公开(公告)号：WO2015175557A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/US2015/030413

申请日：2015-05-12

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： UZOH, Cyprian, Emeka ,  KATKAR, Rajesh

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/98 ,  H01L25/10 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0266 ,  B23K35/22 ,  B23K2201/40 ,  B32B15/01 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/03318 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0333 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05294 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05794 ,  H01L2224/05839 ,  H01L2224/05844 ,  H01L2224/05847 ,  H01L2224/05855 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/2401 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81138 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841

摘要： In some embodiments, to increase the height-to-pitch ratio of a solder connection that connects different structures with one or more solder balls, only a portion (510) of a solder ball's (140) surface is melted when the connection is formed on one structure (110) and/or when the connection is being attached to another structure (HOB). The structure (110) may be an integrated circuit, an interposer, a rigid or flexible wiring substrate, a printed circuit board, some other packaging substrate, or an integrated circuit package. In some embodiments, solder balls (140.1, 140.2) are joined by an intermediate solder ball (140i), upon melting of the latter only. Any of the solder balls (140, 140i) may have a non-solder central core (140C) coated by solder shell (140S). Some of the molten or softened solder may be squeezed out, to form a "squeeze-out" region (520, 520A, 520B, 520.1, 520.2). In some embodiments, a solder connection (210) such as discussed above, on a structure (110A), may be surrounded by a dielectric layer (1210), and may be recessed in a hole (1230) in that layer (1210), to help in aligning a post (1240) of a structure (HOB) with the connection (210) during attachment of the structures (110A, HOB). The dielectric layer (1210) may be formed by moulding. The dielectric layer may comprise a number of layers (1210.1, 1210.2), "shaved" (partially removed) to expose the solder connection (210). Alternatively, the recessed solder connections (210) may be formed using a sublimating or vapourisable material (1250), placed on top of the solder (210) before formation of the dielectric layer (1210) or coating solder balls (140); in the latter case, the solder (140C) sinks within the dielectric material (1210) upon removal of the material (1250) and subsequent reflow. In some embodiments, the solder connections (210) may also be formed in openings (2220) in a dielectric layer (2210) (photoimageable polymer or inorganic) by solder paste printing and/or solder ball jet placement followed by reflow to let the solder sink to the bottom of the openings (2220), with possible repetition of the process and possible use of different solders in the different steps. The solder connections (210, 210.1, 210.2) may be used for bonding one or more structures (HOB, HOC) (e.g. an integrated circuit die or wafer, a packaging substrate or a package) to a structure (110A) (a wiring substrate) on which a die (HOB) is flip-chip connected. The solder connections (210, 210.1, 210.2) may differ from each other, in particular in height, which can be used for attaching a structure (HOB) with posts (1240) of different heights or for attaching two structures (HOB, HOC) in the case of a stepped form of the dielectric layer, one of the structures (HOC) being possibly placed higher than the other structure (HOB). In some embodiments, the structure (HOA) may be removed after bonding to the structures (HOB, HOC) and a redistribution layer (3210) may be formed to provide connecting lines (3220) connecting the solder connections (210) to contact pads (120R) and possibly interconnecting between the solder connections (210) and/or between the contact pads (120R).

