公开(公告)号：CN107887320A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201711144950.1

申请日：2011-06-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/8391 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/14 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/31504 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜。本发明涉及要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中当所述膜形成于所述半导体元件背面上时，所述膜在其不面向所述半导体元件背面的一个面的表面粗糙度(Ra)在固化前在50nm-3μm范围内。

公开(公告)号：CN106206396A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610633005.7

申请日：2011-06-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B37/1284 ,  B32B38/0004 ,  B32B38/10 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/14 ,  C09J7/20 ,  C09J165/00 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3164 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81095 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/1064 ,  Y10T156/1075 ,  Y10T156/1077 ,  Y10T156/1082 ,  Y10T156/1093 ,  Y10T428/1471 ,  Y10T428/1476 ,  Y10T428/1495 ,  Y10T428/15 ,  Y10T428/21 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099

Abstract: 本发明涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。本发明涉及半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层，所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口，和切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3。

公开(公告)号：CN102876245B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201210245045.6

申请日：2012-07-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 志贺豪士 ,  高本尚英 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/00 ,  C09J7/02 ,  C09J163/00 ,  C09J11/06 ,  H01L21/683 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/29 ,  C09J163/00 ,  C09J2203/326 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置用粘接膜及切割带一体型半导体背面用膜。本发明提供了一种半导体装置用粘接膜，其即使在长期间保存之后也能具有与制造时同样的物性。该半导体装置用粘接膜含有热固化性树脂，对于所述半导体装置用粘接膜的用差示扫描量热仪测定的反应放热峰温度±80℃温度范围内的反应放热量而言，在25℃的条件下保存4周之后的反应放热量相对于保存前的反应放热量为0.8~1倍的范围。

公开(公告)号：CN102382587B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201110217073.2

申请日：2011-07-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  H01L23/29 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L23/3164 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2804 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31855 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜及其用途。本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜，其要设置于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，所述倒装芯片型半导体背面用膜包括粘合剂层和层压于粘合剂层上的保护层，其中保护层由具有玻璃化转变温度为200℃以上的耐热性树脂构成或由金属构成。

公开(公告)号：CN102376611B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201110217098.2

申请日：2011-07-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 河本裕介 ,  高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/50 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L23/3157 ,  C09J163/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/31504 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和倒装芯片型半导体器件。本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜，其在倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上形成，其中热固化前的倒装芯片型半导体背面用膜在其热固化时，在23℃-165℃范围内的体积收缩率为100ppm/℃-400ppm/℃。

公开(公告)号：CN102399506B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110278080.3

申请日：2011-09-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 生岛伸祐 ,  土生刚志 ,  浅井文辉 ,  大山高辉 ,  鸟居忠雄 ,  龟井胜利 ,  加藤有树 ,  高桥智一

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67132 ,  B32B27/306 ,  B32B27/327 ,  B32B2250/24 ,  B32B2250/246 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/14 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/106 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  Y10T428/2848

Abstract: 本发明涉及一种压敏粘合带，根据本发明实施方案的压敏粘合带依次包括，耐热层；基材层；和压敏粘合剂层，其中：所述压敏粘合带具有在25℃下的弹性模量，即杨氏模量为150MPa以下；和所述耐热层包含通过使用金属茂催化剂聚合的聚丙烯类树脂，所述聚丙烯类树脂具有熔点为110℃至200℃和分子量分布“Mw/Mn”为3以下。

公开(公告)号：CN104040697A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380004827.3

申请日：2013-01-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  宍户雄一郎 ,  大西谦司 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J133/04 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08G59/621 ,  C08L33/04 ,  C08L61/06 ,  C09J7/10 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  C09J7/00

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高胶粘薄膜的切断可靠性并且能够抑制由胶粘薄膜造成的碎片污染的半导体装置的制造方法。本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具有如下工序：在半导体晶片(4)的表面形成槽(4S)后，粘贴保护用粘合薄膜(44)，进行半导体晶片的背面磨削，使槽从背面露出的工序；在半导体晶片的背面粘贴胶粘薄膜，然后将保护用粘合薄膜剥离的工序；和沿着露出胶粘薄膜的槽照射波长355nm的激光，将胶粘薄膜切断的工序；胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm-1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上。

公开(公告)号：CN103502373A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280012174.9

申请日：2012-03-02

Applicant: 日东电工株式会社 ,  日东欧洲有限公司

Inventor： 由藤拓三 ,  浅井文辉 ,  新谷寿朗 ,  铃木俊隆 ,  花冈稔 ,  爱德文·西 ,  巴特·福里尔

IPC: C09J7/02 ,  C08L27/06 ,  C08L67/02 ,  C09J133/00 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J7/0278 ,  C08K5/0016 ,  C08L27/06 ,  C09J7/245 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/106 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/00 ,  C09J2467/006 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T428/1462 ,  Y10T428/2891

Abstract: 本发明的目的在于提供一种聚氯乙烯系粘合带或粘合片，其实质上不使用DOP、DBP等邻苯二甲酸系增塑剂而具备与使用了邻苯二甲酸系增塑剂的粘合带或粘合片同等或在其以上的特性。所述聚氯乙烯系粘合带或粘合片具有：相对于100重量份聚氯乙烯系树脂配混10～40重量份增塑剂而形成的基材层和形成于该基材层的单面的粘合剂层，所述增塑剂含有至少一种SP值为9.0以上的增塑剂。

公开(公告)号：CN103429690A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280013540.2

申请日：2012-03-05

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 佐佐木贵俊 ,  土生刚志 ,  生岛伸祐 ,  龟井胜利 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  C08F210/08 ,  C09J123/14 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J123/14 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明提供一种具有可以充分填补被粘物的凹凸的高度差追随性且能够经时地保持充分填补了凹凸的状态的粘合带。本发明的粘合带具备粘合剂层和基材层，该粘合剂层在20℃下的储能模量为0.5×106Pa～1.0×108Pa，该粘合剂层在20℃～80℃下的损耗角正切tanδ为0.1以上。在优选的实施方式中，前述粘合剂层包含使用茂金属催化剂聚合而成的非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物，该丙烯-(1-丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)为200000以上，该丙烯-(1-丁烯)共聚物的分子量分布(Mw/Mn)为2以下。

公开(公告)号：CN103205209A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310007780.8

申请日：2013-01-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 林美希 ,  土生刚志 ,  龟井胜利 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/00 ,  C09J7/02 ,  C09J123/14 ,  C09J123/20

Abstract: 本发明提供一种粘合带，其可以抑制晶圆磨削加工时产生裂纹、缺口。本发明的粘合带（100）具备在20℃的拉伸弹性模量为1.5N/mm2以上且100N/mm2以下的粘合剂层（10）。粘合剂层（10）优选由含有无定形丙烯-（1-丁烯）共聚物的树脂组合物形成。