten Schichtaufbaus derart, dass sich Harzmaterial der mindestens einen elektrisch isolierenden Lage (17) verflüssigt und das Hochfrequenzsubstrat (20, 20', 20'', 20A) unter Freilassung des Hohlraums (24) umschließt; Ausschneiden des Antennenzuordnungsabschnitts (14) aus dem starren Träger (12) von der außenliegenden (schichtaufbaufernen) Unterseite (11) des starren Trägers (12) her.
Abstract:
Verfahren zum Ankontaktieren eines Bauelements (30) in einer Leiterplattenschichtabfolge (10) mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines Bauelements (30) mit Kontaktflächen (34, 36, 38) aus einem Metallmaterial, das nicht Kupfer ist; Herstellen eines Schichtabfolgelaminats (10) mit eingebettetem Bauelement; Erzeugen von einem oder mehreren Löchern (V1, V2, VL) in einer Oberfläche des Schichtabfolgelaminats (10) zum zumindest partiellen Freilegen der Kontaktflächen (34, 36, 38) des Bauelements (30); Behandeln von Oxidschichten (35, 37) auf den freigelegten Kontaktflächen (34, 36), Aufbringen einer Basismetallschicht (40) und Durchführen eines Galvanisierungsprozesses zum Verstärken der Basismetallschicht (40) mit einer Kupferschicht (42). Leiterplatte mit einem Leiterplattenschichtaufbau (10) und darin eingebrachtem Bauelement (30), wobei das Bauelement (30) mindestens eine Kontaktfläche (34, 36, 38) aufweist, die über mindestens ein Sackloch (V1, V2, VL) ankontaktiert ist, wobei die Kontaktfläche (34, 36, 38) im Bereich des mindestens einen Vias (V1, V2, VL) eine Schicht aus metallischem Material aufweist, das nicht Kupfer ist, an die sich direkt und ohne Vorhandensein einer Metalloxidschicht (35, 37) eine Basismetallschicht (40) anschließt, die durch aufgalvanisiertes Kupfer (42) verstärkt ist.