公开(公告)号：WO2013029656A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：PCT/EP2011/064874

申请日：2011-08-30

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH ,  MARTINSCHITZ, Klaus ,  WIMPLINGER, Markus ,  REBHAN, Bernhard ,  HINGERL, Kurt

Inventor： MARTINSCHITZ, Klaus ,  WIMPLINGER, Markus ,  REBHAN, Bernhard ,  HINGERL, Kurt

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B23K20/021 ,  B23K20/023 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0255 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0801 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein verfahren zum Bonden eines ersten Festkörpersubstrats (1 ) mit einem eine erstes Material enthaltenden zweiten Festkörpersubstrat (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung oder Aufbringung einer ein zweites Material enthaltenden Funktionsschicht (5) auf das zweite Festkörpersubstrat (2), - Kontaktieren des ersten Festkörpersubstrats (1 ) mit dem zweiten Festkörpersubstrat (2) an der Funktionsschicht (5), - Zusammenpressen der Festkörpersubstrate (1, 2) zur Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen dem ersten und dem zweiten Festkörpersubstrat (1, 2), zumindest teilweise verstärkt durch Festkörperdiffusion und/oder Phasenumwandlung des ersten Materials mit dem zweiten Material, wobei eine Volumenvergrößerung an der Funktionsschicht (5) bewirkt wird. Während des Bondens wird die Löslichkeitsgrenze des ersten Materials für das zweite Material nicht oder nur geringfügig überschritten, so dass Ausscheidung von intermetallischen Phasen möglichst weitgehend vermieden wird und dagegen Mischkristall ausgebildet wird. Das erste Material kann Kupfer und das zweite Material kann Zinn sein.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于接合具有含第二固体基底（2）包括以下步骤，特别是下列序列中的第一材料的第一固体基材（1）： - 第二固体基材上的含第二材料的功能层（5）的形成或沉积 （2）， - 所述第一固态衬底（1）与第二固体基材（2）到所述功能层接触（5）， - 压缩所述固体底物（1,2），以形成所述第一和之间的永久键（第二固体基底1， 2）通过，由此增加在所述功能层的体积（5）被实现固态扩散和/或与所述第二材料的第一材料的相变，至少部分地加强。 在接合时，第一材料的第二材料中的溶解度不或仅略微超过，从而使沉淀避免尽可能金属间相和在另一方面，形成混晶。 所述第一材料可以是铜，并且第二材料可以是锡。

公开(公告)号：WO2011057850A2

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：PCT/EP2010064009

申请日：2010-09-23

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  TRAUTMANN ACHIM ,  REICHENBACH RALF

Inventor： TRAUTMANN ACHIM ,  REICHENBACH RALF

IPC: B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/036 ,  H01L23/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/30051 ,  H01L2224/30131 ,  H01L2224/30135 ,  H01L2224/30177 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/30515 ,  H01L2224/32054 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83095 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/1631 ,  H01L2924/165 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00014

Abstract: The invention relates to a micromechanical method and a corresponding assembly for bonding semiconductor substrates and a correspondingly bonded semiconductor chip. The assembly according to the invention comprises a semiconductor substrate having a chip pattern having a plurality of semiconductor chips (1), each having a functional region (4) and an edge region (4a) surrounding the functional region (4), wherein there is a bonding frame (2) made of a bonding alloy made from at least two alloy components in the edge region (4a), spaced apart from the functional region (4). Within the part (4a2) of the edge region (4a) surrounding the bonding frame (2) between the bonding frame (2) and the functional region (4), there is at least one stop frame (7; 7a, 7b; 7b'; 70) made of at least one of the alloy components, which is designed such that when a melt of the bond alloy contacts the stop frame (7; 7a, 7b; 7b'; 70) during bonding, the bonding alloy solidifies.

