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公开(公告)号：CN102891136B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201210249511.8
申请日：2012-07-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/00 , H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3185 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/24146 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92144 , H01L2225/06524 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要： 本申请涉及半导体封装及其形成方法和包括该半导体封装的系统。一种半导体封装可以包括：基板，包括基板连接端子；至少一个半导体芯片，堆叠在基板上并具有芯片连接端子；第一绝缘层，至少覆盖基板的一部分和至少一个半导体芯片的一部分；和/或互连，穿透第一绝缘层以将基板连接端子连接到芯片连接端子。一种半导体封装可以包括：堆叠的半导体芯片，半导体芯片的边缘部分构成台阶结构，每个半导体芯片包括芯片连接端子；至少一个绝缘层，覆盖半导体芯片的至少边缘部分；和/或互连，穿透至少一个绝缘层以连接到每个半导体芯片的芯片连接端子。
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公开(公告)号：CN101364579A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810133973.7
申请日：2008-07-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/31 , H01L25/00 , H01L25/18 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L24/18 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/04105 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/18 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要： 本发明公开了一种半导体封装及其制造方法和包括该半导体封装的系统。在一个实施例中，半导体封装包括第一绝缘体以及具有第一有源表面和与第一有源表面相对的第一后表面的第一半导体芯片。第一半导体芯片置于第一绝缘体内。第一绝缘体暴露第一有源表面。第一绝缘体基本环绕第一后表面。半导体封装包括在第一绝缘体内并与第一半导体芯片的侧部相邻的柱。
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公开(公告)号：CN114334877A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110997317.7
申请日：2021-08-27
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 张喆容
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/488 , H01L25/065
摘要： 一种半导体封装件包括多个半导体芯片。所述多个半导体芯片中的至少一个半导体芯片包括：半导体衬底，包括半导体层和钝化层，钝化层具有第三表面；背面焊盘，位于所述第三表面上；以及贯穿通路，穿透所述半导体衬底。所述背面焊盘包括电极焊盘部分和坝结构，所述电极焊盘部分位于所述第三表面上，所述坝结构在所述电极焊盘部分的一侧突出并围绕所述贯穿通路的侧表面。所述坝结构与所述贯穿通路的侧表面间隔开。
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公开(公告)号：CN104347601A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410349913.4
申请日：2014-07-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/98
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/14155 , H01L2224/16058 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/2746 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/48228 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/8203 , H01L2224/92244 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06586 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明构思的实施例包括一种具有多个层叠的半导体芯片的半导体封装件。多层衬底包括中心绝缘层、设置在中心绝缘层的上表面上的上布线层和设置在中心绝缘层的下表面上的第一下布线层。利用各种方式将层叠的半导体芯片连接至多层衬底和/或彼此连接。半导体封装件能够像基于倒装芯片接合的半导体封装件那样进行高性能操作，并且还通过克服由于单个半导体芯片导致的限制符合大容量的需要。本发明构思的实施例还包括用于制造该半导体封装件的方法。
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公开(公告)号：CN114256220A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111086297.4
申请日：2021-09-16
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/528
摘要： 提供了一种半导体芯片的互连结构和半导体封装件。所述互连结构可以包括互连过孔件、下焊盘、导电凸块和上焊盘。互连过孔件可以布置在半导体芯片中。下焊盘可以布置在互连过孔件的通过半导体芯片的下表面暴露的下端上。导电凸块可以布置在下焊盘上。上焊盘可以布置在互连过孔件的通过半导体芯片的上表面暴露的上端上。上焊盘的宽度可以比互连过孔件的宽度宽，并且可以比下焊盘的宽度窄。因此，在具有薄的厚度的互连结构中，不会在导电凸块之间产生电短路。
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公开(公告)号：CN101364579B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200810133973.7
申请日：2008-07-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/31 , H01L25/00 , H01L25/18 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L24/18 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/04105 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/18 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要： 本发明公开了一种半导体封装及其制造方法和包括该半导体封装的系统。在一个实施例中，半导体封装包括第一绝缘体以及具有第一有源表面和与第一有源表面相对的第一后表面的第一半导体芯片。第一半导体芯片置于第一绝缘体内。第一绝缘体暴露第一有源表面。第一绝缘体基本环绕第一后表面。半导体封装包括在第一绝缘体内并与第一半导体芯片的侧部相邻的柱。
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公开(公告)号：CN115440711A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210593355.0
申请日：2022-05-27
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 张喆容
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/31 , H01L21/60
摘要： 提供了一种半导体封装件，其中，第一粘合膜包括相对于第一半导体芯片的侧表面在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一延伸部分，所述第一延伸部分具有包括朝向基体芯片凹入的第一凹陷的上表面，所述多个第二粘合膜均包括相对于所述多个第二半导体芯片的侧表面在所述第二方向上延伸的第二延伸部分，并且所述第二延伸部分具有包括在所述第一方向上凹入的第二凹陷的上表面和包括位于所述第一凹陷或所述第二凹陷中的突起的下表面。
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公开(公告)号：CN114823652A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111305903.7
申请日：2021-11-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L23/50
摘要： 公开的是一种半导体封装件，所述半导体封装件包括下半导体芯片和垂直堆叠在所述下半导体芯片的顶表面上的上半导体芯片。所述上半导体芯片包括第一上半导体芯片和第二上半导体芯片。所述第一上半导体芯片位于所述下半导体芯片与所述第二上半导体芯片之间。每一个所述第一上半导体芯片的厚度是所述下半导体芯片的厚度的0.4倍至0.95倍。所述第二上半导体芯片的厚度与所述第一上半导体芯片的厚度相同或大于所述第一上半导体芯片的厚度。所述第一上半导体芯片和所述第二上半导体芯片的总数是4n，其中n是等于或大于三的自然数。
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公开(公告)号：CN104347601B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201410349913.4
申请日：2014-07-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/98
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/14155 , H01L2224/16058 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/2746 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/48228 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/8203 , H01L2224/92244 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06586 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明构思的实施例包括一种具有多个层叠的半导体芯片的半导体封装件。多层衬底包括中心绝缘层、设置在中心绝缘层的上表面上的上布线层和设置在中心绝缘层的下表面上的第一下布线层。利用各种方式将层叠的半导体芯片连接至多层衬底和/或彼此连接。半导体封装件能够像基于倒装芯片接合的半导体封装件那样进行高性能操作，并且还通过克服由于单个半导体芯片导致的限制符合大容量的需要。本发明构思的实施例还包括用于制造该半导体封装件的方法。
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公开(公告)号：CN102891136A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210249511.8
申请日：2012-07-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/00 , H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3185 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/24146 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92144 , H01L2225/06524 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要： 本申请涉及半导体封装及其形成方法和包括该半导体封装的系统。一种半导体封装可以包括：基板，包括基板连接端子；至少一个半导体芯片，堆叠在基板上并具有芯片连接端子；第一绝缘层，至少覆盖基板的一部分和至少一个半导体芯片的一部分；和/或互连，穿透第一绝缘层以将基板连接端子连接到芯片连接端子。一种半导体封装可以包括：堆叠的半导体芯片，半导体芯片的边缘部分构成台阶结构，每个半导体芯片包括芯片连接端子；至少一个绝缘层，覆盖半导体芯片的至少边缘部分；和/或互连，穿透至少一个绝缘层以连接到每个半导体芯片的芯片连接端子。
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