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公开(公告)号：WO2013045348A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/068577
申请日：2012-09-20
Applicant: ROBERT BOSCH GMBH , MICHELS, Daniel , GREEN, Simon
Inventor： MICHELS, Daniel , GREEN, Simon
IPC: H01L23/495 , H01L21/48 , H01L23/31 , B24C1/00
CPC classification number: H01L24/27 , B24C1/06 , B24C11/00 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/3142 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49586 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2224/26175 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/4847 , H01L2224/83047 , H01L2224/83385 , H01L2224/8592 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Lötverbindung zwischen zumindest einem Basisteil (2) und zumindest einem ersten Bauteil (3), umfassend die Schritte: Bereitstellen des Basisteils (2), teilweises Strahlen einer Oberfläche des Basisteils (2) mit einem SACO-Strahlmittel, dessen Strahlgut (50) eine Silikatbeschichtung (52) aufweist, derart, dass ein SACO-gestrahlter Bereich (20) und ein ungestrahlter Positionierungsbereich (40) vorhanden sind, und Anlöten des zumindest ersten Bauteils (3) auf dem ungestrahlten Positionierungsbereich (40), wobei der SACO-gestrahlte Bereich (20) als Lötstopp fungiert.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造焊接接头的至少一个基座部分（2）之间和至少一个第一部件（3），包括以下步骤：提供所述基体部分（2），分光束的基座部分（2）与SACO爆破材料的表面 ，喷砂材料（50）包括硅酸盐涂层（52），使得SACO喷射加工部（20）和一个ungestrahlter定位部分（40）都存在，并焊接所述至少所述第一部件（3）上的ungestrahlten定位部（40） 其中SACO喷砂区域（20）充当焊料停止。
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公开(公告)号：WO2014131960A1
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：PCT/FR2014/050269
申请日：2014-02-12
Inventor： BENAISSA, Lamine , GONDCHARTON, Paul , IMBERT, Bruno
IPC: H01L21/18
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/187 , H01L33/0079 , H01L2224/83031 , H01L2224/83047 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/157 , Y10T428/12493 , Y10T428/12528
Abstract: Procédé d'obtention d'une surface de collage pour collage direct Le procédé comprend -a) Fournir un substrat de base (1) fritté métallique présentant une surface de base (2)comportant une rugosité RMS inférieure 6 nanomètres et une rugosité PV inférieure à 100 nanomètres, -b) Bombarder d'espèces ioniques ladite surface de base (2), -c) Déposer une couche métallique (4) sur ladite surface de base (2), -d) Effectuer un polissage mécanique et/ou chimique d'une surface exposée de la couche métallique (4). L'invention concerne également une structure (800) comprenantun substrat de base (1) fritté métallique dont la surface de base (2) est formée au moins en partie d'un matériau métallique comprenant des espèces ioniques implantées par bombardementsur la surface de base (2), une couche métallique (4) de compostion chimique identique à celle du substrat de base (1) métalliqueet comportant une surface de collage (500) présentantune rugosité RMS inférieure0,6 nanomètreet une rugosité PV inférieure à 10 nanomètres.
