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11.

发明公开
半导体器件无效

公开(公告)号：CN101373764A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810169610.9

申请日：2005-01-14

申请人： 株式会社瑞萨科技

发明人： 宇野友彰 , 白石正树 , 松浦伸悌 , 佐藤幸弘

IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/31 , H02M3/155

CPC分类号： H01L25/165 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40245 , H01L2224/4103 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/73221 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H02M3/1588 , H03K17/6871 , Y02B70/1466 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

摘要： 本发明提供了一种半导体器件。在包括串联连接的高端开关功率MOSFET和低端开关功率MOSFET的非隔离DC－DC转换器中，在一个半导体芯片之中形成高端开关功率MOSFET和用于驱动高端和低端开关功率MOSFET的驱动器电路，而在另一个半导体芯片中形成低端开关功率MOSFET。在一个单一封装中密封两个半导体芯片。本发明提高了半导体器件的电压转换效率。

12.

发明公开
DMOSFET和平面型MOSFET 无效

公开(公告)号：CN1921150A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610111083.7

申请日：2006-08-18

申请人： 株式会社瑞萨科技

发明人： 白石正树 , 岩崎贵之 , 松浦伸悌 , 中沢芳人 , 可知刚

IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/49 , H01L29/36

CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/42368 , H01L29/42372 , H01L29/4916 , H01L29/4933 , H01L29/518 , H01L29/66712 , H01L29/7806

摘要： 提供在平面型MOSFET中即使使沟道层浅结化也可防止沟道层的穿通并可实现低导通电阻和低反馈电容的MOSFET的技术。解决方法是在平面型MOSFET、特别是N沟道的DMOSFET中使用P型多晶硅(7)作为栅电极。

13.

发明公开
半导体器件失效转让

公开(公告)号：CN1691327A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510064738.5

申请日：2005-04-18

申请人： 株式会社瑞萨科技

发明人： 宇野友彰 , 白石正树 , 松浦伸悌 , 长泽俊夫

IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/48 , G06F1/26 , H02M3/155 , H02M1/00

CPC分类号： H02M1/08 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/20753

摘要： 本发明提供一种非绝缘DC－DC转换器，该转换器具有用于高端开关的功率MOSFET和用于低端开关的功率MOSFET。在该非绝缘DC－DC转换器中，用于高端开关的功率MOSFET、用于低端开关的功率MOSFET、分别控制这些功率MOSFET的操作的驱动电路、和与用于低端开关的功率MOSFET并联连接的肖特基势垒二极管，分别形成在不同的半导体芯片中。这四个半导体芯片存储在一个管壳中。这些半导体芯片安装在同一芯片焊盘上方。布置这些半导体芯片使得它们彼此接近。

14.

发明公开
半导体器件失效

公开(公告)号：CN1641887A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510001718.3

申请日：2005-01-14

申请人： 株式会社瑞萨科技

发明人： 宇野友彰 , 白石正树 , 松浦伸悌 , 佐藤幸弘

IPC分类号： H01L29/78 , G06F1/26 , H01L25/07 , H01L25/18 , H02M3/155 , H02M1/00

CPC分类号： H01L25/165 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40245 , H01L2224/4103 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/73221 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H02M3/1588 , H03K17/6871 , Y02B70/1466 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

摘要： 本发明提高了半导体器件的电压转换效率。在包括串联连接的高端开关功率MOSFET和低端开关功率MOSFET的非隔离DC－DC转换器中，在一个半导体芯片之中形成高端开关功率MOSFET和用于驱动高端和低端开关功率MOSFET的驱动器电路，而在另一个半导体芯片中形成低端开关功率MOSFET。在一个单一封装中密封两个半导体芯片。