Abstract translation: 本发明涉及一种微机械的方法和用于粘结半导体衬底的对应排列与键合的半导体芯片。 该组件包括具有具有多个半导体芯片的芯片图案的半导体衬底（1）每一个都具有功能区域（4）和一个功能性区域（4）周围的边缘区域（4a）中，其中，在从所述功能区域的距离在边缘区域（4a）的（4） 接合框架（2）包括一个接合合金的是由至少两种合金成分提供。 接合框架（2）与所述功能区域之间的边缘区域（4a）的接合框（2）部分（4A2）内封闭的（4）是至少一种停止帧（7; 7A，7B;图7b“; 70）的合金成分的中的至少一个 提供，其被配置为使得在接合到停止帧期间合金结合的熔体的冲击（7; 7A，7B;图7b“; 70），接合合金的凝固发生。

公开(公告)号：WO2016083332A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：PCT/EP2015/077424

申请日：2015-11-24

Applicant: IMEC VZW

Inventor： KIM, Soon-Wook ,  PENG, Lan ,  VERDONCK, Patrick ,  MILLER, Robert ,  BEYER, Gerald ,  BEYNE, Eric

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31053 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/83031 ,  H01L2224/83047 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/2011

Abstract: A method for bonding a first semiconductor substrate to a second semiconductor substrate by direct bonding is described. The substrates are both provided on their contact surfaces with a dielectric layer, followed by a CMP step for reducing the roughness of the dielectric layer. Then a layer of SiCN is deposited onto the dielectric layer, followed by a CMP step which reduces the roughness of the SiCN layer to the order of 1 tenth of a nanometre. Then the substrates are subjected to a pre-bond annealing step and then bonded by direct bonding, possibly preceded by one or more pre- treatments of the contact surfaces, and followed by a post- bond annealing step, at a temperature of less than or equal to 250°C. It has been found that the bond strength is excellent, even at the above named annealing temperatures, which are lower than presently known in the art.

Abstract translation: 描述通过直接接合将第一半导体衬底接合到第二半导体衬底的方法。 这些基板都在其接触表面上设置有电介质层，接着是用于减小电介质层粗糙度的CMP步骤。 然后将一层SiCN沉积到介电层上，随后是CMP步骤，其将SiCN层的粗糙度降低到十分之一纳米。 然后将基板进行预结合退火步骤，然后通过直接接合进行粘合，可能之前是接触表面的一个或多个预处理，然后是后接合退火步骤，其温度低于或等于 等于250°C。 已经发现，即使在上述命名的退火温度下，粘合强度也是优异的，其比现有技术中已知的低。

公开(公告)号：WO2015133386A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/JP2015/055764

申请日：2015-02-27

Applicant: 積水化学工業株式会社

Inventor： 脇岡　さやか

IPC: C09J133/04 ,  C09J4/02 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J163/10 ,  H01L21/60

CPC classification number: C09J133/066 ,  C09J7/10 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J133/04 ,  C09J133/08 ,  C09J133/14 ,  C09J163/10 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2969 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32258 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/94 ,  C08F220/06 ,  C08F2220/1825 ,  C08F220/20 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2224/27

Abstract: 本発明は、短い実装時間の中で半田流れを抑えつつ充分に半田接合でき、ボイドを抑制し、耐リフロー性にも優れた電子部品実装用接着剤を提供することを目的とする。また、本発明は、該電子部品実装用接着剤を含むフリップチップ実装用接着フィルムを提供することを目的とする。本発明は、側鎖に（メタ）アクリロイル基を有する二重結合当量１～５ｍｅｑ／ｇのアクリルポリマーと、３官能以上の多官能（メタ）アクリレート化合物と、ラジカル重合開始剤とを含有する電子部品実装用接着剤である。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够在短的安装时间内实现足够的焊接，同时抑制焊料流动，抑制空隙，并具有优异的耐回流性的电子部件安装用粘合剂。 本发明的另一个目的是提供一种包括电子部件安装粘合剂的倒装芯片安装粘合剂膜。 本发明是一种电子部件安装用粘合剂，其包含：双键当量为1-5meq / g并且具有甲基丙烯酰基作为侧链的丙烯酸类聚合物; 具有三个或更多个官能团的多官能甲基丙烯酸酯化合物; 和自由基聚合引发剂。

公开(公告)号：WO2014109014A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：PCT/JP2013/050196

