公开(公告)号：WO2012028793A2

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/FR2011/000484

申请日：2011-08-31

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  VANDROUX, Laurent ,  DI CIOCCIO, Léa ,  GUEGUEN, Pierric

Inventor： VANDROUX, Laurent ,  DI CIOCCIO, Léa ,  GUEGUEN, Pierric

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/98 ,  H01L23/00 ,  C09J5/02 ,  C23C4/04

CPC classification number: H01R43/02 ,  C09J2205/31 ,  C09J2400/163 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/185 ,  H01L21/2007 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/05688 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/8002 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80905 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/05552

Abstract: Un procédé de collage entre une première surface (1) munie d'au moins une zone en cuivre (3) entourée d'une zone en oxyde de silicium (4) et une seconde surface (1') comprend une opération de traitement de la première surface (1) par plasma, avant la mise en contact de la première surface (1) avec la seconde surface (V). Le plasma est formé à partir d'une source gazeuse contenant un agent de nitruration de l'oxyde de silicium et un agent réducteur de l'oxyde de cuivre à base d'hydrogène. La source gazeuse peut comporter un mélange gazeux N2 et NH3 et/ou H2 ou bien un mélange gazeux N2O et H2 ou bien encore de l'ammoniac qui joue alors à la fois le rôle d'agent de nitruration et celui d'agent réducteur. Le plasma obtenu à partir de cette source gazeuse comprend alors nécessairement de l'azote et de l'hydrogène, ce qui permet, en une seule opération, d'assurer un collage performant entre les première et seconde surfaces (1,1').

Abstract translation:

程序d＆oacute; 在设置有由氧化硅区（4）围绕的至少一个铜区（3）和第二表面（1'）的第一表面（1）之间的结合包括操作 用于在使所述第一表面（1）与所述第二表面（V）接触之前通过等离子体处理所述第一表面（1）。 等离子体形成＆o; ＆Agrave; 来自含有氧化硅和氧化铜还原剂的氮化剂的气体源; 氢碱。 气体源可以包括气态混合物N 2和NH 3和/或H 2或气态混合物N 2 O和H 2或氨，然后用作气态混合物。 氮化剂耙子和还原剂都倾斜。 获得的血浆 从这个气体源接着包括氮气和氢气，这使得可以在单一操作中确保第一和第二表面（1,2， 1“）。

公开(公告)号：WO2016096025A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/EP2014/078585

申请日：2014-12-18

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： FEHKÜHRER, Andreas

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/18 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68 ,  B32B37/10 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L24/80 ,  B32B37/0046 ,  B32B38/1841 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/75 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/0224 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/8002 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/80051 ,  H01L2224/80093 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2221/68304

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (4) mit einem zweiten Substrat (4'), wobei das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') vor dem Bonden gedünnt ist/wird. Die Substrate (4, 4') können Wafer, Halbleitersubstrate, metallische Substrate, mineralische Substrate, insbesondere Saphirsubstrate, Glassubstrate oder Polymersubstrate sein. Das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') werden zum Dünnen und/oder Bonden auf einem auf einer Trägeroberfläche (3o, 3o') eines, insbesondere einen ringförmigen Rahmen (2) aufweisenden, Trägers (3, 3') fixiert. Das erste Substrat (4) und das zweite Substrat (4') werden vor dem Bonden an Hand von korrespondierenden Ausrichtungsmarkierungen der Substrate (4, 4') zueinander ausgerichtet und anschließend, insbesondere magnetisch, vorfixiert. Substratfixierungen weisen jeweils eine Substratfixierfläche (9) zur Fixierung jeweils eines Substrats (4, 4') und jeweils eine die Substratfixierfläche (9) umgebende Trägerfixierfläche (8) oder Trägerfixierbereich zur gegenseitigen Fixierung der Substratfixierungen auf, wobei insbesondere die Trägerfixierfläche (8) oder der Trägerfixierbereich magnetisiert oder magnetisierbar ist, oder alternativ die Substratfixierungen mittels eines Klebers, über Klemmen, über ein Stecksystem oder elektrostatisch miteinander fixierbar sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于与第二衬底（4“），其中，所述第一基板（4）和/或所述第二衬底（4”）在接合之前薄化接合第一基底（4）/是。 基板（4，4“）的晶片，半导体衬底，金属基材，矿物基底，特别是蓝宝石基板，玻璃基板或聚合物基板可以是。 在第一基板（4）和/或第二基底（4“）是在支撑表面上的研磨和/或键合（10-30，10-30的”）的，特别是环形框架（2），其具有，载流子（3,3 “）固定。 在第一基板（4）和第二衬底（4“）（相当于基板4的对准标记的，4）在粘接之前手”彼此，然后，特别是磁性，预置对准。 基板注视各自具有Substratfixierfläche（9），用于在每种情况下固定在一个基板（4,4“），每一个所述Substratfixierfläche（9）周围Trägerfixierfläche（8）或Trägerfixierbereich用于基板注视相互固定，其中特别地Trägerfixierfläche（8）或 Trägerfixierbereich磁化或可磁化，或者可替换地，衬底注视通过粘合剂的方式固定在一起，通过端子，连接器系统或静电。

