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公开(公告)号：CN106483772B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201510860745.X
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70866 , G03F7/70925
Abstract: 一种微影术系统及其使用方法，微影术系统包括一负载锁定腔室，此负载锁定腔室包括配置用以接收遮罩的开口；曝光模块，其配置用以经由使用遮罩，使半导体晶圆曝露于光源；及清洗模块，其嵌入在此微影术工具内，此清洗模块配置用以自遮罩清洗碳粒子。本发明内容可提供一种用于高级微影术技术中，保持遮罩干净且无缺陷的方法。此方法所形成的干净无缺陷遮罩，可提升微影术工艺的良率与精准度。
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公开(公告)号：CN107153326A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201611178550.8
申请日：2016-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/70341 , B05D1/60 , B05D3/06 , B05D3/061 , B05D3/068 , G03F7/0042 , G03F7/038 , G03F7/11 , G03F7/167 , G03F7/2004 , G03F7/201 , G03F7/2037 , G03F7/2039 , G03F7/38 , G03F7/40 , G03F7/70325 , H01L21/02118 , H01L21/02277 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/687 , H01L21/68764
Abstract: 本发明的实施例公开了用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底，在衬底上方形成沉积增强层(DEL)并且使有机气体在DEL的表面附近流动。在有机气体的流动期间，该方法还包括用图案化的辐射辐照DEL和有机气体。有机气体的元素通过图案化的辐射而聚合，从而在DEL上方形成光刻胶图案。该方法还包括用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻DEL，从而形成图案化的DEL。
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公开(公告)号：CN103777470A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310046337.1
申请日：2013-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2002 , G03F7/20 , G03F7/70916 , G03F7/70933
Abstract: 提供了一种用于紫外线(UV)和远紫外线(EUV)光刻图案化的方法和装置。生成UV或EUV光束并且将它们引导至设置在工作台上且涂覆有光刻胶的衬底表面。在曝光(即，光刻操作)期间引导层状惰性气体流过并且紧邻涂覆有光刻胶的衬底表面。将惰性气体快速排出并且在曝光位置处具有短暂的共振时间。惰性气体流防止通过光刻胶除气产生的废气和其他污染物沉淀和污染光刻装置的其他部件。
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公开(公告)号：CN104049468A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410072008.9
申请日：2014-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70133 , G03F7/70141
Abstract: 本发明提供了用于在半导体器件制造中实施光刻工艺的系统和方法，系统和方法包括提供用于测量衬底上的第一坐标处的衬底的第一形貌高度并且测量衬底上的第二坐标处的衬底的第二形貌高度。所测量的第一和第二形貌高度可以被提供为晶圆图。然后，使用晶圆图对衬底实施曝光工艺。曝光工艺可以包括：当曝光衬底上的第一坐标时，使用第一焦点，并且当曝光衬底上的第二坐标时，使用第二焦平面。使用第一形貌高度确定第一焦点，并且使用第二形貌高度确定第二焦点。
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