申请日：2013-01-09

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 谷江　尚史 ,  池田　靖

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L23/5382 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/033 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0383 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/0901 ,  H01L2224/0905 ,  H01L2224/091 ,  H01L2224/095 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体チップ１が接合部材２ａ、２ｂを介して導電部材３ａ、３ｂに電気的に接続された実装構造を有する半導体装置の熱抵抗の低減と熱変形吸収性の向上を両立させるため、接合部材２ａ、２ｂは、半導体チップ１に近い側から順に、ナノオーダーサイズを有する複数のスプリングで構成されるナノスプリング層４と、前記複数のスプリングを支持する平面層５と、接合層６とを備えた積層構造を有し、ナノスプリング層４の厚さは、接合層６の厚さよりも大きく、接合層６の厚さは、平面層５の厚さよりも大きい。

Abstract translation: 为了同时降低耐热性，提高具有安装结构的半导体器件的热变形吸收特性，其中半导体芯片（1）通过接合部件（2a，3b）电连接到导电部件（3a，3b） 如图2b所示，每个接合部件（2a，2b）具有层叠结构，从靠近半导体芯片（1）的一侧开始按照以下顺序设置由多个配置的纳米弹簧层（4） 具有纳米级尺寸的弹簧，支撑弹簧的平面层（5）和接合层（6）。 纳米弹簧层（4）的厚度大于接合层（6）的厚度，并且结合层（6）的厚度大于平面层（5）的厚度。

公开(公告)号：WO2014088966A2

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/US2013/072675

申请日：2013-12-02

Applicant: INVENSAS CORPORATION

Inventor： UZOH, Cyprian, Emeka

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H05K13/046 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/05552

Abstract: A microelectronic assembly includes a first substrate having a surface and a first conductive element and a second substrate having a surface and a second conductive element. The assembly further includes an electrically conductive alloy mass joined to the first and second conductive elements. First and second materials of the alloy mass each have a melting point lower than a melting point of the alloy. A concentration of the first material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the first conductive element to a relatively lower amount toward the second conductive element, and a concentration of the second material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the second conductive element to a relatively lower amount toward the first conductive element.

Abstract translation: 微电子组件包括具有表面和第一导电元件的第一基板和具有表面和第二导电元件的第二基板。 组件还包括连接到第一和第二导电元件的导电合金块。 合金质量的第一和第二材料的熔点低于合金的熔点。 第一材料的浓度在朝向第一导电元件设置的位置处的相对较高的量的浓度变化到朝向第二导电元件的相对较低的量，并且第二材料的浓度在浓度上从相对较高的量在 朝向第二导电元件朝向第一导电元件朝向相对较小的量设置的位置。

公开(公告)号：WO2012077228A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：PCT/JP2010/072234

申请日：2010-12-10

Applicant: 三菱電機株式会社 ,  山▲崎▼ 浩次 ,  楠 卓 ,  山田 朗 ,  大津 健嗣

Inventor： 山▲崎▼　浩次 ,  楠　卓 ,  山田　朗 ,  大津　健嗣

IPC: B23K35/26 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52

CPC classification number: B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C22C13/02 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/2076

Abstract: 　高温動作する半導体装置においてパワーサイクルに対する接合信頼性の高い無鉛はんだ合金およびそれを用いた半導体装置を得ることを目的とする。　無鉛はんだ合金として、アンチモン(Sb)を５質量％以上１５質量％以下、銅(Cu)を０．５質量％以上３質量％以下、ニッケル(Ni)を０．０１質量％以上０．１５質量％以下、インジウム(In)を０．１質量％以上５質量％以下、を含有し、残部すず(Sn)および不可避的不純物からなるように組成を最適化した。

Abstract translation: 本发明的目的是获得在高温下工作的半导体器件中的功率循环具有高连接可靠性的无铅焊料合金和使用其的半导体器件。 优选无铅焊料合金的组成为含有5〜15质量％的锑（Sb），0.5〜3质量％的铜（Cu），0.01〜0.15质量％的镍（Ni）和0.1〜 5质量％的铟（In），其余由锡（Sn）和不可避免的杂质形成。

公开(公告)号：WO2017019385A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/US2016/042966