摘要翻译： 在一些实施例中，为了增加将不同结构与一个或多个焊球连接的焊料连接的高度与间距比，当焊接球（140）表面的一部分（510）形成在 一个结构（110）和/或当连接被附接到另一个结构（HOB）时。 结构（110）可以是集成电路，插入器，刚性或柔性布线基板，印刷电路板，一些其它封装基板或集成电路封装。 在一些实施例中，焊料球（140.1,140.2）仅在熔化时被中间焊球（140i）连接。 任何焊球（140,140i）可以具有由焊料壳（140S）涂覆的非焊料中心芯（140C）。 一些熔融或软化的焊料可能被挤出，以形成“挤出”区域（520,520A，520B，520.1,520.2）。 在一些实施例中，在结构（110A）上的如上所述的焊料连接（210）可被电介质层（1210）包围，并且可以凹入该层（1210）中的孔（1230）中， 以在结构（110A，110B）的附接期间帮助将结构的柱（1240）与连接件（210）对齐。 电介质层（1210）可以通过模制形成。 介电层可以包括多个层（1210.1,1212.2），“剃光”（部分去除）以暴露焊料连接（210）。 或者，可以在形成电介质层（1210）或涂覆焊球（140）之前使用升华或蒸发的材料（1250）形成凹陷的焊料连接（210），放置在焊料（210）的顶部上。 在后一种情况下，当去除材料（1250）和随后的回流时，焊料（140C）在电介质材料（1210）内下沉。 在一些实施例中，焊料连接（210）还可以通过焊膏印刷和/或焊球喷射放置形成在电介质层（2210）（可光成像的聚合物或无机）中的开口（2220）中，然后回流以使焊料 沉入开口（2220）的底部，可能重复该过程并可能在不同步骤中使用不同的焊料。 焊接连接（210,210.1,210.2）可以用于将一个或多个结构（HOB，HOC）（例如，集成电路管芯或晶片，封装衬底或封装）结合到结构（110A）（布线基板 ），其上晶片（HOB）被倒装连接。 焊接连接（210,210.1,210.2）可以彼此不同，特别是在高度上可以不同，其可用于将结构（HOB）与不同高度的柱（1240）连接或用于附接两个结构（HOB，HOC） 在阶梯形状的电介质层的情况下，结构（HOC）中的一个可能被放置得高于其他结构（HOB）。 在一些实施例中，可以在结合到结构（HOB，HOC）之后去除结构（HOA），并且可以形成再分布层（3210），以提供将焊接连接（210）连接到接触焊盘的连接线（3220） 120R），并且可能在焊料连接（210）和/或接触焊盘（120R）之间互连。

公开(公告)号：WO2015056754A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：PCT/JP2014/077598

申请日：2014-10-16

申请人： デクセリアルズ株式会社

发明人： 石神　明 ,  蟹澤　士行 ,  波木　秀次 ,  青木　正治

IPC分类号： C09J201/00 ,  C09J9/02 ,  C09J11/02 ,  C09J163/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01L21/60 ,  H01L33/62 ,  H01R11/01

CPC分类号： C09J9/02 ,  C08G59/42 ,  C08K9/12 ,  C09J11/02 ,  C09J163/00 ,  H01B1/22 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00015

摘要： 　本発明は、優れた放熱性及び接続信頼性が得られる異方性導電接着剤を提供することを目的とする。本発明の異方性導電接着剤３０は、樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成され、平均粒径が１～１０μｍである導電性粒子３１と、平均粒径が導電性粒子３１の平均粒径の２５～４００％であるはんだ粒子３２と、平均粒径が１００ｎｍ以下である無機充填材３４とが接着剤成分３３に分散されている。圧着時に導電性粒子３１が押圧により扁平変形するとともに、はんだ粒子３２が潰れてはんだ接合されるため、対向する端子間のとの接触面積が増加し、優れた放熱性を得ることができる。さらに、平均粒径が１００ｎｍ以下である無機充填材３４が配合されているため、線膨張率を低下させ、例えばアルミベースのＭＣＰＣＢ（Metal Core ＰＣＢ）に対しても、優れた接続信頼性を得ることができる。

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种能够获得优异的散热性和连接可靠性的各向异性导电粘合剂。 在这种各向异性导电粘合剂（30）中，导电颗粒（31）包括形成在树脂颗粒表面上并具有1-10μm平均粒径的导电金属层，焊料颗粒（32）具有 平均粒径为导电粒子（31）的平均粒径的25〜400％，平均粒径为100nm以下的无机填充材料（34）分散在粘合剂成分（33）中， 。 导电粒子（31）通过压接时的压力变形为平坦形状，焊料粒子（32）被粉碎和焊接。 结果，面对端子之间的接触面积增加，并且可以获得优异的散热性能。 此外，通过在平均粒径为100nm以下的无机填充材料（34）中配合来降低线膨胀系数，因此即使在例如 铝基座MCPCB（金属芯PCB）。

公开(公告)号：WO2014119146A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：PCT/JP2013/083430

