公开(公告)号：WO2015040784A1

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：PCT/JP2014/004197

申请日：2014-08-18

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 樋口　裕一 ,  新井　秀幸

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/34 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/80 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08057 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05442

Abstract: 　半導体装置は、半導体基板の主面上に順次形成され、機能素子と、配線層と、接合電極を含む接続層とを有する第１積層体と、半導体基板の主面上に順次形成され、機能素子と、配線層と、接合電極を含む接続層とを有する第２積層体とを備えている。第１積層体と第２積層体とは、接合電極と接合電極とが互いに対向して直接接合することにより接合されており、第１積層体と第２積層体との接合界面の一部には、空間部が形成されている。

Abstract translation: 一种半导体装置，具备：具有功能元件的第一层叠体，布线层和包括接合电极的连接层，所述第一层叠体依次形成在半导体衬底的主表面上; 以及具有功能元件，布线层和包括接合电极的连接层的第二层压制品，所述第二层叠制品依次形成在所述半导体衬底的主表面上。 第一层叠体和第二层叠体通过彼此直接接合的接合电极而相互连接，并且在第一层叠体与第二层叠体的接合界面的一部分形成空间部 文章。

公开(公告)号：WO2012067992A2

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：PCT/US2011/060553

申请日：2011-11-14

Applicant: TESSERA, INC. ,  HABA, Belgacem

Inventor： HABA, Belgacem

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16221 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2224/29026 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: An assembly 100 and method of making same are provided. The assembly 100 can include a first component 105 including a dielectric region 120 having an exposed surface 122, a conductive pad 134 at the surface 122 defined by a conductive element 132 having at least a portion extending in an oscillating or spiral path along the surface 122, and a an electrically conductive bonding material 140 joined to the conductive pad 134 and bridging an exposed portion 137 of the dielectric surface 122 between adjacent segments 136, 138. The conductive pad 134 can permit electrical interconnection of the first component 105 with a second component 107 having a terminal 108 joined to the pad 134 through the electrically conductive bonding material 140. The path of the conductive element 132 may or may not overlap or cross itself.

Abstract translation: 提供了组件100及其制造方法。 组件100可以包括第一部件105，第一部件105包括具有暴露表面122的电介质区域120，在表面122处的导电垫134由导电元件132限定，该导电元件132具有沿着表面122在振荡或螺旋路径中延伸的至少一部分 以及结合到导电焊盘134并桥接相邻段136,138之间的电介质表面122的暴露部分137的导电结合材料140.导电焊盘134可以允许第一部件105与第二部件 107，其具有通过导电结合材料140连接到焊盘134的端子108.导电元件132的路径可以重叠或不重叠。

公开(公告)号：WO2015121199A3

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/EP2015052647

申请日：2015-02-09

Applicant: AMS AG

Inventor： SCHREMS MARTIN ,  STERING BERNHARD ,  ETSCHMAIER HARALD

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: The semiconductor device comprises a semiconductor substrate (1) with a main surface (10) and a further main surface (11) opposite the main surface, a TSV (3) penetrating the substrate from the main surface to the further main surface, a metallization (13) of the TSV, an under-bump metallization (5) and a bump contact (6) at least partially covering the TSV at the further main surface. The TSV (3) comprises a cavity (15), which may be filled with a gas or liquid. An opening (15') of the cavity is provided to expose the cavity to the environment.

Abstract translation: 半导体器件包括具有主表面（10）和与主表面相对的另一主表面（11）的半导体衬底（1），从主表面穿透衬底到另一主表面的TSV（3），金属化 （13），凸块下金属化部（5）和至少部分地在另一个主表面处覆盖TSV的凸块接触部（6）。 TSV（3）包括空腔（15），其可以填充有气体或液体。 提供空腔的开口（15'）以将空腔暴露于环境。

公开(公告)号：WO2014125861A2

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：PCT/JP2014/050655

申请日：2014-01-16

Applicant: オリンパス株式会社

Inventor： 齊藤　晴久 ,  只木　芳隆 ,  右田　千裕

IPC: H01L21/60 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/563 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/11826 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13552 ,  H01L2224/1356 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81009 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81092 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8138 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2924/014

公开(公告)号：WO2008142839A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：PCT/JP2008/001166

