公开(公告)号：CN106548996B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201610609240.0

申请日：2016-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  陈宪伟 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  叶德强 ,  许立翰 ,  吴伟诚

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明涉及一种结构，包括：金属焊盘、具有覆盖金属焊盘的边缘部分的部分的钝化层和在钝化层上方的伪金属板。伪金属板中具有多个贯穿开口。伪金属板具有锯齿形边缘。介电层具有在伪金属板上面的第一部分、填充多个第一贯穿开口的第二部分和接触第一锯齿形边缘的第三部分。本发明的实施例还涉及具有锯齿形边缘的伪金属。

公开(公告)号：CN106328618B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201610003025.6

申请日：2016-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  陈宪伟 ,  苏安治 ,  谢正贤

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: 一种器件封装件包括管芯，位于管芯上方的扇出式再分布层(RDL)以及位于扇出式RDL上方的凸块下金属(UBM)。UBM包括导电焊盘部分和环绕导电焊盘部分的沟槽。器件封装件还包括设置在UBM的导电焊盘部分上的连接件。扇出式RDL将连接件和UBM电连接至管芯。本发明涉及凸块下金属(UBM)及其形成方法。

公开(公告)号：CN108987380A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201711338372.5

申请日：2017-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  许立翰 ,  吴伟诚 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  吴集锡 ,  余振华

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/522

Abstract: 一种实施例封装件包括密封在第一密封剂中的第一集成电路管芯；延伸穿过第一密封剂的第一贯通孔；以及设置在位于第一贯通孔和第一密封剂上方的介电层中的导电焊盘。导电焊盘包括第一区域，其中，在顶视图中，第一区域电连接至第一贯通孔并且具有环绕第一贯通孔的外边界的外边界。封装件还包括延伸穿过导电焊盘的第一区域的第一介电区。在顶视图中，第一区域的材料环绕第一介电区。本发明的实施例还涉及半导体封装件中的导电通孔及其形成方法。

公开(公告)号：CN107342277A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710213919.2

申请日：2017-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  许立翰 ,  吴伟诚 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  吴集锡 ,  余振华

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 实施例器件包括集成电路管芯和位于集成电路管芯上方的第一金属化图案。第一金属化图案包括具有延伸穿过第一导电区的第一孔的第一伪图案。该器件还包括位于第一金属化图案上方的第二金属化图案。第二金属化图案包括具有延伸穿过第二导电区的第二孔的第二伪图案。第二孔以凸出的方式布置为与第一孔的部分和第一导电区的部分重叠。本发明还提供了封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN108987380B

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201711338372.5

申请日：2017-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  许立翰 ,  吴伟诚 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  吴集锡 ,  余振华

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/522

Abstract: 一种实施例封装件包括密封在第一密封剂中的第一集成电路管芯；延伸穿过第一密封剂的第一贯通孔；以及设置在位于第一贯通孔和第一密封剂上方的介电层中的导电焊盘。导电焊盘包括第一区域，其中，在顶视图中，第一区域电连接至第一贯通孔并且具有环绕第一贯通孔的外边界的外边界。封装件还包括延伸穿过导电焊盘的第一区域的第一介电区。在顶视图中，第一区域的材料环绕第一介电区。本发明的实施例还涉及半导体封装件中的导电通孔及其形成方法。

公开(公告)号：CN110010594A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910117801.9

申请日：2014-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈伟铭 ,  谢正贤 ,  黄松辉 ,  许国经

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  B23K1/00

Abstract: 一种三维芯片堆叠件包括：接合至第二芯片的第一芯片以在它们之间形成接合的互连件。接合的互连件包括：位于第一芯片的第一衬底上方的第一导电柱、位于第二芯片的第二衬底上方的第二导电柱和介于第一导电柱和第二导电柱之间的接合结构。接合结构包括邻近第一导电柱的第一IMC区域、邻近第二导电柱的第二IMC区域和介于第一IMC区域和第二IMC区域之间的金属化层。本发明还公开了三维芯片堆叠件的形成方法。

公开(公告)号：CN107808870A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710534227.8

申请日：2017-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  许立翰 ,  吴伟诚 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  吴集锡 ,  余振华

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 实施例封装件包括第一集成电路管芯，围绕第一集成电路管芯的密封剂以及将第一导电通孔电连接到第二导电通孔的导线。该导线包括位于第一集成电路管芯上方并且具有沿第一方向延伸的第一长度方向尺寸的第一段，以及具有沿与第一方向不同的第二方向延伸的第二纵向尺寸的第二段。第二段在第一集成电路管芯和密封剂之间的边界上方延伸。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN107134437A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710092932.7

申请日：2017-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  许立翰 ,  吴伟诚 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  林宗澍

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/3171

Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体封装件及形成其的方法。其中，一实施例是一种结构，其包含第一裸片，所述第一裸片具有有源表面，所述有源表面具有第一中心点；模塑料，其至少横向囊封所述第一裸片；及第一重布层RDL，其包含在所述第一裸片及所述模塑料上方延伸的金属化图案。所述第一RDL的所述金属化图案的第一部分在所述第一裸片的边界的第一部分上方延伸到所述模塑料，所述金属化图案的所述第一部分不平行于第一线延伸，所述第一线从所述第一裸片的所述第一中心点延伸到所述第一裸片的所述边界的所述第一部分。

公开(公告)号：CN106558559A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610765751.1

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  陈宪伟 ,  余振华 ,  林宗澍 ,  吴伟诚

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L24/17

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件及制造方法。一种具有接合焊盘的再分布层形成在衬底上方，其中一个或多个网孔延伸穿过接合焊盘。网孔可以布置为圆形形状，并且钝化层可以形成在接合焊盘和网孔上方。开口形成为穿过钝化层以及凸块下金属形成为与接合焊盘的暴露部分接触且在网孔上方延伸。通过利用网孔，可以减小或消除可能发生的侧壁分层和剥离。

公开(公告)号：CN106328618A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610003025.6

申请日：2016-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  陈宪伟 ,  苏安治 ,  谢正贤

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02245 ,  H01L2224/02251 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05575 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13024

Abstract: 一种器件封装件包括管芯，位于管芯上方的扇出式再分布层(RDL)以及位于扇出式RDL上方的凸块下金属(UBM)。UBM包括导电焊盘部分和环绕导电焊盘部分的沟槽。器件封装件还包括设置在UBM的导电焊盘部分上的连接件。扇出式RDL将连接件和UBM电连接至管芯。本发明涉及凸块下金属(UBM)及其形成方法。