公开(公告)号：WO2015107290A2

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：PCT/FR2015050052

申请日：2015-01-09

Applicant: COMMISSARIAT L ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Inventor： DEGUET CHRYSTEL ,  FOURNEL FRANK ,  MORICEAU HUBERT ,  SANCHEZ LOIC

IPC: H01L21/58

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/0519 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75841 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80019 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/802 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80385 ,  H01L2224/80424 ,  H01L2224/80444 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2924/05442 ,  H01L21/78

Abstract: This process comprises: placing (70) chips in preset locations by attracting a transfer layer of the chip using a pad, the attractive force between the transfer layer and the pad being a force chosen from the group composed of a magnetic force, an electrostatic force and an electromagnetic force; and bonding (74) the chips thus placed on respective receiving zones of an active side of a receiver substrate, this bonding comprising: preparing (30, 62, 72) bonding sides of the chips and the receiving zones so that they are able to bond without adhesive, then in step c), bringing (78) each bonding side into direct contact with its respective receiving zone and thus bonding the chips to the receiver substrate without adhesive.

Abstract translation: 该方法包括：通过使用焊盘吸引芯片的转移层来将（70）芯片放置在预设位置，转移层和焊盘之间的吸引力是从由磁力，静电力 和电磁力; 并且将由此放置在接收器基板的有源侧的相应接收区上的芯片接合（74），该接合包括：准备（30,62,72）将芯片和接收区域粘合在一起，使得它们能够结合 没有粘合剂，然后在步骤c）中，使（78）每个粘合侧与其相应的接收区域直接接触，并且因此将芯片粘合到接收器基底而没有粘合剂。

公开(公告)号：WO2017005716A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：PCT/EP2016/065765

申请日：2016-07-05

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： FRANKE, Martin ,  FRÜHAUF, Peter ,  KNOFE, Rüdiger ,  MÜLLER, Bernd ,  NERRETER, Stefan ,  NIEDERMAYER, Michael ,  WITTREICH, Ulrich ,  ZÄSKE, Manfred

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/4878 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/4275 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/08245 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2924/00014

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer kühlbaren elektronischen Komponente (12), indem ein Kühlelement (13) mit dieser verbunden wird. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Verbindung durch Anschieben, auch direktes Bonden genannt, erzeugt wird, wobei die Fügeflächen der elektronischen Komponente (12) und des Kühlelements (13) so glatt sind, dass in einem Übergang zwischen diesen beiden Bauteilen (15) Adhäsionskräfte zu einem Stoffschluss führen. Dieser Stoffschluss kann durch ein anschließendes Kaltverschweißen weiter gefestigt werden. Der Vorteil des entstandenen Übergangs (15) ist ein im Vergleich zu Übergängen mit einem Fügehilfsstoff geringerer thermischer Widerstand, weswegen vorteilhaft die elektronische Komponente (12) durch das Kühlelement (13) effektiver entwärmt werden kann. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Baugruppe, die nach dem genannten Verfahren hergestellt wurde.

Abstract translation: 本发明涉及通过冷却元件（13）与其连接的制造可冷却的电子元件（12）的方法。 根据本发明，它提供了通过推动连接，也直接接合称为产生，其中，所述电子元件（12）和所述冷却元件（13）的接合表面是十分光滑，在（15）至粘附这两个部件之间的过渡 导致材料连接。 这种粘结可通过随后的冷焊接得到进一步加强。 相比于具有接合佐剂通过冷却元件（13）转变较低的热阻，因此有利地将电子部件（12）所得到的过渡（15）的优点，被有效地冷却。 本发明也是一个组件，其通过相同的步骤制备。

公开(公告)号：WO2016083332A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：PCT/EP2015/077424

申请日：2015-11-24

Applicant: IMEC VZW

Inventor： KIM, Soon-Wook ,  PENG, Lan ,  VERDONCK, Patrick ,  MILLER, Robert ,  BEYER, Gerald ,  BEYNE, Eric

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31053 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/83031 ,  H01L2224/83047 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/2011

Abstract: A method for bonding a first semiconductor substrate to a second semiconductor substrate by direct bonding is described. The substrates are both provided on their contact surfaces with a dielectric layer, followed by a CMP step for reducing the roughness of the dielectric layer. Then a layer of SiCN is deposited onto the dielectric layer, followed by a CMP step which reduces the roughness of the SiCN layer to the order of 1 tenth of a nanometre. Then the substrates are subjected to a pre-bond annealing step and then bonded by direct bonding, possibly preceded by one or more pre- treatments of the contact surfaces, and followed by a post- bond annealing step, at a temperature of less than or equal to 250°C. It has been found that the bond strength is excellent, even at the above named annealing temperatures, which are lower than presently known in the art.

