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公开(公告)号：CN100539114C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710089088.9
申请日：2007-03-29
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/31 , H01L21/3105 , H01L21/768 , C08G77/04
摘要： 本发明提供获得TDDB耐性高和泄漏电流小的布线层的技术，并因此，提供制造高度可靠的低耗电量半导体器件的技术，其中形成一种界面粗糙度降低膜，其与绝缘体膜接触，还在其另一面的表面与布线接触，而且布线和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度比绝缘体膜和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度小。
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公开(公告)号：CN102456730B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201110326799.X
申请日：2011-10-19
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/0228 , H01L23/291 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；源电极和漏电极，形成在所述第二半导体层上；绝缘膜，形成在所述第二半导体层上；栅电极，形成在所述绝缘膜上；以及保护膜，覆盖所述绝缘膜，所述保护膜是通过热CVD、热ALD或真空气相沉积形成的。利用本发明，在于栅电极与半导体层之间插入了绝缘膜、并且覆盖有绝缘保护膜的半导体器件中，能够维持足够程度的绝缘强度。
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公开(公告)号：CN102487054B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110364823.9
申请日：2011-11-11
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L23/498 , H01L29/778 , H01L21/48 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 一种半导体器件，包括：衬底(1)；半导体层叠结构，设置在所述衬底上方，包括电子渡越层(6)和电子供应层(7)；栅电极(3)、源电极(4)和漏电极(5)，设置在所述半导体层叠结构上方；栅极焊盘(10)、源极焊盘(11)和漏极焊盘(12)，设置在所述栅电极、所述源电极和所述漏电极上方，且分别连接至所述栅电极、所述源电极和所述漏电极；以及导电层，设置在所述栅极焊盘、所述源极焊盘和所述漏极焊盘下方，其中，所述栅极焊盘和所述源极焊盘之间的距离小于所述栅极焊盘和所述漏极焊盘之间的距离。
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公开(公告)号：CN102651388B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201110456942.7
申请日：2011-12-30
申请人： 富士通株式会社
发明人： 今田忠纮
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/0619 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42356 , H01L29/452 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/861 , H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4903 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 实现了一种高可靠性高电压耐受性化合物半导体器件，其能够改善器件运行速度、具有高雪崩耐受性、抗浪涌、在应用于例如逆变电路时不需要连接任何外部二极管并且在即使产生空穴时也实现稳定的运行，以及减轻电场在栅电极上的集中并由此实现电压耐受性的进一步提高。栅电极形成为利用电极材料通过栅极绝缘膜填充在堆叠化合物半导体结构中形成的电极凹陷，并且在堆叠化合物半导体结构中形成的场板凹陷填充有p型半导体，由此形成与堆叠化合物半导体结构接触的p型半导体层。
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公开(公告)号：CN102197468B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200880131746.9
申请日：2008-10-29
申请人： 富士通株式会社
发明人： 今田忠纮
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/80 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/0843 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L29/0649 , H01L29/0696 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/267 , H01L29/402 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/7788
摘要： 提供化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件中设置有n型GaN层(3)、形成在n型GaN层(3)的上方的GaN层(7)、形成在GaN层(7)的上方的n型AlGaN层(9)、形成在n型AlGaN层(9)的上方的栅电极(15)和源电极(13)、形成在n型GaN层(3)的下方的漏电极(14)、形成在GaN层(7)和漏电极(14)之间的p型GaN层(4)。
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公开(公告)号：CN103430294A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201180069251.X
申请日：2011-03-18
申请人： 富士通株式会社
发明人： 今田忠纮
IPC分类号： H01L21/338 , H01G7/00 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/778 , H01G4/1272 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/861
摘要： 本发明的化合物半导体装置设有第1电极（3）、在第1电极（3）的上方形成的本征第1化合物半导体层（1）、在第1化合物半导体层（1）上形成且带隙比第1化合物半导体层（1）小的第2化合物半导体层（2）以及在第2化合物半导体层（2）的上方形成的第2电极（4）。
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公开(公告)号：CN103325781A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310073039.1
申请日：2013-03-07
申请人： 富士通株式会社
发明人： 今田忠纮
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L29/778 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体器件、PFC电路、电源装置和放大器。具体而言，一种具有晶体管区域和浪涌保护器区域的半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在晶体管区域中的第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极；形成在浪涌保护器区域中的第二半导体层上的浪涌保护器第一电极、浪涌保护器第二电极和浪涌保护器第三电极，其中源电极和浪涌保护器第二电极彼此连接，其中漏电极和浪涌保护器第三电极彼此连接，其中浪涌保护器第一电极形成在浪涌保护器第二电极和浪涌保护器第三电极之间，其中浪涌保护器第一电极和浪涌保护器第三电极之间的距离小于栅电极和漏电极之间的距离。
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公开(公告)号：CN102723362A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210211258.7
申请日：2009-10-21
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/34 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/34 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/7788 , H01L29/7832
摘要： 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：电子渡越层（i-GaN层）；化合物半导体层（n-GaN层），形成在所述电子渡越层上；源电极以及漏电极，形成在所述化合物半导体层上；第一绝缘膜，形成在所述化合物半导体层上；以及栅电极，形成在所述绝缘膜上；其中，在所述化合物半导体层的所述源电极与所述漏电极之间的区域内并在所述第一绝缘膜内、并且在与所述栅电极分离的部分处，形成有凹入部分；第二绝缘膜，沿所述凹入部分的内表面形成；以及电极，形成在所述第二绝缘膜上。本发明能在断电时间内降低泄漏电流，并优选地获得高阈值电压。
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公开(公告)号：CN102651351A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210016429.0
申请日：2012-01-18
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/29 , H01L29/778 , H01L21/56
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L23/3107 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/49 , H01L2224/8592 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种半导体器件，其包括：具有电极的半导体芯片；与所述电极对应的引线；将所述电极耦接到所述引线的金属线；覆盖所述金属线与所述电极之间的耦接部分以及所述金属线与所述引线之间的耦接部分的第一树脂部分；和覆盖所述金属线、所述第一树脂部分和所述半导体芯片的第二树脂部分。本发明还提供一种制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN102456730A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110326799.X
申请日：2011-10-19
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/0228 , H01L23/291 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；源电极和漏电极，形成在所述第二半导体层上；绝缘膜，形成在所述第二半导体层上；栅电极，形成在所述绝缘膜上；以及保护膜，覆盖所述绝缘膜，所述保护膜是通过热CVD、热ALD或真空气相沉积形成的。利用本发明，在于栅电极与半导体层之间插入了绝缘膜、并且覆盖有绝缘保护膜的半导体器件中，能够维持足够程度的绝缘强度。
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