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公开(公告)号：CN103855458B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310080407.5
申请日：2013-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01Q9/0407 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2223/6677 , H01L2224/12105 , H01L2224/8203 , H01L2224/9222 , H01L2924/18162 , H01Q1/38
Abstract: 一种器件包括贴片天线，该贴片天线包括馈线和位于馈线上方的接地板。接地板具有位于其中的孔。低k介电模块位于孔的上方并且与孔对准。贴片位于低k介电模块的上方。本发明还提供了在天线中嵌入低K材料。
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公开(公告)号：CN103855458A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310080407.5
申请日：2013-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01Q9/0407 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2223/6677 , H01L2224/12105 , H01L2224/8203 , H01L2224/9222 , H01L2924/18162 , H01Q1/38
Abstract: 一种器件包括贴片天线，该贴片天线包括馈线和位于馈线上方的接地板。接地板具有位于其中的孔。低k介电模块位于孔的上方并且与孔对准。贴片位于低k介电模块的上方。本发明还提供了在天线中嵌入低K材料。
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公开(公告)号：CN111244042B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201911191199.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括光子管芯、包封体及波导结构。光子管芯包括衬底及介电层。衬底具有波导图案。介电层设置在衬底之上。包封体侧向包封光子管芯。波导结构延伸于光子管芯的前侧及包封体的顶表面上，且贯穿介电层以光学耦合于波导图案。
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公开(公告)号：CN115775794A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210798602.0
申请日：2022-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L21/50
Abstract: 实施例通过器件的各个非有源部件提供稳压电源布线。在一个实施例中，这样的非有源部件包括可以形成在管芯堆叠件的密封材料中的通孔壁。在另一个实施例中，这样的非有源部件包括形成在管芯堆叠件上方的散热部件。在另一个实施例中，这样的非有源部件包括与管芯多维数据集相邻附接的伪通孔块。又一些其它实施例可以无限制地组合这些实施例的部件。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107689356B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201710085702.8
申请日：2017-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L21/60
Abstract: 一种封装件包括衬底、穿透衬底的凸块下金属(UBM)，位于UBM上方并且与之接触的焊料区，和位于衬底下方的互连结构。互连结构通过UBM电连接至焊料区。器件管芯位于互连结构下面并且接合至互连结构。器件管芯通过UBM和互连结构电连接至焊料区。封装材料将器件管芯封装在其中。本发明实施例涉及具有减薄的衬底的封装件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111799228A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010250523.7
申请日：2020-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 方法包括减薄器件管芯的半导体衬底，以露出延伸至半导体衬底中的衬底通孔；以及形成第一再分布结构，形成第一再分布结构包括在半导体衬底上方形成第一多个介电层，以及在第一多个介电层中形成第一多个再分布线。第一多个再分布线电连接至衬底通孔。该方法还包括将第一存储器管芯放置在第一再分布结构上方，以及在第一再分布结构上方形成第一多个金属柱。第一多个金属柱电连接至第一多个再分布线。将第一存储器管芯密封在第一密封剂中。在第一多个金属柱和第一存储器管芯上方形成电连接至第一多个金属柱和第一存储器管芯的第二多个再分布线。本发明的实施例还涉及形成管芯堆叠件的方法及集成电路结构。
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公开(公告)号：CN110783284A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910680355.2
申请日：2019-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/552 , H01L25/16 , H01L21/60 , H01L23/482 , H01L23/488
Abstract: 一种封装体包括半导体封装体、衬底及第二绝缘包封体，半导体封装体包括半导体管芯及第一绝缘包封体。第一绝缘包封体包封半导体管芯。衬底包括重布线路电路，其中衬底通过重布线路电路电耦合到半导体封装体。第二绝缘包封体设置在衬底上且局部地覆盖衬底，其中衬底夹置在半导体封装体与第二绝缘包封体之间。
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公开(公告)号：CN110299351A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910220583.1
申请日：2019-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 本发明的实施例是半导体器件及其形成方法，半导体器件包括具有有源侧和背侧的集成电路管芯，背侧与有源侧相对；密封集成电路管芯的模塑料以及位于集成电路管芯和模塑料上面的第一再分布结构，第一再分布结构包括第一金属化图案和第一介电层，第一金属化图案电连接至集成电路管芯的有源侧，第一金属化图案的至少部分形成电感器。
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公开(公告)号：CN109216324A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810693005.5
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 方法包括将管芯嵌入在模制材料内；在模制材料和管芯上方形成第一介电层；在第一介电层的远离管芯的上表面上方形成导线；以及在第一介电层和导线上方形成第二介电层。该方法还包括形成穿过第一介电层或第二介电层延伸的第一沟槽开口，其中，第一沟槽开口的纵向轴线与导线的纵向轴线平行，并且其中，没有导电部件在第一沟槽开口的底部处暴露；以及用导电材料填充第一沟槽开口以形成第一接地沟槽。本发明的实施例还涉及具有用于减少串扰的屏蔽结构的半导体器件。
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公开(公告)号：CN104299952A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310464580.5
申请日：2013-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/02125 , H01L2224/02331 , H01L2224/02351 , H01L2224/02375 , H01L2224/02377 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05548 , H01L2224/05552 , H01L2224/05557 , H01L2224/05568 , H01L2224/05647 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13006 , H01L2224/13014 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/1411 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3841 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/05624 , H01L2224/05669 , H01L2224/05666 , H01L2224/0346 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
Abstract: 本发明提供了用于形成半导体管芯的机制的实施例。半导体管芯包括半导体衬底和形成在半导体衬底上方的保护层。半导体管芯还包括共形地形成在保护层上方的导电层和形成在导电层中的凹槽。凹槽环绕导电层的区域。半导体管芯还包括形成在被凹槽围绕的导电层区域上方的焊料凸块。本发明还提供了在宽金属焊盘上方形成凸块结构的机制。
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