Abstract translation: 描述通过直接接合将第一半导体衬底接合到第二半导体衬底的方法。 这些基板都在其接触表面上设置有电介质层，接着是用于减小电介质层粗糙度的CMP步骤。 然后将一层SiCN沉积到介电层上，随后是CMP步骤，其将SiCN层的粗糙度降低到十分之一纳米。 然后将基板进行预结合退火步骤，然后通过直接接合进行粘合，可能之前是接触表面的一个或多个预处理，然后是后接合退火步骤，其温度低于或等于 等于250°C。 已经发现，即使在上述命名的退火温度下，粘合强度也是优异的，其比现有技术中已知的低。

公开(公告)号：WO2016180917A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/EP2016/060653

申请日：2016-05-12

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： TAUZIN, Aurélie ,  IMBERT, Bruno

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/7806 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/3245 ,  H01L21/76254 ,  H01L24/80 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80055 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/8009 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335

Abstract: Le procédé est réalisé entre un premier substrat (1) comprenant une première couche d'un premier matériau et un second substrat (2) comprenant une seconde couche (6) d'un second matériau, le premier matériau et le second matériau étant de natures différentes et choisis parmi des alliages d'éléments des colonnes III et V, le procédé comprenant les étapes de: a) Fournir le premier substrat (1) et le second substrat (2), b) Mettre en contact le premier substrat (1) et le second substrat (2) de sorte à former une interface de collage (7) entre la première couche et la seconde couche (6), c) Effectuer un premier traitement thermique à une première température prédéfinie, d) Amincir l'un des substrats (1,2), e) Déposer, à une température inférieure ou égale à la première température prédéfinie, une couche barrière (8), sur le substrat (1,2) aminci, et f) Effectuer un second traitement thermique à une seconde température prédéfinie, supérieure à la première température prédéfinie.

Abstract translation: 该过程在包括第一材料的第一层的第一衬底（1）和包括第二材料的第二层（6）的第二衬底（2）之间进行，第一材料和第二材料具有不同的性质 并选自列III和V的元素的合金，该方法包括以下步骤：a）提供第一基板（1）和第二基板（2）; b）使第一衬底（1）和第二衬底（2）接触以在第一层和第二层（6）之间形成结合界面（7）; c）在第一预定温度下进行第一热处理; d）使基板之一（1,2）变薄; e）在所述薄化衬底（1,2）上沉积低于或等于所述第一预定温度的温度下的阻挡层（8）; 以及f）在高于所述第一预定温度的第二预定温度下进行第二热处理。

公开(公告)号：WO2008005979A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：PCT/US2007/072737

申请日：2007-07-03

Applicant: THE ARIZONA BOARD OF REGENTS, A BODY CORPORATE ACTING FOR AND ON BEHALF OF ARIZONA STATE UNIVERSITY ,  O'ROURKE, Shawn

Inventor： O'ROURKE, Shawn

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L24/89 ,  C09J5/06 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2469/00 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/4985 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/8085 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/007 ,  H05K3/386 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/083 ,  H05K2203/085 ,  H05K2203/1105 ,  Y10T29/49156 ,  H01L2924/00

Abstract: Method for temporarily attaching a substrates to a rigid carrier is described which includes forming a sacrificial layer of a thermally-decomposable polymer, e.g., poly(alkylene carbonate), and bonding the flexible substrate to the rigid carrier with the sacrificial layer positioned therebetween. Electronic components and/or circuits may then be fabricated or other semiconductor processing steps employed (e.g., backgrinding) on the attached substrate. Once fabrication is completed, the substrate may be detached from the rigid carrier by heating the assembly to decompose the sacrificial layer.