申请日：2008-05-09

Applicant: パナソニック株式会社 ,  戸村善広 ,  登一博 ,  山田雄一郎 ,  熊澤謙太郎 ,  岩瀬鉄平

Inventor： 戸村善広 ,  登一博 ,  山田雄一郎 ,  熊澤謙太郎 ,  岩瀬鉄平

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05076 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　バンプ電極１４と半導体チップ表面に形成された電極パッド６の間に、バンプ電極１４の先端よりも面積が大きく、厚みが前記バンプ電極１４の高さよりも薄く、ヤング率が前記バンプ電極１４よりも小さい扁平形状の台座電極１３を介装したので、この半導体チップ３を基板１にフリップチップ実装した状態では、バンプ電極１４が塑性変形するとともに、台座電極１３が適切に弾性変形して、良好な導通状態が得られる。

Abstract translation: 在凸起电极（14）和形成在半导体芯片表面上的电极焊盘（6）之间放置有平面状的工作台电极（13）。 台面电极（13）的面积大于突起电极（14）的前端，其厚度小于突起电极（14）的高度，杨氏模量小于突起电极（14）。 当半导体芯片（3）倒装芯片安装在基板（1）上时，突起电极（14）发生塑性变形，并且台面电极（13）被适当地弹性变形，从而获得优选的导电状态。

公开(公告)号：WO2016083332A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：PCT/EP2015/077424

申请日：2015-11-24

Applicant: IMEC VZW

Inventor： KIM, Soon-Wook ,  PENG, Lan ,  VERDONCK, Patrick ,  MILLER, Robert ,  BEYER, Gerald ,  BEYNE, Eric

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31053 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/83031 ,  H01L2224/83047 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/2011

Abstract: A method for bonding a first semiconductor substrate to a second semiconductor substrate by direct bonding is described. The substrates are both provided on their contact surfaces with a dielectric layer, followed by a CMP step for reducing the roughness of the dielectric layer. Then a layer of SiCN is deposited onto the dielectric layer, followed by a CMP step which reduces the roughness of the SiCN layer to the order of 1 tenth of a nanometre. Then the substrates are subjected to a pre-bond annealing step and then bonded by direct bonding, possibly preceded by one or more pre- treatments of the contact surfaces, and followed by a post- bond annealing step, at a temperature of less than or equal to 250°C. It has been found that the bond strength is excellent, even at the above named annealing temperatures, which are lower than presently known in the art.

Abstract translation: 描述通过直接接合将第一半导体衬底接合到第二半导体衬底的方法。 这些基板都在其接触表面上设置有电介质层，接着是用于减小电介质层粗糙度的CMP步骤。 然后将一层SiCN沉积到介电层上，随后是CMP步骤，其将SiCN层的粗糙度降低到十分之一纳米。 然后将基板进行预结合退火步骤，然后通过直接接合进行粘合，可能之前是接触表面的一个或多个预处理，然后是后接合退火步骤，其温度低于或等于 等于250°C。 已经发现，即使在上述命名的退火温度下，粘合强度也是优异的，其比现有技术中已知的低。

公开(公告)号：WO2012028793A3

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：PCT/FR2011000484

申请日：2011-08-31

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  VANDROUX LAURENT ,  DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC

Inventor： VANDROUX LAURENT ,  DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/98 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01R43/02 ,  C09J2205/31 ,  C09J2400/163 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/185 ,  H01L21/2007 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/05688 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/8002 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80905 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/05552

Abstract: A method of bonding between a first surface (1) provided with at least one copper zone (3), surrounded by a silicon oxide zone (4) and a second surface (1') comprises an operation of treating the first surface (1) with a plasma before the first surface (1) is brought into contact with the second surface (V). The plasma is generated from a gas source containing an agent for nitriding the silicon oxide and an agent for reducing the copper oxide, based on hydrogen. The gas source may comprise an N2/NH3 and/or N2/H2 gas mixture or even an N2O/H2 gas mixture or else ammonia gas, which then acts both as nitriding agent and reducing agent. The plasma obtained from this gas source then necessarily comprises nitrogen and hydrogen, thereby making it possible, in a single operation, to provide a strong bond between the first and second surfaces (1, 1').