申请日：2013-12-13

申请人： シャープ株式会社

发明人： 玉置　和雄 ,  太田　将之 ,  山口　真司 ,  栗田　賢一 ,  辰巳　正毅

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L33/486 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/4945 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 　発光装置１の製造方法は、発光素子２０が搭載される装置基板４及び装置基板４に対して離隔してワイヤ６ａにより発光素子２０と電気的に接続される端子部５を有する枠体２であって、端子部５のワイヤ６ａの接続面から枠体２の上縁２ａまでの高さＨ１が発光素子２０の上面から枠体２の上縁２ａまでの高さＨ２より低い枠体２を形成する枠体形成工程と、ワイヤ６ａが接続される発光素子２０の電極にバンプ３２を形成するバンプ形成工程と、ワイヤ６ａの一端を第１に端子部５に接合する第１ボンディング工程と、ワイヤ６ａの他端を第２にバンプ３２に接合する第２ボンディング工程と、枠体２の内部に封止材７を充填して発光素子２０を封止する封止工程と、を有する。

摘要翻译： 这种制造发光器件（1）的方法具有框架形成步骤，凸块形成步骤，第一结合步骤，第二结合步骤和密封步骤。 在框架形成步骤中形成框架（2）。 所述框架（2）包含以下装置：其上安装有发光元件（20）的装置基板（4） 以及与器件基板（4）隔离并且经由导线（6a）与发光元件（20）电连接的端子部（5）。 与端子部（5）的与框架（2）的上边缘（2a）连接的线（6a）的表面的垂直距离（H1）小于距顶部的垂直距离（H2） 发光元件（20）的表面到框架（2）的顶边缘（2a）。 在凸点形成步骤中，在与导线（6a）连接的发光元件（20）的电极上形成凸块（32）。 在第一接合步骤中，首先将导线（6a）的一端接合到端子部（5），然后在第二接合步骤中将导线（6a）的另一端接合到凸块（32）。 在密封步骤中，框架（2）的内部填充有密封剂（7）以密封发光元件（20）。

公开(公告)号：WO2014110197A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：PCT/US2014/010772

申请日：2014-01-09

申请人： SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

发明人： GASKA, Remigijus ,  SHATALOV, Maxim, S. ,  LUNEV, Alex ,  DOBRINSKY, Alexander ,  YANG, Jinwei ,  SHUR, Michael

IPC分类号： H01L33/40

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L24/05 ,  H01L24/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

摘要： A device including a first semiconductor layer and a contact to the first semiconductor layer is disclosed. An interface between the first semiconductor layer and the contact includes a first roughness profile having a characteristic height and a characteristic width. The characteristic height can correspond to an average vertical distance between crests and adjacent valleys in the first roughness profile. The characteristic width can correspond to an average lateral distance between the crests and adjacent valleys in the first roughness profile.

摘要翻译： 公开了一种包括第一半导体层和与第一半导体层的接触的器件。 第一半导体层和触点之间的界面包括具有特征高度和特征宽度的第一粗糙度轮廓。 特征高度可以对应于第一粗糙度轮廓中波峰和相邻谷之间的平均垂直距离。 特征宽度可以对应于第一粗糙度轮廓中的波峰和相邻谷之间的平均横向距离。

公开(公告)号：WO2012000114A8

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：PCT/CA2011050399

申请日：2011-06-29

申请人： COOLEDGE LIGHTING INC ,  TISCHLER MICHAEL ,  SCHICK PHILIPPE ,  ASHDOWN IAN ,  SHEEN CALVIN WADE ,  JUNGWIRTH PAUL

发明人： TISCHLER MICHAEL ,  SCHICK PHILIPPE ,  ASHDOWN IAN ,  SHEEN CALVIN WADE ,  JUNGWIRTH PAUL

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L23/488 ,  H01L29/40

CPC分类号： F21K9/66 ,  F21K9/20 ,  F21K9/275 ,  F21K9/278 ,  F21K9/64 ,  F21K9/65 ,  F21V3/02 ,  F21V9/16 ,  F21V23/003 ,  F21V23/02 ,  F21V29/74 ,  F21Y2115/10 ,  G02F1/133603 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5387 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L31/0468 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L51/0097 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10321 ,  H01L2924/10322 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10324 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/381 ,  H02S30/00 ,  H05B33/0854 ,  H05B37/0218 ,  H05B37/0227 ,  H05B37/0245 ,  H05K1/189 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/302 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： In accordance with certain embodiments, a semiconductor die is adhered directly to a yielding substrate with a pressure-activated adhesive notwithstanding any nonplanarity of the surface of the semiconductor die or non-coplanarity of the semiconductor die contacts.

