公开(公告)号：CN105280775A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510245637.1

申请日：2015-05-14

申请人： 株式会社东芝

发明人： 彦坂年辉 ,  大野浩志 ,  布上真也

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/151 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L33/005 ,  H01L2933/0008

摘要： 根据一个实施方案，提供一种沿第一表面伸展的氮化物半导体层。所述氮化物半导体层包括第一区和第二区。所述第一区在平行于所述第一表面的第一方向上的长度大于所述第一区在平行于所述第一表面且垂直于所述第一方向的第二方向上的长度。所述第二区与所述第一区一起布置在所述第二方向上。所述第二区在所述第一方向上的长度大于所述第二区在所述第二方向上的长度。c轴相对于所述第一区和所述第二区的所述第二方向倾斜。所述c轴与垂直于所述第一表面的第三方向相交。

公开(公告)号：CN102194942B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201010275579.4

申请日：2010-09-08

申请人： 株式会社东芝

发明人： 木村重哉 ,  名古肇 ,  岡俊行 ,  橘浩一 ,  彦坂年輝 ,  布上真也

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

摘要： 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。

公开(公告)号：CN104934511A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510107845.5

申请日：2015-03-12

申请人： 株式会社东芝

发明人： 伊藤俊秀 ,  大野浩志 ,  布上真也

IPC分类号： H01L33/38

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L33/38

摘要： 本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施方案，半导体发光元件包括第一电极、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一绝缘部和第一导电层。第一电极包括第一区域和第二区域。第一半导体层与第一区域隔开，并包括第一部分和第二部分。第二部分和第一区域之间设置发光层。第二半导体层设置在发光层和第一区域之间。第二电极设置在第一区域和第二半导体层之间，以接触第二半导体层。第一绝缘部设置在第一区域和第二电极之间。第一导电层设置在第一部分和第一区域之间，并包括与第一部分相接触的接触部。

公开(公告)号：CN104779329A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510019134.2

申请日：2015-01-14

申请人： 株式会社东芝

发明人： 彦坂年辉 ,  吉田学史 ,  名古肇 ,  布上真也

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L29/201 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/365 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01L33/02

摘要： 本发明描述了氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括功能层和堆叠体。所述堆叠体包括GaN中间层、低Al成分层、高Al成分层和第一含Si层。所述低Al成分层包括具有第一Al成分比的氮化物半导体。所述低Al成分层设置在所述GaN中间层与所述功能层之间。所述高Al成分层包括具有第二Al成分比的氮化物半导体。所述高Al成分层设置在所述GaN中间层与所述低Al成分层之间。所述第二Al成分比高于所述第一Al成分比。所述第一含Si层设置在所述GaN中间层与所述高Al成分层之间。

公开(公告)号：CN102623605B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210018042.9

申请日：2012-01-19

申请人： 株式会社东芝

发明人： 伊藤俊秀 ,  岡俊行 ,  布上真也

IPC分类号： H01L33/42

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

摘要： 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括第一和第二导电层、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部件。在第一导电层和第一半导体层之间提供第二半导体层。在第一半导体层和第二半导体层之间提供发光部件。第二导电层在第二半导体层和第一导电层之间并与第二半导体层和第一导电层接触。第一和第二导电层能够透射从发光部件发出的光。第一导电层包括具有第一平均晶粒直径的多晶体。第二导电层包括具有小于等于150纳米的第二平均晶粒直径的多晶体，第二平均晶粒直径小于第一平均晶粒直径。

公开(公告)号：CN104576893A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410410761.4

申请日：2014-08-20

申请人： 株式会社东芝

发明人： 服部靖 ,  加藤雅礼 ,  石田邦夫 ,  布上真也 ,  福田由美

IPC分类号： H01L33/50

CPC分类号： H01L33/504 ,  C04B35/597 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  F21K9/64 ,  H01L2224/48091 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014

摘要： 本实施方式的发光装置具备发出420nm以上且445nm以下的峰值波长的光的发光元件、发出485nm以上且小于530nm的峰值波长的光的第1荧光体、发出530nm以上且小于580nm的峰值波长的光的第2荧光体、和发出600nm以上且小于650nm的峰值波长的光的第3荧光体，发出色温度为4600K以上且5400K以下的光，光的发光光谱在450nm以上且470nm以下的波长下具有光强度的极小值，极小值是比极小值更长波长侧的最大光强度的60％以下。

公开(公告)号：CN104465935A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410602442.3

申请日：2012-01-19

申请人： 株式会社东芝

发明人： 勝野弘 ,  三木聪 ,  岡俊行 ,  布上真也

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/38

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。

公开(公告)号：CN103682009A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310331650.X

申请日：2013-08-01

申请人： 株式会社东芝

发明人： 吉田学史 ,  彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/12

摘要： 本发明涉及氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体晶片包括：硅衬底；缓冲部，其被设置在所述硅衬底上；以及功能层，其被设置在所述缓冲部上且包含氮化物半导体。所述缓冲部包括包含氮化物半导体的第一到第n缓冲层（n是4或更大的整数）。所述第一到第n缓冲层中的第i缓冲层（i是1或更大且小于n的整数）具有在与所述第一缓冲层的主表面平行的第一方向上的晶格长度Wi。在所述第i缓冲层上设置的第（i+1）缓冲层具有在所述第一方向上的晶格长度W(i+1)。在所述第一到第n缓冲层中，所述第i缓冲层和所述第（i+1）缓冲层满足(W(i+1)-Wi)/Wi≤0.008的关系。

公开(公告)号：CN103311095A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210560783.X

申请日：2012-12-20

申请人： 株式会社东芝

发明人： 彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02389 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： 根据一个实施例，公开了一种用于制造氮化物半导体层的方法。所述方法可以包括：在基底的主表面上形成第一下层，在所述第一下层上形成第一上层。所述第一下层具有沿平行于所述主表面的第一轴的第一晶格间距。所述第一上层具有大于所述第一晶格间距的沿所述第一轴的第二晶格间距。至少一部分所述第一上层具有第一压缩应变。在第一与第二晶格间距之间的差与所述第一晶格间距的比不小于0.005且不大于0.019。在平行于所述主表面的方向上的所述第一上层的生长速率大于在垂直于所述主表面的方向上的所述第一上层的生长速率。

公开(公告)号：CN103296172A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310157655.5

申请日：2010-09-07

申请人： 株式会社东芝

发明人： 木村重哉 ,  佐藤泰辅 ,  伊藤俊秀 ,  冈俊行 ,  布上真也

IPC分类号： H01L33/38

CPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/38

摘要： 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠的结构体、第一电极和第二电极。所述层叠的结构体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部。所述层叠的结构体具有位于所述第二半导体层侧的第一主表面。所述第一电极被设置在所述第一半导体上。所述第二电极被设置在所述第二半导体层上。所述第一电极包括第一衬垫部和从所述第一衬垫部沿第一延伸方向延伸的第一延伸部。所述第一延伸部包括第一宽度增大部。所述第一宽度增大部的沿与所述第一延伸方向正交的方向的宽度从所述第一衬垫部朝向所述第一延伸部的端部增大。