公开(公告)号：CN1604448A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410074709.2

申请日：2004-09-13

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 德田宽和

IPC: H02M7/48 ,  H02J9/06 ,  H02J3/01

CPC classification number: H02M1/36 ,  H02J3/01 ,  H02J3/1814 ,  Y02E40/18 ,  Y02E40/40 ,  Y10T307/549 ,  Y10T307/735

Abstract: 本发明公开了一种电源装置，其抑制高次谐波、控制交流电源的潮流，将电源装置启动或停止过程中因进入到负载中的大电流浪涌而引起的其它方面的对负载的不利影响最小化。此电源装置包括串联置于输入与输出端之间的电压供给单元2。此电压供给单元用作在电源装置启动时，逐渐将输出电压电平从取消横跨电源装置的输入端的电压的状态降低，以此实现来自电源装置的输出电压逐渐升高。在电源装置停止时，通过逐渐增加电压供给单元的输出电压以使来自电源装置的输出电压逐渐降低，以此消除输入电压。

公开(公告)号：CN1531093B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200410008511.4

申请日：2004-03-11

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 江户雅晴 ,  西尾春彦

IPC: H01L27/00 ,  H01F17/00

CPC classification number: H01F27/2804 ,  H01F27/24 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19106 ,  H02M3/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种多输出超小型功率变换装置，电压输出是多输出，小型、薄型，安装面积小，有多个输出系统，在磁性绝缘基板(11)的第一主面上形成线圈导体(12a、13a)，在第二主面形成线圈导体(12b、13b)，在第二主面形成的线圈导体(12b、13b)的平面形状是直线状，通过在通孔中形成的连接导体(14)与第一主面的线圈导体(12a、13a)电连接，构成为具有螺线管状的线圈的2个电感器(1、2)，这些电感器(1、2)通过磁分离层(17)相互磁分离，具有多个电感器，从而能够构成为多输出超小型功率变换装置。

公开(公告)号：CN101308871B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200810096516.5

申请日：2008-05-12

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 小野泽勇一

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66348

Abstract: 在根据本发明的沟槽型绝缘栅半导体器件中，该器件包括具有沟槽栅结构并且均匀分布在器件整个有源区的格子单元，在夹在n+型发射区(107)和p型基区(105)之间并平行于硅衬底(100)的主表面的部分中，夹在n+型发射区(107)和n型漂移层(100)之间并且经由栅绝缘膜(103)与沟槽(102)中形成的栅电极接触的这部分p型基区(105)的杂质浓度是最低的。根据本发明的沟槽型绝缘栅半导体器件可以将栅阈值电压的变化减到最小。

公开(公告)号：CN102163623A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110045393.4

申请日：2011-02-22

Applicant: 富士电机系统株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 百田圣自 ,  藤井岳志 ,  上岛聪 ,  浅井诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及半导体元件的制造方法，其抑制寄生元件所产生的影响，并且能够防止导通电压增大。在n-型的漂移区域(1)的表面层设有p型的基极区域(2)。在半导体基板的表面上设有贯通基极区域(2)且到达漂移区域1的沟槽(3)。在沟槽(3)的内部隔着栅极绝缘膜(4)而设有栅电极(5)。在基极区域(2)的表面层选择性地设有第一凹部(6)。即，基极区域(2)的表面呈由第一凹部(6)和未设有第一凹部(6)的凸部构成的凹凸形状。第一凹部(6)与沟槽(3)相接。此外，与栅电极(5)的上端相比，第一凹部(6)的底面设置为距基板表面更深。源电极(8)与基极区域(2)的凸部相接，且埋入第一凹部(6)的内部。

公开(公告)号：CN102100124A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980111572.4

申请日：2009-03-12

Applicant: 新日本制铁株式会社 ,  富士电机系统株式会社

Inventor： 持永大照 ,  石崎一成 ,  古贺重信 ,  片冈毅晴 ,  梅津健司 ,  松永泰往 ,  池田泰幸

IPC: H05B6/36 ,  C21D1/42 ,  C21D9/56 ,  C21D9/60 ,  H05B6/10 ,  H05B6/44

CPC classification number: H05B6/362 ,  C21D1/42 ,  C21D8/02 ,  C21D9/56 ,  C21D9/60 ,  Y02P10/253

Abstract: 提供一种感应加热装置，通过电磁方式将钢板连续加热。该感应加热装置(1)具有：至少3个加热线圈(10A～10D)，沿着钢板的长度方向配置，以使钢板(2)通过内部；电感调节器(12A～12D)，配置在将各加热线圈与对该各加热线圈施加电压的电源电连接的电气路径(11)上，产生自感应，并且能够调节该自感应的自感；各电感调节器配置成至少在相邻的电感调节器之间发生相互感应。

