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公开(公告)号：CN104254913A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201480001099.5
申请日：2014-03-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/565
CPC classification number: H01L21/67109 , B21D53/02 , B32B9/005 , B32B37/10 , B32B38/0012 , B32B2311/00 , B32B2311/24 , B32B2315/02 , C04B35/5615 , C04B35/575 , C04B35/62635 , C04B37/006 , C04B2235/3826 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/708 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68757 , Y10T29/4935
Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有AlN制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料从含量多的起依次包含SiC、Ti3SiC2以及TiC。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间和第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。
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公开(公告)号：CN107840664A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710846104.8
申请日：2017-09-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/599 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/597 , B32B18/00 , C04B35/645 , C04B37/00 , C04B37/001 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/786 , C04B2235/81 , C04B2235/85 , C04B2235/87 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2237/345 , C04B2237/36 , C04B2237/368 , C04B2237/55 , C04B2237/704 , H03H9/02543 , H03H9/02574 , H03H9/145 , C04B35/622 , C04B2235/77
Abstract: 本发明涉及一种硅铝氧氮陶瓷烧结体、其制法、复合基板及电子器件。本发明的硅铝氧氮陶瓷烧结体由Si6-zAlzOzN8-z(0＜z≤4.2)表示，开口气孔率为0.1％以下，相对密度为99.9％以上，且X射线衍射图中，硅铝氧氮陶瓷以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于硅铝氧氮陶瓷的最大峰的强度的比值为0.005以下。
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公开(公告)号：CN104072140B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201410108395.7
申请日：2014-03-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B37/00
CPC classification number: H01L21/67109 , B21D53/02 , B32B9/005 , B32B37/10 , B32B38/0012 , B32B2311/00 , B32B2311/24 , B32B2315/02 , C04B35/5615 , C04B35/575 , C04B35/62635 , C04B37/006 , C04B2235/3826 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/708 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68757 , Y10T29/4935
Abstract: 提供一种复合材料，所述复合材料与氮化铝之间的线性热膨胀系数差很小，并且具有足够高的导热系数、致密性和强度。本发明的致密复合材料包含含量最多的前三位的碳化硅、钛碳化硅和碳化钛，这三种物质按照含量从多到少的顺序排列，该复合材料是包含51‑68质量%的碳化硅、不含有硅化钛以及具有1%以下的开口孔隙率的复合材料。例如，该致密复合材料的特性包括：40‑570℃的平均线性热膨胀系数为5.4‑6.0ppm/K，导热系数为100W/m·K以上，以及四点弯曲强度为300MPa以上。
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公开(公告)号：CN104045347B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201410078454.0
申请日：2014-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
CPC classification number: F28F3/12 , B23K1/0008 , B23K1/19 , C04B35/5611 , C04B35/5615 , C04B35/565 , C04B35/58092 , C04B35/645 , C04B37/006 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/404 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , F28F21/086 , H01L21/6833 , Y10T428/249969
Abstract: 提供一种复合材料，所述复合材料与氧化铝之间的线性热膨胀系数差很小，并且具有充分高的导热系数、致密性和强度。本发明的致密复合材料包含37‑60质量%的碳化硅颗粒，以及各自含量均低于所述碳化硅颗粒的质量百分比的硅化钛、钛碳化硅和碳化钛，所述致密复合材料具有1%以下的开口孔隙率。该致密复合材料的特性包括，例如40‑570℃的平均线性热膨胀系数为7.2‑8.2ppm/K，导热系数为75W/mK以上，以及四点弯曲强度为200MPa以上。
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公开(公告)号：CN104285290B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480001113.1
申请日：2014-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/565
CPC classification number: F28F3/12 , B23K1/0008 , B23K1/19 , C04B35/5611 , C04B35/5615 , C04B35/565 , C04B35/58092 , C04B35/645 , C04B37/006 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/404 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , F28F21/086 , H01L21/6833 , Y10T428/249969
Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有氧化铝制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料中碳化硅的含量最多，并且含有硅化钛、钛碳化硅以及碳化钛。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间，以及在第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系或Al-Mg系的金属接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118724595A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410271730.9
申请日：2024-03-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/58 , C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/575 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及复合材料烧结体、接合体、半导体制造装置用部件及复合材料烧结体的制造方法，提供由与以往不同的构成相构成、与氮化铝的线热膨胀系数差与以往同等或者比以往小、且致密质的复合材料烧结体。复合材料烧结体由碳化硅、硅化钨、以及碳化钨构成，含有14.4wt％以上且48.6wt％以下的碳化硅，开口气孔率为1％以下。
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公开(公告)号：CN107226692B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201710172464.4
申请日：2017-03-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/195 , C04B35/645 , H01P7/00
Abstract: 本发明涉及一种堇青石质烧结体、其制法及复合基板。本发明的堇青石质烧结体以堇青石为主成分，且包含氮化硅或碳化硅。该堇青石质烧结体优选40～400℃下的热膨胀系数低于2.4ppm/℃，开口气孔率为0.5％以下，平均结晶粒径为1μm以下。
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公开(公告)号：CN107226690B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201710156213.7
申请日：2017-03-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/185 , C04B35/622 , C04B37/00 , H01L23/14
Abstract: 本发明涉及一种含有多铝红柱石的烧结体、其制法及复合基板。本发明的含有多铝红柱石的烧结体除了含有多铝红柱石以外，还含有从由氮化硅、氮氧化硅及硅铝氧氮陶瓷构成的组中选择的至少1种。该含有多铝红柱石的烧结体优选40～400℃下的热膨胀系数低于4.3ppm/℃，开口气孔率为0.5％以下，平均结晶粒径为1.5μm以下。
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公开(公告)号：CN103681793B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201310410613.8
申请日：2013-09-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/477 , H01L21/225 , C04B35/00
CPC classification number: H01L21/6833 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C04B2237/366 , C04B2237/60 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/32477 , H01J37/3255 , H01J37/32715 , Y10T428/265
Abstract: 一种叠层结构体(10)，具备：以氮氧化铝镁为主相的第1结构体(12)，以氮化铝为主相、含有具有石榴石型晶体结构的稀土类铝复合氧化物晶界相的第2结构体(14)，存在于第1结构体(12)和第2结构体(14)之间的反应层(15)，所述反应层(15)是稀土类铝复合氧化物晶界相(18)稀薄的氮化铝层。该叠层结构体(10)的反应层(15)的厚度在150μm以下。此外，叠层结构体(10)的第1结构体(12)与第2结构体(14)的线性热膨胀系数差在0.3ppm/K以下。叠层结构体(10)在第2结构体(14)烧成时，通过晶界相(18)向第1结构体(12)一侧扩散，由该晶界相(18)变得稀薄的扩散界面(17)形成反应层(15)。
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公开(公告)号：CN107226692A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710172464.4
申请日：2017-03-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/195 , C04B35/645 , H01P7/00
CPC classification number: C04B35/195 , C04B35/62605 , C04B35/6262 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B37/00 , C04B37/001 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/3481 , C04B2235/3826 , C04B2235/3873 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/74 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/704 , H01P7/00
Abstract: 本发明涉及一种堇青石质烧结体、其制法及复合基板。本发明的堇青石质烧结体以堇青石为主成分，且包含氮化硅或碳化硅。该堇青石质烧结体优选40～400℃下的热膨胀系数低于2.4ppm/℃，开口气孔率为0.5％以下，平均结晶粒径为1μm以下。
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