Abstract translation: 本发明涉及一种获得用于直接接合的接合面的方法。 该方法包括：a）基于具有RMS粗糙度低于6纳米且PV粗糙度低于100纳米的基底表面（2）的烧结金属提供基底（1）; b）用离子种类轰击所述基底表面（2）; c）在所述基面（2）上沉积金属层（4）; 以及d）对所述金属层（4）的暴露表面进行机械和/或化学抛光。 本发明还涉及一种结构（800），其包括基于烧结金属的基底（1），其基底表面（2）至少部分地由包含通过轰击基底表面（2）而植入的离子物质的金属形成， 和与金属基底（1）相同的化学组成的金属层（4），并且包括RMS粗糙度低于0.6纳米，PV粗糙度低于10纳米的接合面（500）。
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公开(公告)号：WO2006103949A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/JP2006/305274
申请日：2006-03-16
Applicant: 松下電器産業株式会社 , 辛島 靖治 , 北江 孝史 , 中谷 誠一
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/563 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13099 , H01L2224/1319 , H01L2224/1329 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/165 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29291 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/73204 , H01L2224/75 , H01L2224/83047 , H01L2224/83091 , H01L2224/83097 , H01L2224/83192 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/8388 , H01L2224/83886 , H01L2224/83887 , H01L2225/06513 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01067 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/1579 , H01L2924/30105 , H01L2924/381 , H05K3/323 , H05K2201/10674 , H05K2203/087 , Y10T156/1744 , H01L2924/00011 , H01L2924/066 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: A flip chip mounting method and a method for connecting substrates, which are applicable to next generation LSI flip chip mounting and have high productivity and reliability. A circuit board (21) having a plurality of connecting terminals (11) and a semiconductor chip (20) having a plurality of electrode terminals (12) are arranged to face each other, and a resin (13) containing conductive particles (12) and an air bubble generating agent is supplied to a space between the circuit board and the semiconductor chip. In such state, the resin (13) is heated, air bubbles (30) are generated from the air bubble generating agent contained in the resin (13), and the resin (13) is pushed to the outside of the air bubbles (30) by growth of the generated air bubbles (30). The pushed out resin (13) are self-collected between the circuit board (10) and the terminals of the semiconductor chip (20) in a column shape. In such state, by pressing the semiconductor chip (20) to the circuit board (10), the conductive particles (12) contained in the self-collected resin (13) between the facing terminals are brought into mutual contact, and the terminals are electrically connected.
Abstract translation: 一种用于连接基板的倒装芯片安装方法和方法，其适用于下一代LSI倒装芯片安装，并且具有高生产率和可靠性。 具有多个连接端子（11）的电路板（21）和具有多个电极端子（12）的半导体芯片（20）彼此相对地布置，并且包含导电颗粒（12）的树脂（13） 并且气泡发生剂被供应到电路板和半导体芯片之间的空间。 在这种状态下，树脂（13）被加热，由树脂（13）中包含的气泡产生剂产生气泡（30），树脂（13）被推到气泡的外侧 ）产生的气泡（30）的生长。 推出的树脂（13）在电路板（10）和半导体芯片（20）的端子之间自行收集成柱状。 在这种状态下，通过将半导体芯片（20）按压到电路基板（10），包含在面对端子之间的自收集树脂（13）中的导电粒子（12）相互接触，并且端子 电连接。
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公开(公告)号：WO2016083332A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：PCT/EP2015/077424
申请日：2015-11-24
Applicant: IMEC VZW
Inventor： KIM, Soon-Wook , PENG, Lan , VERDONCK, Patrick , MILLER, Robert , BEYER, Gerald , BEYNE, Eric
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/02065 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/31053 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03616 , H01L2224/03845 , H01L2224/03848 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05576 , H01L2224/05686 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/32501 , H01L2224/80097 , H01L2224/80201 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/83031 , H01L2224/83047 , H01L2224/83048 , H01L2224/83359 , H01L2924/00012 , H01L2924/0504 , H01L2924/00014 , H01L2924/20106 , H01L2924/2011
Abstract: A method for bonding a first semiconductor substrate to a second semiconductor substrate by direct bonding is described. The substrates are both provided on their contact surfaces with a dielectric layer, followed by a CMP step for reducing the roughness of the dielectric layer. Then a layer of SiCN is deposited onto the dielectric layer, followed by a CMP step which reduces the roughness of the SiCN layer to the order of 1 tenth of a nanometre. Then the substrates are subjected to a pre-bond annealing step and then bonded by direct bonding, possibly preceded by one or more pre- treatments of the contact surfaces, and followed by a post- bond annealing step, at a temperature of less than or equal to 250°C. It has been found that the bond strength is excellent, even at the above named annealing temperatures, which are lower than presently known in the art.