摘要翻译： 根据某些实施例，尽管半导体管芯的表面有任何不平坦性或半导体管芯接触的非共面性，但半导体管芯利用压力激活的粘合剂直接粘附到屈服衬底。

公开(公告)号：WO2008020392A3

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：PCT/IB2007053208

申请日：2007-08-13

申请人： NXP BV ,  JASPER JOERG

发明人： JASPER JOERG

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： A semiconductor component has a substrate and a projecting electrode on the substrate. The projecting electrode is configured suitably for electrically and mechanically connecting the semiconductor component to an external substrate. Furthermore, the projecting electrode is formed by a one-dimensional or two-dimensional array of projecting sub-electrodes, which are separated from each other by an electrically insulating fluid beginning from a substrate surface. The semiconductor component has an improved projecting-electrode. It provides the projecting electrode with a sub-structure, which achieves sufficient flexibility without introducing much constructive complexity and processing complexity during fabrication.

摘要翻译： 半导体组件在衬底上具有衬底和突出电极。 突起电极适合于将半导体部件电连接和机械连接到外部基板。 此外，突出电极由突出子电极的一维或二维阵列形成，突出子电极通过从基板表面开始的电绝缘流体彼此分开。 半导体部件具有改进的突出电极。 它为突出电极提供了一个子结构，该结构实现了足够的灵活性，而不会在制造过程中引入很多建设性的复杂性和处理复杂性。

公开(公告)号：WO2005031860A2

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：PCT/US2004021712

申请日：2004-07-07

申请人： GELCORE LLC

发明人： ARIK MEHMET ,  WEAVER STANTON E JR ,  CARNAHAN JAMES C ,  BECKER CHARLES A ,  GERSTLER WILLIAM D

IPC分类号： F28F13/18 ,  H01L23/373 ,  H01L23/473 ,  H01L23/485 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L23/00

CPC分类号： F28F13/185 ,  B82Y10/00 ,  H01L23/373 ,  H01L23/473 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L33/62 ,  H01L33/648 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device die (10, 116) is disposed on a heat-sinking support structure (30, 100). Nanotube regions (52, 120) contain nanotubes (54, 126) are arranged on a surface of or in the heatsinking support structure (30,100). The nanotube regions (52, 120) are arranged to contribute to heat transfer from the semiconductor device die (10, 116) to the heat-sinking support structure (30, 100). In one embodiment, the semiconductor device die (10) includes die electrodes (20, 22), and the support structure (30) includes contact pads (40, 42) defined by at least some of the nanotube regions (52). The contact pads (40, 42) electrically and mechanically contact the die electrodes (20, 22). In another embodiment, the heat-sinking support structure (100) includes microchannels (120) arranged laterally in the support structure (100). At least some of the nanotube regions are disposed inside the microchannels (100).

摘要翻译： 半导体器件管芯（10,116）设置在散热支撑结构（30,100）上。 纳米管区域（52,120）包含纳米管（54,126）布置在散热支撑结构（30,100）的表面上或散热支撑结构（30,100）中。 纳米管区域（52,120）被布置成有助于从半导体器件管芯（10,116）到散热支撑结构（30,100）的热传递。 在一个实施例中，半导体器件管芯（10）包括管芯电极（20,22），并且支撑结构（30）包括由至少一些纳米管区域（52）限定的接触焊盘（40,42）。 接触焊盘（40,42）与管芯电极（20,22）电接触和机械接触。 在另一个实施例中，散热支撑结构（100）包括在支撑结构（100）中侧向设置的微通道（120）。 至少一些纳米管区域设置在微通道（100）的内部。

公开(公告)号：WO2015105098A1

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：PCT/JP2015/050140

申请日：2015-01-06

申请人： デクセリアルズ株式会社

发明人： 小高　良介 ,  佐藤　大祐

IPC分类号： H05K3/32 ,  H01B5/16 ,  H01L21/60 ,  H01R11/01 ,  H01R43/00

CPC分类号： H05K3/323 ,  H01L24/06 ,  H01L24/14 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29391 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/15159 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/189 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/05381 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/0635