Abstract translation: 设置有由氧化硅区域（4）包围的至少一个铜区域（3）的第一表面（1）和第二表面（1'）之间的接合方法包括处理第一表面（1）的操作， 在第一表面（1）与第二表面（V）接触之前具有等离子体。 基于氢气，从含有用于氮化氧化硅的试剂和用于还原氧化铜的试剂的气体源产生等离子体。 气源可以包括N 2 / NH 3和/或N 2 / H 2气体混合物或甚至N 2 O / H 2气体混合物或氨气，其然后作为氮化剂和还原剂起作用。 从该气体源获得的等离子体必然包含氮和氢，从而在单次操作中可以在第一和第二表面（1,1'）之间提供强结合。

公开(公告)号：WO2011058680A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：PCT/JP2010/004262

申请日：2010-06-28

Applicant: パナソニック株式会社 ,  平野博茂 ,  伊藤史人 ,  萩原清己 ,  岩瀬鉄平 ,  太田行俊

Inventor： 平野博茂 ,  伊藤史人 ,  萩原清己 ,  岩瀬鉄平 ,  太田行俊

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 　半導体装置は、半導体基板（１）の上に形成された電極パッド（６）と、電極パッド（６）の上に形成され、且つ、電極パッド（６）の一部が露出する第１開口部を有する第１絶縁膜（７）と、第１絶縁膜（７）の上に形成され、且つ、第１開口部における少なくとも一部が露出する第２開口部を有する第２絶縁膜（８）と、第２絶縁膜（８）及び電極パッド（６）の上に形成された第１の金属層（１０）とを備えている。第１の金属層（１０）は、第２絶縁膜（８）の表面における第２開口部の外側である第１領域と電極パッド（６）の表面における第２開口部の内側である第２領域とにより挟まれる第３領域により分離されている。

Abstract translation: 公开了一种半导体器件，其设置有形成在半导体衬底（1）上的电极焊盘（6）; 形成在所述电极焊盘（6）上的第一绝缘膜（7），具有从所述电极焊盘（6）的一部分露出的第一开口; 形成在第一绝缘膜（7）上的第二绝缘膜（8），具有第一开口的至少一部分露出的第二开口; 以及形成在所述第二绝缘膜（8）和所述电极焊盘（6）上的第一金属层（10）。 第一金属层（10）通过夹在第二绝缘膜（8）的表面上的第一区域之间的第三区域分开，所述第一区域在第二开口的外侧，第二区域 电极焊盘（6）的表面，所述第二区域位于第二开口内。

公开(公告)号：WO2010009553A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：PCT/CA2009/001039

申请日：2009-07-23

Applicant: ATI TECHNOLOGIES ULC ,  MCLELLAN, Neil ,  GUO, Fei ,  CHUNG, Daniel ,  CHEUNG, Terence

Inventor： MCLELLAN, Neil ,  GUO, Fei ,  CHUNG, Daniel ,  CHEUNG, Terence

IPC: H01G13/00 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01G4/008 ,  H01G4/01 ,  H01G4/33 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/642 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1133 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: Various on-chip capacitors and methods of making the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing a capacitor is provided that includes forming a first conductor structure on a semiconductor chip and forming a passivation structure on the first conductor structure. An under bump metallization structure is formed on the passivation structure. The under bump metallization structure overlaps at least a portion of the first conductor structure to provide a capacitor.

Abstract translation: 公开了各种片上电容器及其制造方法。 一方面，提供一种制造电容器的方法，包括在半导体芯片上形成第一导体结构，并在第一导体结构上形成钝化结构。 在钝化结构上形成凹凸金属化结构。 凸起下金属化结构与第一导体结构的至少一部分重叠以提供电容器。

公开(公告)号：WO2015121199A2

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：PCT/EP2015/052647

申请日：2015-02-09

Applicant: AMS AG

Inventor： SCHREMS, Martin ,  STERING, Bernhard ,  ETSCHMAIER, Harald

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: The semiconductor device comprises a semiconductor substrate (1) with a main surface (10) and a further main surface (11) opposite the main surface, a TSV (3) penetrating the substrate from the main surface to the further main surface, a metallization (13) of the TSV, an under-bump metallization (5) and a bump contact (6) at least partially covering the TSV at the further main surface. The TSV (3) comprises a cavity (15), which may be filled with a gas or liquid. An opening (15') of the cavity is provided to expose the cavity to the environment.

Abstract translation: 半导体器件包括具有主表面（10）和与主表面相对的另一主表面（11）的半导体衬底（1），从主表面到另一主表面穿透衬底的TSV（3），金属化 （13），凸块下金属化（5）和凸起接触（6），其至少部分地覆盖在另一主表面处的TSV。 TSV（3）包括可以填充有气体或液体的空腔（15）。 提供空腔的开口（15'）以将空腔暴露于环境中。