公开(公告)号：WO2016190059A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：PCT/JP2016/063630

申请日：2016-05-06

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 藤井　宣年 ,  羽根田　雅希

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/14 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/89 ,  H01L27/14 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/0801 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80009 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/05442 ,  H04N5/369

Abstract: 本開示は、信頼性の更なる向上を図ることができるようにする半導体装置、製造方法、固体撮像素子、および電子機器に関する。 画素を有するセンサ面が形成されるセンサ基板、および、センサ基板に対する信号処理を行う信号処理基板の配線層にそれぞれ設けられる層間膜に、センサ基板および信号処理基板の電気的な接続を行う接続パッドが形成される。そして、センサ基板および信号処理基板の層間膜どうしの間、センサ基板側に形成される接続パッドと信号処理基板側の層間膜との間、および、信号処理基板側に形成される接続パッドとセンサ基板側の層間膜との間に金属酸化膜が形成される。本技術は、例えば、積層型のCMOSイメージセンサに適用できる。

Abstract translation: 本公开涉及一种半导体器件，制造方法，固态图像拾取元件和电子设备，其中可靠性进一步提高。 在分别设置在其中形成有像素的传感器表面的传感器基板的布线层中的层间膜中，以及在相对于传感器基板执行信号处理的信号处理基板的布线层中， 形成将传感器基板和信号处理基板彼此电连接。 然后，在传感器基板的层间膜和信号处理基板之间，形成在传感器基板侧的连接焊盘和信号处理基板侧的层间膜之间以及形成在传感器基板侧的连接焊盘之间形成金属氧化物膜 信号处理基板侧，以及传感器基板侧的层间膜。 本技术可以应用于例如层压CMOS图像传感器。

公开(公告)号：WO2012131075A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/EP2012/055894

申请日：2012-03-30

Applicant: SOITEC ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  SADAKA, Mariam ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier ,  DI CIOCCIO, Lea

Inventor： SADAKA, Mariam ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier ,  DI CIOCCIO, Lea

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/034

Abstract: Methods of bonding together semiconductor structures include annealing a first metal feature on a first semiconductor structure, bonding the first metal feature to a second metal feature of a second semiconductor structure to form a bonded metal structure that comprises the first metal feature and the second metal feature, and annealing the bonded metal structure. Annealing the first metal feature may comprise subjecting the first metal feature to a pre-bonding thermal budget, and annealing the bonded metal structure may comprise subjecting the bonded metal structure to a post-bonding thermal budget that is less than the pre-bonding thermal budget. Bonded semiconductor structures are fabricated using such methods.

Abstract translation: 将半导体结构结合在一起的方法包括退火第一半导体结构上的第一金属特征，将第一金属特征结合到第二半导体结构的第二金属特征，以形成包含第一金属特征和第二金属特征 ，并对结合的金属结构进行退火。 退火第一金属特征可以包括使第一金属特征经受预结合热预算，并且对接合的金属结构进行退火可以包括使结合的金属结构经受低于预粘合热预算的后粘合热预算 。 使用这种方法制造粘合的半导体结构。

公开(公告)号：WO2016083332A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：PCT/EP2015/077424

申请日：2015-11-24

Applicant: IMEC VZW

Inventor： KIM, Soon-Wook ,  PENG, Lan ,  VERDONCK, Patrick ,  MILLER, Robert ,  BEYER, Gerald ,  BEYNE, Eric

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31053 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/83031 ,  H01L2224/83047 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/2011

Abstract: A method for bonding a first semiconductor substrate to a second semiconductor substrate by direct bonding is described. The substrates are both provided on their contact surfaces with a dielectric layer, followed by a CMP step for reducing the roughness of the dielectric layer. Then a layer of SiCN is deposited onto the dielectric layer, followed by a CMP step which reduces the roughness of the SiCN layer to the order of 1 tenth of a nanometre. Then the substrates are subjected to a pre-bond annealing step and then bonded by direct bonding, possibly preceded by one or more pre- treatments of the contact surfaces, and followed by a post- bond annealing step, at a temperature of less than or equal to 250°C. It has been found that the bond strength is excellent, even at the above named annealing temperatures, which are lower than presently known in the art.