摘要： セラミック基板（２）の端子（１）と、電子部品の端子とを異方性導電接続させる接続方法において、前記セラミック基板（２）の端子（１）上に異方性導電フィルムを貼り付ける貼付工程と、前記異方性導電フィルム上に前記電子部品を載置する載置工程と、前記電子部品を加熱押圧部材により２ＭＰａ未満の押圧力で加熱及び押圧する加熱押圧工程と、を含み、前記セラミック基板（２）の高さバラツキが、２０μｍ以上であり、前記異方性導電フィルムが、ラジカル重合性物質と、熱ラジカル開始剤と、平均粒径が１３μｍ以上の導電性粒子とを含有する接続方法である。

摘要翻译： 本发明是一种连接方法，其中在陶瓷基板（2）的端子（1）和电子部件的端子之间执行各向异性导电连接的所述连接方法包括以下步骤：将各向异性导电膜应用于 陶瓷基板（2）的端子（1）; 安装，其将电子部件安装在各向异性导电膜上; 并使用热压部件以小于2MPa的压力加热并按压电子部件的热压。 陶瓷基板（2）的高度变化大于或等于20μm，各向异性导电膜含有自由基聚合材料，热自由基引发剂和平均粒径大于或等于13的导电颗粒 微米。

公开(公告)号：WO2014066301A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：PCT/US2013/066035

申请日：2013-10-22

申请人： SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

发明人： BILENKO, Yuri ,  SHUR, Michael ,  GASKA, Remigijus

IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/48

CPC分类号： H01L33/52 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L27/15 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81

摘要： A solution for packaging a two terminal device, such as a light emitting diode, is provided. In one embodiment, a method of packaging a two terminal device includes: patterning a metal sheet to include a plurality of openings; bonding at least one two terminal device to the metal sheet, wherein a first opening corresponds to a distance between a first contact and a second contact of the at least one two terminal device; and cutting the metal sheet around each of the least one two terminal device, wherein the metal sheet forms a first electrode to the first contact and a second electrode to the second contact.

摘要翻译： 提供了用于封装诸如发光二极管的两个终端设备的解决方案。 在一个实施例中，一种封装双端子器件的方法包括：图案化金属片以包括多个开口; 将至少一个两个端子装置接合到所述金属板，其中第一开口对应于所述至少一个两个端子装置的第一触点和第二触点之间的距离; 以及围绕所述至少一个两端子装置中的每一个切割金属片，其中所述金属片形成到所述第一接触件的第一电极和到所述第二接触件的第二电极。

公开(公告)号：WO2013157552A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：PCT/JP2013/061318

申请日：2013-04-16

申请人： デクセリアルズ株式会社

发明人： 波木　秀次 ,  蟹澤　士行 ,  馬越　英明 ,  青木　正治 ,  石神　明

IPC分类号： C09J201/00 ,  C09J9/02 ,  C09J11/00 ,  C22C5/06 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H01L33/50 ,  H01R4/04 ,  H01R11/01 ,  H01R43/00

CPC分类号： C09J9/02 ,  C08J3/128 ,  C08K3/08 ,  C08K9/12 ,  C09J11/00 ,  C09J201/00 ,  C22C5/06 ,  C23C14/14 ,  H01B1/22 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L33/005 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 　本発明は、銀系金属を導電層とする導電性粒子を用い、光反射率が高く、しかも優れた耐マイグレーション性を有する異方性導電接着剤の技術を提供するものである。本発明の異方性導電接着剤１は、絶縁性接着剤樹脂２中に光反射性の導電性粒子３を含有する。光反射性の導電性粒子３は、樹脂粒子３０の表面に、銀と、金と、ハフニウムとを含有する合金からなる光反射性金属層３１がスパッタリング法によって形成されている。導電性粒子３における光反射性金属層の組成比が、銀が５０重量％以上８０重量％以下、金が１０重量％以上４５重量％以下、ハフニウムが１０重量％以上４０重量％以下で、全体として１００重量％を超えない範囲とすることが好ましい。

摘要翻译： 本发明提供使用具有银基金属的导电粒子作为导电层的各向异性导电粘合剂的技术，具有高的光反射率，并且具有优异的耐迁移性能。 这种各向异性导电粘合剂（1）在绝缘粘合树脂（2）中包括光反射导电颗粒（3）。 对于反射光导电颗粒（3），通过在树脂颗粒（30）的表面上溅射形成由包含银，金和铪的合金形成的光反射金属层（31）。 导电性粒子（3）中的光反射金属层的组成比优选为银，银，金为10〜45重量％，铪为10〜40重量％的范围。 不超过100重量％。