公开(公告)号：CN101567373B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200910136307.3

申请日：2004-08-12

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 北村睦美 ,  藤岛直人

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H02J7/0031

Abstract: 本发明提供双方向元件及其制造方法，该元件具有：基于沟槽的第一、二分割区；沟槽底面形成的第一导电型第一区；第一、二分割区中形成的、与沟槽侧壁和第一区连接的第二导电型第二、三区；在第一、二分割区与沟槽侧壁连接且分别与第二、三区连接形成的第一导电型第四、五区；在第一分割区的沟槽侧壁上从第一区至第四区形成的第一控制电极和从第一区至第五区形成的第二控制电极；在第四、五区上分别形成的第一、二主电极；在第一、二区之间与第一、三区之间具有杂质浓度比第一区低的第六区，在每一控制电极的内侧具有经层间绝缘膜到达第一区的导电体，具有在沟槽底面形成的、与第二、三区连接的第二导电型第七区，导电体通过层间绝缘膜到达第七区。

公开(公告)号：CN101997424A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010263481.7

申请日：2010-08-25

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 花泽昌彦 ,  龙泽将光

IPC: H02M5/45 ,  G01R31/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种功率转换装置，其无需多余的电路，而能够通过简易的结构来准确计算出平滑电容器的充电时间常数。充电时间常数计算部(23)基于初始充电结束后的峰值充电电压的测定值(V1)和初始充电曲线(V)来算出平滑电容器(12)的充电时间常数(τ)，其中该初始充电曲线(V)基于由操作设定部(21)预先设定的额定交流电压(VRATE(AC))及直流中间电压充电到规定值(V2)的时间(t1)而获取，寿命判断部(26)对算出的充电时间常数(τ)和存储部分(24)中存储的充电时间常数初始值(τ0)进行比较，在充电时间常数(τ)比充电时间常数初始值(τ0)短规定量以上的情况下，判断为平滑电容器(12)达到寿命。

公开(公告)号：CN101646934B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200880010153.7

申请日：2008-02-01

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 平山纪友 ,  小泉和裕 ,  饭田贵志 ,  中村裕介 ,  金井秀夫

IPC: G01N21/39

CPC classification number: G01N21/39 ,  G01N2021/399

Abstract: 本发明涉及频率调制方式的激光式气体分析仪。在该激光式气体分析仪中，光源部(204)包括：激光驱动信号生成部(240s)、电流控制部(204c)、激光元件(204e)、热敏电阻(204f)、珀耳帖元件(204g)和温度控制部(204d)，其中激光驱动信号生成部(204s)将以扫描测定对象气体的吸收波长的方式改变激光的发光波长的波长扫描驱动信号、和调制发光波长的高频调制信号合成，作为激光驱动信号输出，信号处理电路(208)包括：根据受光部(207)的输出信号对调制信号的2倍频率成分的振幅进行检测的同步检波电路(208b)、和运算部(208e)。

公开(公告)号：CN101933139A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200880120955.3

申请日：2008-12-09

Applicant: 爱信艾达株式会社 ,  富士电机系统株式会社

Inventor： 鹤冈纯司 ,  青木一雄 ,  小野正树 ,  吉原克彦

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/24 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/37099

Abstract: 本发明提供如下的半导体装置及其制造方法：能够防止在激光焊接中产生的飞溅物附着于电路图案或半导体芯片，能够防止电气特性的劣化。利用焊锡(13)在形成于陶瓷(4)上的铜箔上固定连接导体(14)，在该连接导体(14)的上部面(P)的下方填充树脂(17a)并进行激光焊接，然后填充树脂(17b)，由此，能够防止在激光焊接中产生的飞溅物(21)附着于电路图案(5)、(6)或半导体芯片(8)的情况。由此，能够防止电气特性劣化。

公开(公告)号：CN101119073B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200710139704.7

申请日：2007-07-27

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 小高章弘 ,  佐藤以久也 ,  玉井康宽

IPC: H02M5/04 ,  H02M5/22

CPC classification number: H02M5/271

Abstract: 本发明提供一种不需要高价的专用电动机可以使整个装置低价格化的直接型电力变换器的控制方法。在不用能量缓冲器，接通断开双向开关，将交流电压直接变换成具有任意大小、频率的交流电压的直接型电力变换器中，限制输出相电压指令值的峰值，使输出线间电压的振幅在电源线间电压的振幅的0.866倍以下。例如，将输出相电压指令值的峰值限制值设定在输出相电压指令值的最大值在电源相电压最大值的0.75倍以下，最小值在电源相电压最小值的0.75倍以上的值。