Abstract translation: 描述了将基板临时附接到刚性载体的方法，其包括形成可热分解的聚合物（例如聚（碳酸亚烷基酯））的牺牲层，并将柔性基板粘合到刚性载体上，牺牲层位于它们之间。 然后可以制造电子元件和/或电路或在所附接的衬底上采用其他半导体处理步骤（例如，背面研磨）。 一旦制造完成，可以通过加热组件来分解牺牲层，从而将基板从刚性载体上拆下。

公开(公告)号：WO2017021231A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：PCT/EP2016/067827

申请日：2016-07-26

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： FOURNEL, Frank ,  BAILLIN, Xavier ,  CHERAMY, Séverine ,  LEDUC, Patrick ,  SANCHEZ, Loic

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80205 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442

Abstract: Procédé de collage direct d'une puce électronique (100) sur un substrat (102) ou sur une autre puce électronique, comportant les étapes de : - traitement hydrophile d'une partie (105) d'une face de la puce électronique et d'une partie (110) d'une face (108) du substrat ou de l'autre puce électronique; - dépôt d'un fluide aqueux (112) sur la partie de la face du substrat ou de la deuxième puce électronique; - dépôt de la partie de la face de la puce électronique sur le fluide aqueux; - séchage du fluide aqueux jusqu'à une solidarisation de la partie de la face de la puce électronique avec la partie de la face du substrat ou de l'autre puce électronique; et comportant en outre, pendant au moins une partie du séchage du fluide aqueux, une émission d'ultrasons dans le fluide aqueux à travers le substrat ou l'autre puce électronique.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于将电子芯片（100）直接接合到基板（102）或另一电子芯片上的方法，所述方法包括以下步骤：对表面的一部分（105）进行亲水处理 所述电子芯片和所述基板或所述另一个电子芯片的表面（108）的一部分（110） 将水性流体（112）沉积在所述基底或所述第二电子芯片的所述表面的所述部分上; 将所述电子芯片的所述表面的所述部分沉积在所述水性流体上; 干燥含水流体直到电子芯片的表面部分刚性地连接到基板或另一个电子芯片表面的部分; 所述方法还在水性流体的至少部分干燥过程中还包括通过基底或其它电子芯片将超声发射到水性流体中。

公开(公告)号：WO2015128399A2

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：PCT/EP2015053984

申请日：2015-02-26

Applicant: COMMISSARIAT L ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GONDCHARTON PAUL ,  BENAISSA LAMINE ,  IMBERT BRUNO ,  MORICEAU HUBERT

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/98 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/185 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2755 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/80055 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8092 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00012

Abstract: Process for producing a structure by direct adhesive bonding of two elements comprising the production of the elements to be assembled and the assembly of said elements, in which the production of the elements to be assembled comprises the steps: - deposition on a substrate of a TiN layer by physical vapour deposition, - deposition of a copper layer on the TiN layer, and in which the assembly of said elements comprises the steps: - polishing the surfaces of the copper layers intended to come into contact so that they have a roughness of less than 1 nm RMS and hydrophilic properties, - bringing said surfaces into contact, - storing said structure at atmospheric pressure and at ambient temperature.

Abstract translation: 用于通过直接粘合两种元件来生产结构的方法，包括要组装的元件的生产和所述元件的组装，其中要组装的元件的生产包括以下步骤： - 沉积在TiN的基底上 层，通过物理气相沉积， - 在TiN层上沉积铜层，并且其中所述元件的组件包括以下步骤： - 抛光用于接触的铜层的表面，使得它们具有较小的粗糙度 超过1nm的RMS和亲水性， - 使所述表面接触， - 在大气压和环境温度下储存所述结构。

公开(公告)号：WO2013167553A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/EP2013/059421

申请日：2013-05-06

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： HUET, Stéphanie ,  AIT-MANI, Abdenacer ,  DI CIOCCIO, Léa

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1469 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/19 ,  H01L24/80 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: Procédé de réalisation d'au moins un détecteur infrarouge photosensible par assemblage d'un premier composant (100, 230) électronique comportant une pluralité de photodiodes (110) sensibles au rayonnement infrarouge et d'un deuxième composant (400) électronique comprenant au moins un circuit électronique de lecture de la pluralité de photodiodes, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend : l'obtention sur chacun des premier (100, 230) et deuxième (400) composants d'une face de liaison (192, 492) formée au moins partiellement par une couche (210, 405) à base d'oxyde de silicium (Si02); une étape de collage du premier composant (100, 230) et du deuxième composant (400) par leurs faces de liaison (192, 492), réalisant ainsi le collage direct des deux composants (100, 230, 400). Ce procédé permet de simplifier l'hybridation de composants hétérogènes pour réaliser un détecteur infrarouge. L'invention porte également sur un détecteur infrarouge et sur un ensemble pour la réalisation d'un tel détecteur.

