公开(公告)号：CN114256183A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110822007.1

申请日：2021-07-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 徐善京 ,  李泽勋 ,  赵汊济

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31

摘要： 一种半导体封装件包括：顺序堆叠的第一半导体芯片和第二半导体芯片；以及第一内部连接构件，将第一半导体芯片和第二半导体芯片彼此连接。第一半导体芯片包括：第一衬底，具有彼此相对的第一顶表面和第一底表面；以及在第一顶表面上的第一导电焊盘。第二半导体芯片包括：第二衬底，具有彼此相对的第二顶表面和第二底表面；以及在第二底表面上的第二导电凸块。第一内部连接构件将第一导电焊盘连接到第二导电凸块。第一导电焊盘在一个方向上具有第一宽度。第二导电凸块在该一个方向上具有第二宽度。第一宽度小于第二宽度。

公开(公告)号：CN110943040A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910874790.9

申请日：2019-09-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 田昌成 ,  申承勋 ,  柳在冏 ,  李泽勋

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/683

摘要： 提供一种切割衬底的方法和用于形成半导体芯片的分离方法。所述衬底包括器件区域和划片道区域。所述切割衬底的方法包括：选择性地在所述衬底的所述器件区域中形成钝化层；选择性地在所述钝化层上形成自组装单层；以及在所述划片道区域中执行等离子体切割。

公开(公告)号：CN102446863B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201110306691.4

申请日：2011-10-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李泽勋 ,  金沅槿 ,  张东铉 ,  宋昊建 ,  任成晙

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1811 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明提供一种半导体封装件及其制造方法。一种形成具有大容量和减小或最小化的体积的半导体封装件的方法包括以下步骤：利用粘结层将半导体基底附接在支撑基底上，其中，半导体基底包括多个第一半导体芯片和芯片切割区域；在多个第一半导体芯片中的第一个和第二个之间形成具有第一切口宽度的第一切割凹槽，从而将半导体基底分成多个第一半导体芯片；将分别与第一半导体芯片对应的多个第二半导体芯片附接到多个第一半导体芯片；形成模塑层以填充第一切割凹槽；在模塑层中形成具有比第一切口宽度小的第二切口宽度的第二切割凹槽，以将模塑层分成覆盖多个第一半导体芯片中的一个和多个第二半导体芯片中的相应的一个的各个模塑层。

公开(公告)号：CN101364579B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200810133973.7

申请日：2008-07-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金坪完 ,  李泽勋 ,  张喆容

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明公开了一种半导体封装及其制造方法和包括该半导体封装的系统。在一个实施例中，半导体封装包括第一绝缘体以及具有第一有源表面和与第一有源表面相对的第一后表面的第一半导体芯片。第一半导体芯片置于第一绝缘体内。第一绝缘体暴露第一有源表面。第一绝缘体基本环绕第一后表面。半导体封装包括在第一绝缘体内并与第一半导体芯片的侧部相邻的柱。