Abstract translation: 描述通过直接接合将第一半导体衬底接合到第二半导体衬底的方法。 这些基板都在其接触表面上设置有电介质层，接着是用于减小电介质层粗糙度的CMP步骤。 然后将一层SiCN沉积到介电层上，随后是CMP步骤，其将SiCN层的粗糙度降低到十分之一纳米。 然后将基板进行预结合退火步骤，然后通过直接接合进行粘合，可能之前是接触表面的一个或多个预处理，然后是后接合退火步骤，其温度低于或等于 等于250°C。 已经发现，即使在上述命名的退火温度下，粘合强度也是优异的，其比现有技术中已知的低。

公开(公告)号：WO2012130730A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/EP2012/055119

申请日：2012-03-22

Applicant: SOITEC ,  SADAKA, Mariam ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier

Inventor： SADAKA, Mariam ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0805 ,  H01L2224/0807 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80048 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/8583 ,  H01L2224/85897 ,  H01L2224/85898 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: Methods of bonding together semiconductor structures include annealing metal of a feature on a semiconductor structure prior to directly bonding the feature to a metal feature of another semiconductor structure to form a bonded metal structure, and annealing the bonded metal structure after the bonding process. The thermal budget of the first annealing process may be at least as high as a thermal budget of a later annealing process. Additional methods involve forming a void in a metal feature, and annealing the metal feature to expand the metal of the feature into the void. Bonded semiconductor structures and intermediate structures are formed using such methods.

Abstract translation: 将半导体结构结合在一起的方法包括在将特征直接接合到另一半导体结构的金属特征之前的半导体结构上的特征的退火金属，以形成接合的金属结构，以及在接合工艺之后使接合的金属结构退火。 第一退火工艺的热预算可以至少等于后续退火工艺的热预算。 附加的方法包括在金属特征中形成空隙，并退火金属特征以将特征的金属扩展到空隙中。 使用这种方法形成结合的半导体结构和中间结构。

公开(公告)号：WO2012028793A3

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：PCT/FR2011000484

申请日：2011-08-31

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  VANDROUX LAURENT ,  DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC

Inventor： VANDROUX LAURENT ,  DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/98 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01R43/02 ,  C09J2205/31 ,  C09J2400/163 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/185 ,  H01L21/2007 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/05688 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/8002 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80905 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/05552

Abstract: A method of bonding between a first surface (1) provided with at least one copper zone (3), surrounded by a silicon oxide zone (4) and a second surface (1') comprises an operation of treating the first surface (1) with a plasma before the first surface (1) is brought into contact with the second surface (V). The plasma is generated from a gas source containing an agent for nitriding the silicon oxide and an agent for reducing the copper oxide, based on hydrogen. The gas source may comprise an N2/NH3 and/or N2/H2 gas mixture or even an N2O/H2 gas mixture or else ammonia gas, which then acts both as nitriding agent and reducing agent. The plasma obtained from this gas source then necessarily comprises nitrogen and hydrogen, thereby making it possible, in a single operation, to provide a strong bond between the first and second surfaces (1, 1').

Abstract translation: 设置有由氧化硅区域（4）包围的至少一个铜区域（3）的第一表面（1）和第二表面（1'）之间的接合方法包括处理第一表面（1）的操作， 在第一表面（1）与第二表面（V）接触之前具有等离子体。 基于氢气，从含有用于氮化氧化硅的试剂和用于还原氧化铜的试剂的气体源产生等离子体。 气源可以包括N 2 / NH 3和/或N 2 / H 2气体混合物或甚至N 2 O / H 2气体混合物或氨气，其然后作为氮化剂和还原剂起作用。 从该气体源获得的等离子体必然包含氮和氢，从而在单次操作中可以在第一和第二表面（1,1'）之间提供强结合。

公开(公告)号：WO2015050000A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：PCT/JP2014/074780

申请日：2014-09-19

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 香川　恵永 ,  藤井　宣年 ,  深沢　正永 ,  金口　時久 ,  萩本　賢哉 ,  青柳　健一 ,  三橋　生枝

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/065 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/03