Abstract translation: 本发明涉及通过组装包括对红外辐射敏感的多个光电二极管（110）的第一电子部件（100,230）和第二电子部件（400）来生产至少一个光敏红外检测器的方法，所述第二电子部件包括至少一个电子部件 该电路用于读取多个光电二极管，其特征在于它包括：在第一（100,230）和第二（400）部件中的每一个上产生至少部分形成的连接表面（192,492） 通过含有氧化硅（SiO 2）的层（210,405）; 以及通过其连接表面（192,492）粘附第一部件（100,230）和第二部件（400）的步骤，使得能够直接粘合两个部件（100,230,400）。 该方法能够简化用于生产红外检测器的异质组件的杂交。 本发明还涉及红外检测器和用于生产这种检测器的组件。

公开(公告)号：WO2013066455A3

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：PCT/US2012049414

申请日：2012-08-03

Applicant: IBM ,  COONEY EDWARD C ,  DUNN JAMES S ,  MARTIN DALE W ,  MUSANTE CHARLES F ,  RAINEY BETHANN ,  SHI LEATHEN ,  SPROGIS EDMUND J ,  TSANG CORNELIA K

Inventor： COONEY EDWARD C ,  DUNN JAMES S ,  MARTIN DALE W ,  MUSANTE CHARLES F ,  RAINEY BETHANN ,  SHI LEATHEN ,  SPROGIS EDMUND J ,  TSANG CORNELIA K

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/4825 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76819 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L29/1054 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/804 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: Methods for bonding substrate surfaces, bonded substrate assemblies, and design structures for a bonded substrate assembly. Device structures (18, 19, 20, 21) of a product chip (25) are formed using a first surface (15) of a device substrate (10). A wiring layer (26) of an interconnect structure for the device structures is formed on the product chip. The wiring layer is planarized. A temporary handle wafer (52) is removably bonded to the planarized wiring layer. In response to removably bonding the temporary handle wafer to the planarized first wiring layer, a second surface (54) of the device substrate, which is opposite to the first surface, is bonded to a final handle substrate (56). The temporary handle wafer is then removed from the assembly.

Abstract translation: 用于粘合基板表面，粘合基板组件以及用于键合衬底组件的设计结构的方法。 使用器件衬底（10）的第一表面（15）形成产品芯片（25）的器件结构（18,19,20,21）。 在产品芯片上形成用于器件结构的互连结构的布线层（26）。 布线层被平坦化。 临时处理晶片（52）可移除地结合到平坦化的布线层。 响应于将临时手柄晶片可移除地结合到平坦化的第一布线层，与第一表面相对的器件基板的第二表面（54）被结合到最终的手柄基板（56）。 然后将临时手柄晶片从组件中取出。

公开(公告)号：WO2013066455A2

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/US2012/049414

申请日：2012-08-03

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  COONEY, Edward, C. ,  DUNN, James, S. ,  MARTIN, Dale, W. ,  MUSANTE, Charles, F. ,  RAINEY, BethAnn ,  SHI, Leathen ,  SPROGIS, Edmund, J. ,  TSANG, Cornelia, K.

Inventor： COONEY, Edward, C. ,  DUNN, James, S. ,  MARTIN, Dale, W. ,  MUSANTE, Charles, F. ,  RAINEY, BethAnn ,  SHI, Leathen ,  SPROGIS, Edmund, J. ,  TSANG, Cornelia, K.

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/4825 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76819 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L29/1054 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/804 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: Methods for bonding substrate surfaces, bonded substrate assemblies, and design structures for a bonded substrate assembly. Device structures (18, 19, 20, 21) of a product chip (25) are formed using a first surface (15) of a device substrate (10). A wiring layer (26) of an interconnect structure for the device structures is formed on the product chip. The wiring layer is planarized. A temporary handle wafer (52) is removably bonded to the planarized wiring layer. In response to removably bonding the temporary handle wafer to the planarized first wiring layer, a second surface (54) of the device substrate, which is opposite to the first surface, is bonded to a final handle substrate (56). The temporary handle wafer is then removed from the assembly.

Abstract translation: 用于粘结衬底表面，键合衬底组件和用于键合衬底组件的设计结构的方法。 使用器件衬底（10）的第一表面（15）形成产品芯片（25）的器件结构（18,19,20,21）。 在产品芯片上形成用于器件结构的互连结构的布线层（26）。 布线层被平坦化。 临时处理晶片（52）可移除地结合到平坦化的布线层。 响应于将临时手柄晶片可移除地结合到平坦化的第一布线层，与第一表面相对的器件基板的第二表面（54）被结合到最终的手柄基板（56）。 然后将临时手柄晶片从组件中取出。