Abstract translation: 描述通过直接接合将第一半导体衬底接合到第二半导体衬底的方法。 这些基板都在其接触表面上设置有电介质层，接着是用于减小电介质层粗糙度的CMP步骤。 然后将一层SiCN沉积到介电层上，随后是CMP步骤，其将SiCN层的粗糙度降低到十分之一纳米。 然后将基板进行预结合退火步骤，然后通过直接接合进行粘合，可能之前是接触表面的一个或多个预处理，然后是后接合退火步骤，其温度低于或等于 等于250°C。 已经发现，即使在上述命名的退火温度下，粘合强度也是优异的，其比现有技术中已知的低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2013174976A1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：PCT/EP2013/060733
申请日：2013-05-24
Applicant: OCE-TECHNOLOGIES B.V.
Inventor： LAMERS, Norbert, H., W.
IPC: B41J2/14
CPC classification number: H01L24/27 , B41J2/14 , B41J2/14024 , H01L24/83 , H01L2224/27312 , H01L2224/278 , H01L2224/83047 , H01L2224/83143 , H01L2224/8385
Abstract: A method is provided for bonding a chip to a substrate, the method comprising the steps of providing a chip, providing a substrate, providing a recess in one of the chip and the substrate, arranging the chip and the substrate in contact with each other thereby forming a predetermined contact area and at least partly covering the recess by the other one of the chip and the substrate, and providing an amount of liquid adhesive in the recess for providing a bonding layer.
Abstract translation: 提供了一种将芯片接合到基板的方法，所述方法包括以下步骤：提供芯片，提供基板，在芯片和基板中的一个中设置凹部，使芯片和基板彼此接触，从而 形成预定的接触面积，并且通过芯片和衬底中的另一个至少部分地覆盖凹部，并且在凹部中提供一定量的液体粘合剂以提供粘合层。
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6.发明申请METHOD FOR ASSEMBLING A MEMBER OF A HOLDER BY SINTERING A CONDUCTING POWDER MASS 审中-公开通过烧结粉末质量来组装支架的构件的方法
公开(公告)号：WO2008145930A3
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/FR2008050741
申请日：2008-04-23
Applicant: VALEO ETUDES ELECTRONIQUES , MORELLE JEAN-MICHEL , VIVET LAURENT , MEDINA MATHIEU , DIMELLI SANDRA
Inventor： MORELLE JEAN-MICHEL , VIVET LAURENT , MEDINA MATHIEU , DIMELLI SANDRA
IPC: H01L21/60 , H01L21/603
CPC classification number: H01L24/75 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/75 , H01L2224/75745 , H01L2224/83047 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83208 , H01L2224/8384 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01061 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: The method of the invention comprises placing the conducting powder mass (16) on a holder (14) and the member (12) on the mass (16) and applying a compression force of the member (12) against the mass (16) and the holder (14) before heating the mass (16). The intensity is increased from an initial value up to a predetermined agglomeration value of the conducting powder mass (16) lower than a plastic deformation threshold of the mass (16). The method then comprises maintaining the intensity at the first predetermined value for a predetermined agglomeration duration of the mass (16). Finally, the method comprises increasing the intensity from the first value to a second predetermined value lower than a critical damage threshold of the member (12) but higher than a minimum sintering threshold of the conducting powder mass (16) for a predetermined temperature, the second predetermined value being higher than the first predetermined value.