Abstract: 　本技術はより簡単にクラック耐性を向上させることができるようにする半導体装置および固体撮像素子に関する。 半導体装置は、Si基板およびそのSi基板上に積層された配線層からなる上側基板と、Si基板およびそのSi基板上に積層された配線層からなり、上側基板と貼り合わされた下側基板とを有している。また、上側基板にはワイヤーボンディング用またはプロービング用のパッドが形成されており、そのパッドから下側基板のSi基板までの間の各配線層には、ワイヤーボンディング用またはプロービング用のパッドの角や辺部分を保護するためのパッドが放射線状に積層されて設けられている。本技術は、固体撮像素子に適用することができる。

Abstract translation: 本技术涉及一种可以更简单地提高抗裂性的半导体器件和固态成像元件。 半导体器件具有：包括Si衬底和层叠在Si衬底上的布线层的上侧衬底; 以及下侧基板，其包括Si基板和层叠在所述Si基板上的布线层，所述下侧基板固定在所述上侧基板。 此外，在上侧基板上形成引线接合用或探针用焊盘，并且设置用于保护引线接合用或探测用焊盘的角部和侧部的焊盘，以便径向堆叠 在衬底和下侧衬底的Si衬底之间的每个布线层上。 本技术可以应用于固态成像元件。

公开(公告)号：WO2012010662A3

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：PCT/EP2011062540

申请日：2011-07-21

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC

Inventor： DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/98 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L21/70 ,  H01L21/2007 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/05552

Abstract: Process for direct bonding a first (I) and a second (II) element, each element being provided with a surface comprising copper portions (6, 106) separated by a dielectric material (4, 104), said process comprising: A) a step of polishing said surfaces so that the surfaces to be joined can be direct bonded; B) a step of selectively forming a diffusion barrier (10, 110) on the copper portions (6, 106) of the first and second elements, the surface of the second diffusion barrier of the first and second elements being flush with said surface to within less than 5 nanometres; and C) a step of bringing the two surfaces into contact with each other so that the copper portions (6, 106) of one surface at least partially cover the copper portions (106, 6) of the other surface, and so that the surfaces are direct bonded.

Abstract translation: 用于直接接合第一（I）和第二（II）元件的方法，每个元件设置有包括由电介质材料（4,104）分隔的铜部分（6,106）的表面，所述方法包括：A） 对所述表面进行抛光的步骤，使得待接合的表面可以直接粘合; B）在第一和第二元件的铜部分（6,106）上选择性地形成扩散阻挡层（10,110）的步骤，第一和第二元件的第二扩散阻挡层的表面与所述表面齐平 小于5纳米; 以及C）使两个表面彼此接触的步骤，使得一个表面的铜部分（6,106）至少部分地覆盖另一个表面的铜部分（106,6），并且使得表面 是直接粘合。

公开(公告)号：WO2012010662A2

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：PCT/EP2011/062540

申请日：2011-07-21

Applicant: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ,  DI CIOCCIO, Léa ,  GUEGUEN, Pierric

Inventor： DI CIOCCIO, Léa ,  GUEGUEN, Pierric

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/70 ,  H01L21/2007 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/05552

Abstract: Procédé d'assemblage par collage direct d'un premier (I) et d'un deuxième (II) élément munis chacun d'une surface comportant des portions de cuivre (6, 106) séparées par un matériau diélectrique (4, 104), ledit procédé comportant : A) une étape de polissage desdites surfaces de sorte que les surfaces à assembler permettent un assemblage par collage, B) une étape de formation d'une deuxième barrière de diffusion (10, 110) sélectivement sur les portions de cuivre (6, 106) des premier et deuxième éléments, la surface de la deuxième barrière de diffusion des premier et deuxième éléments affleurant ladite surface avec un écart inférieur à 5 nanomètres, et C) une étape de mise en contact des deux surfaces de sorte que les portions de cuivre (6, 106) d'une surface recouvrent au moins en partie les portions de cuivre (106, 6) de l'autre surface, et de sorte qu'un collage direct soit obtenu entre les surfaces.

Abstract translation: 用于直接接合第一（I）和第二（II）元件的方法，每个元件设置有包括由电介质材料（4,104）分隔的铜部分（6,106）的表面，所述方法包括：A） 对所述表面进行抛光的步骤，使得待接合的表面可以直接粘合; B）在第一和第二元件的铜部分（6,106）上选择性地形成第二扩散阻挡层（10,110）的步骤，第一和第二元件的第二扩散阻挡层的表面与所述表面齐平 至少在5纳米以内; 以及C）使两个表面彼此接触的步骤，使得一个表面的铜部分（6,106）至少部分地覆盖另一个表面的铜部分（106,6），并且使得表面 是直接粘合。