申请日：2016-07-19

Applicant: NORTHEASTERN UNIVERSITY ,  UNIVERSITY OF NORTH FLORIDA

Inventor： STAGON, Stephen, Peter ,  HUANG, Hanchen ,  ELLIOTT, Paul, Robert

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/02 ,  H01L23/00

CPC classification number: B23K35/264 ,  B23K35/02 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/26 ,  B23K2201/40 ,  B23K2201/42 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/00 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32012 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01322

Abstract: Bonded surfaces are formed by adhering first nanorods and second nanorods to respective first and second surfaces. The first shell is formed on the first nanorods and the second shell is formed on the second nanorods, wherein at least one of the first nanorods and second nanorods, and the first shell and the second shell are formed of distinct metals. The surfaces are then exposed to at least one condition that causes the distinct metals to form an alloy, such as eutectic alloy having a melting point below the temperature at which the alloy is formed, thereby bonding the surfaces upon solidification of the alloy.

Abstract translation: 粘合表面通过将第一纳米棒和第二纳米棒粘附到相应的第一和第二表面上而形成。 第一壳形成在第一纳米棒上，第二壳形成在第二纳米棒上，其中第一纳米棒和第二纳米棒中的至少一个以及第一壳和第二壳由不同的金属形成。 然后将这些表面暴露于使不同金属形成合金的至少一种条件，例如熔点低于合金形成温度的共晶合金，从而在合金固化时粘结表面。

公开(公告)号：WO2016176037A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：PCT/US2016/027195

申请日：2016-04-13

Applicant: VERILY LIFE SCIENCES LLC

Inventor： PEPIN, Brian, Mark ,  ETZKORN, James

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  A61B5/00

CPC classification number: A61B5/1477 ,  A61B5/0205 ,  A61B5/02055 ,  A61B5/6801 ,  A61B5/6821 ,  A61B2560/0412 ,  A61B2562/12 ,  A61B2562/164 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/8338 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161

Abstract: A flexible electronic device is provided that includes electronics, metal traces, and other components at least partially encapsulated in a protective, corrosion- and fluid-resistant encapsulating adhesive coating. The device include electronics, sensors, and other components disposed on a flexible substrate that is configured to be mounted to a body or disposed in some other environment of interest. The encapsulating adhesive coating is flexible and adheres securely to the electronics, metal traces, and other components disposed on the flexible substrate. The encapsulating adhesive coating prevents voids from forming proximate the components within which water or other chemicals could be deposited from the environment of the device. The encapsulating adhesive coating could include silicone or other flexible highly adhesive substances. The encapsulating adhesive coating could be a conformal coating.

Abstract translation: 提供了一种柔性电子器件，其包括至少部分地封装在保护性，耐腐蚀和耐流体的封装粘合剂涂层中的电子器件，金属迹线和其它部件。 该装置包括设置在柔性基板上的电子器件，传感器和其它部件，其被构造成安装到主体或设置在感兴趣的其它环境中。 封装粘合剂涂层是柔性的并且牢固地粘附到设置在柔性基底上的电子器件，金属迹线和其它部件。 封装粘合剂涂层防止在构件附近形成空隙，水分或其它化学物质可以从该部件沉积在装置的环境中。 封装粘合剂涂层可以包括硅树脂或其它柔性高粘合性物质。 封装粘合剂涂层可以是保形涂层。

公开(公告)号：WO2015153903A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：PCT/US2015/024129

申请日：2015-04-02

Applicant: KYOCERA AMERICA, INC. ,  EBLEN, Mark ,  KIM, Franklin ,  IL-PARK, Chong ,  HIRA, Shinichi

Inventor： EBLEN, Mark ,  KIM, Franklin ,  IL-PARK, Chong ,  HIRA, Shinichi

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/50 ,  H01L23/047 ,  H01L23/10 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48153 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/2065 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0105

Abstract: An electronics packaging system includes an insulator 14 that electrically insulates a heat sink 12 from electrical leads 18. An interface 10 between the insulator 14 and the heat sink 12 includes a stress reliever 16 constructed such that a stiffness of the interface is greater than the stiffness of the interface without the stress reliever.

Abstract translation: 电子封装系统包括将散热器12与电引线18电绝缘的绝缘体14.绝缘体14和散热器12之间的界面10包括应力消除器16，该应力消除器构造成使得界面的刚度大于刚度 的接口没有应力消除器。