Abstract translation: 本发明的方法包括将导电粉末块（16）放置在保持器（14）上并将构件（12）放置在质量块（16）上并且将构件（12）的压力施加到质量块（16）上，以及 所述保持器（14）在加热所述质量块（16）之前。 强度从初始值增加到导电粉末质量（16）的预定聚集值低于质量（16）的塑性变形阈值。 该方法然后包括将强度保持在第一预定值以达到质量（16）的预定的聚集持续时间。 最后，该方法包括将强度从第一值增加到比构件（12）的临界损伤阈值低但高于导电粉末质量（16）的预定温度的最小烧结阈值的第二预定值， 第二预定值高于第一预定值。
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公开(公告)号：WO2007043152A1
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：PCT/JP2005/018557
申请日：2005-10-06
CPC classification number: H01L24/27 , H01L21/563 , H01L21/67126 , H01L21/67144 , H01L21/6715 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L24/97 , H01L2221/68354 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/29 , H01L2224/29012 , H01L2224/29036 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/3003 , H01L2224/30151 , H01L2224/30156 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/75317 , H01L2224/756 , H01L2224/75743 , H01L2224/75745 , H01L2224/81001 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/83001 , H01L2224/8303 , H01L2224/83047 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/838 , H01L2224/97 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 接着剤を用いて電子部品を基板に実装（例えばフリップチップ実装）し、該接着剤内部における気泡の発生を低減した、高性能かつ信頼性の高い半導体装置及びその低コストで高効率な製造方法を提供することを目的とする。 本発明の半導体装置の製造方法は、バンプを有する電子部品と、該バンプに対応したボンディングパッド１２を有する基板１０との間であって基板１０上の少なくとも一部に、電子部品と基板１０とを接着させる接着剤２２を供給する供給工程と、供給された接着剤２２の基板１０との接触総面積をＳ ０ とし、流延後の接着剤２２の基板１０との接触総面積をＳ １ としたとき、次式、Ｓ １ ／Ｓ ０ ＞１、を充たすように、流延手段（例えば噴出ノズル）３０により接着剤２２を流延する流延工程と、バンプをボンディングパッド１２に当接させた状態で、接着剤２２を電子部品と基板１０とに接触させつつ、該接着剤２２を硬化させる硬化工程とを少なくとも含む。
Abstract translation: 高性能和高可靠性的半导体器件，其中使用粘合剂将电子部件安装在基板上（例如，倒装芯片安装）以减少粘合剂内部气泡的产生，以及 本发明的目的是提供一种低成本和高效率的制造方法。 根据本发明的用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在具有凸块的电子部件和具有与凸块对应的接合焊盘的衬底之间的衬底的至少一部分上形成电子部件和衬底， 提供用于在铸造之后将粘合剂22粘合到粘合剂22的基板10上的粘合剂22并且将所提供的粘合剂22与基板10的总接触面积设定为S 0 并且满足以下表达式：S 1 / S 0 > 1，其中S 1 借助于铸造粘合剂22（例如喷嘴）30，在邻接的接触凸块到键合焊盘12，而在电子部件和基板10，粘接剂上接触粘合剂22的铸造工序 和固化剂22的固化步骤。
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8.发明申请PROCEDE D'ASSEMBLAGE D'UN ORGANE SUR UN SUPPORT PAR FRITTAGE D'UNE MASSE DE POUDRE CONDUCTRICE 审中-公开通过烧结粉末质量来组装支架的构件的方法
公开(公告)号：WO2008145930A2
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/FR2008/050741
申请日：2008-04-23
Applicant: VALEO ETUDES ELECTRONIQUES , MORELLE, Jean-Michel , VIVET, Laurent , MEDINA, Mathieu , DIMELLI, Sandra
Inventor： MORELLE, Jean-Michel , VIVET, Laurent , MEDINA, Mathieu , DIMELLI, Sandra
IPC: H01L21/60 , H01L21/603 , H01L21/00 , H05K3/02
CPC classification number: H01L24/75 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/75 , H01L2224/75745 , H01L2224/83047 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83208 , H01L2224/8384 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01061 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: Dans ce procédé, on met en place la masse (16) sur le support (14) puis l'organe (12) sur la masse (16) et on applique une force de compression de l'organe (12) contre la masse (16) et le support (14), avant de chauffer la masse (16). On augmente l'intensité depuis une valeur initiale jusqu'à une première valeur prédéfinie d'agglomération de la masse (16), inférieure à un seuil de déformation plastique de la masse (16). Puis, on maintient l'intensité à la première valeur prédéfinie pendant une durée prédéterminée d'agglomération de la masse (16). Enfin, on augmente l'intensité de la première valeur jusqu'à une deuxième valeur prédéfinie inférieure à un seuil critique d'endommagement de l'organe (12) mais supérieure à un seuil minimal de frittage de la masse (16) pour une température prédéterminée, la deuxième valeur prédéfinie étant supérieure à la première valeur prédéfinie.
