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公开(公告)号：CN1770446A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510129101.X
申请日：2005-08-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L31/12 , G02B6/42
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一种实施方式，提供一种带有接口模块的LSI封装，其特征在于，具备：装载信号处理LSI并具有安装板连接用电端子的内插板、以及具有用于对高速信号进行外部布线的传输线路和与安装板连接用插座对应的插座连接用电端子的接口模块；其中，上述内插板和上述接口模块分别具有环形电极和平板电极中的至少任意一个；上述内插板和上述接口模块通过利用上述环形电极和上述平板电极中的至少任意一个进行感应耦合、静电耦合以及它们的复合耦合而进行电连接。
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公开(公告)号：CN1747154A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510102579.3
申请日：2005-09-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/00 , H01L21/00 , H01L25/065
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898
Abstract: 晶片支持板由紫外线可透过的玻璃或树脂形成为大致圆板状，其外径比要支持的半导体晶片的外径大。在晶片支持板上，与在半导体晶片上形成的多个贯通孔相对应地形成有多个开口。这些开口的开口面积比贯通孔的开口面积更宽广，即，开口直径更大。
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公开(公告)号：CN1160768C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN01124869.6
申请日：2001-08-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/67276 , H01L21/67132 , H01L2221/68318
Abstract: 本发明提供的芯片拾取装置，备有顶推机构、运送机构和控制器。上述顶推机构，从粘接带的粘接面背面侧，用销越过粘接带，顶推单个的芯片，将芯片从粘接带上剥离下来。上述运送机构，在上述顶推机构剥离芯片时，用吸头吸附芯片，一直保持吸附状态，然后使吸头上升，拾取芯片，运送到下一工序；上述控制器，控制顶推机构的销对芯片的顶推动作，控制该销的上升时间和下降时间，在从上升变化到下降时使其滞留预定的时间。
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公开(公告)号：CN102651379A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210043827.1
申请日：2012-02-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1469
Abstract: 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。实施例的半导体制造方法具备：在第1基板的主表面上形成作为包含光电二极管的有源区域的光电二极管层的步骤；在所述光电二极管层上，形成包含布线以及覆盖该布线的绝缘层的布线层的步骤；在所述布线层上形成绝缘膜的步骤。实施例的半导体制造方法还具备：以使所述光电二极管层的晶体取向和第2基板的晶体取向一致的方式将所述第2基板接合到所述第1基板的所述绝缘膜的步骤。
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公开(公告)号：CN102280461A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110153488.8
申请日：2011-06-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14618 , H01L27/14687 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H04N5/2253 , H04N5/2254 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置，根据实施方式，具备：半导体基板；活性层，形成在上述半导体基板的一个面上；布线层，形成在上述活性层上，在不与上述活性层接触的面侧具有形成为凸部的布线；绝缘层，形成在上述布线层上，以使该绝缘层具有凹部；埋层，设在上述绝缘层的凹部上；接合层，设在上述绝缘层及上述埋层上；和基板，与上述接合层接合，以使该基板对置于上述半导体基板的上述一个面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101295710B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810109789.9
申请日：2005-05-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，具备：具有电极部的基板；第1半导体元件，具有通过第1键合引线连接在所述电极部上的第1电极焊盘，并且粘接在所述基板上；以及第2半导体元件，具有通过第2键合引线连接在所述电极部上的第2电极焊盘，并且用由同一材料形成且弹性率不同的2层结构的粘接剂层粘接到所述第1半导体元件上。
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公开(公告)号：CN100561267C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200610167644.5
申请日：2006-12-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社东芝
CPC classification number: G02B6/3644 , G02B6/3652 , G02B6/3696 , G02B6/4202
Abstract: 本发明公开一种用于制造光学耦合部件的方法以及采用该方法制造的光学耦合部件。在将具有多个引脚(31)的布线板(30)夹物模制于模制元件(20)的端面(21)上之后，切掉布线板(30)的多余部分，从而可以容易地实现三维布线。结果，可以将与光纤(11)的端面(11b)相对设置的光电转换元件(41)的电极端子部分(43)电耦合于光学耦合部件(10)的电力布线部分(23)上。
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公开(公告)号：CN101055867A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710096315.0
申请日：2007-04-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/18 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，具备：表面侧形成有电极焊盘的半导体基板；贯通电极，其具有：形成为从所述半导体基板的背面侧到达形成于所述电极焊盘上的金属凸块的贯通孔，以覆盖所述贯通孔的内壁的方式形成的绝缘树脂，以及在利用所述绝缘树脂与所述半导体基板绝缘的状态下形成于所述贯通孔内，并将所述电极焊盘与所述半导体基板的背面侧电连接的导体；半导体芯片，其以背面彼此相对的方式安装在所述半导体基板的背面侧；以及布线，其将所述贯通电极和形成于所述半导体芯片的电极电连接。
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公开(公告)号：CN1700467A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510070829.X
申请日：2005-05-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/12
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，具备：具有电极部的基板；第1半导体元件，具有通过第1键合引线连接在所述电极部上的第1电极焊盘，并且粘接在所述基板上；以及第2半导体元件，具有通过第2键合引线连接在所述电极部上的第2电极焊盘，并且用由同一材料形成且弹性率不同的2层结构的粘接剂层粘接到所述第1半导体元件上。
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公开(公告)号：CN102651379B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210043827.1
申请日：2012-02-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1469
Abstract: 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。实施例的半导体制造方法具备：在第1基板的主表面上形成作为包含光电二极管的有源区域的光电二极管层的步骤；在所述光电二极管层上，形成包含布线以及覆盖该布线的绝缘层的布线层的步骤；在所述布线层上形成绝缘膜的步骤。实施例的半导体制造方法还具备：以使所述光电二极管层的晶体取向和第2基板的晶体取向一致的方式将所述第2基板接合到所述第1基板的所述绝缘膜的步骤。
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