Abstract translation: 本发明的方法包括将质量块（16）放置在保持器（14）上并将构件（12）放置在质量块（16）上并且将构件（12）的压力施加到质量块（16）上，并且保持器 （14），然后加热质量块（16）。 强度从初始值增加到质量（16）的预定聚集值低于质量（16）的塑性变形阈值。 该方法然后包括将强度保持在第一预定值以达到质量（16）的预定的聚集持续时间。 最后，该方法包括将强度从第一值增加到比构件（12）的临界损伤阈值低的第二预定值，但高于预定温度下质量块（16）的最小烧结阈值，第二预定值 值高于第一预定值。
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公开(公告)号：WO2007043152A9
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：PCT/JP2005018557
申请日：2005-10-06
Applicant: FUJITSU LTD , NISHIMURA TAKAO , NAKAMURA KOUICHI
Inventor： NISHIMURA TAKAO , NAKAMURA KOUICHI
CPC classification number: H01L24/27 , H01L21/563 , H01L21/67126 , H01L21/67144 , H01L21/6715 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L24/97 , H01L2221/68354 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/29 , H01L2224/29012 , H01L2224/29036 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/3003 , H01L2224/30151 , H01L2224/30156 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/75317 , H01L2224/756 , H01L2224/75743 , H01L2224/75745 , H01L2224/81001 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/83001 , H01L2224/8303 , H01L2224/83047 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/838 , H01L2224/97 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/05599
Abstract: Provided are a high-performance and highly reliable semiconductor device wherein an electronic component is mounted on a substrate (for instance, by flip-chip mounting) by using an adhesive and generation of air bubbles are reduced in the adhesive, and a method for manufacturing such semiconductor device at a low cost with high efficiency. The method for manufacturing the semiconductor device includes at least a supplying step, a flow casting step, and a hardening step. In the supplying step, the adhesive (22) for bonding the electronic component on the substrate (10) is supplied at least on a part on the substrate (10) between the electronic component having bumps and the substrate (10) having bonding pads (12) corresponding to the bumps. In the flow casting step, the adhesive (22) is flow-cast by a flow-casting means (for instance, a jetting nozzle) (30) to satisfy an inequality of S 1 /S 0 >1, wherein, S 0 is a total contact area of the supplied adhesive (22) with the substrate (10), and S 1 is a total noncontact area of the adhesive (22) with the substrate (10) after flow-casting. In the hardening step, the adhesive (22) is hardened, while bringing the adhesive (22) into contact with the electronic component and the substrate (10), in a status where the bumps are permitted to abut to the bonding pads (12).
Abstract translation: 提供了一种高性能且高可靠性的半导体器件，其中通过使用粘合剂将电子部件安装在基板上（例如通过倒装芯片安装），并且粘合剂中的气泡的产生减少，并且制造方法 这种半导体器件以低成本高效率。 半导体器件的制造方法至少包括供给步骤，流延步骤和硬化步骤。 在供给工序中，将电子部件接合在基板（10）上的粘合剂（22）至少在具有凸块的电子部件和具有接合焊盘的基板（10）之间的基板（10）的一部分上供给 12）。 在流动铸造步骤中，粘合剂（22）通过流铸装置（例如，喷射喷嘴）（30）流动铸塑以满足S＆lt; 1＆lt; 1＆lt; SUB＆lt; SUB > 0 > 1，其中，S O 0是所提供的粘合剂（22）与基底（10）的总接触面积，S 1是 在流延之后粘合剂（22）与基底（10）的总非接触区域。 在硬化步骤中，粘合剂（22）硬化，同时使粘合剂（22）与电子部件和基板（10）接触，在凸块被允许抵靠接合焊盘（12）的状态下， 。
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