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公开(公告)号：CN101582415A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910142454.1
申请日：2005-02-16
申请人： 株式会社瑞萨科技
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/49 , H01L23/495 , H02M3/10
CPC分类号： H01L23/5386 , H01L23/49575 , H01L23/50 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/165 , H01L29/4175 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/29339 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/4943 , H01L2224/83855 , H01L2224/85 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M3/1588 , H05K7/02 , Y02B70/1466 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/2075 , H01L2924/20754
摘要： 本发明提供了一种半导体器件，包括这样一个电路的非绝缘型DC－DC转换器，在该电路中用于高压侧开关的功率MOS·FET和用于低压侧开关的功率MOS·FET串联连接。在非绝缘型DC－DC转换器中，用于高压侧开关的功率晶体管、用于低压侧开关的功率晶体管和驱动这些功率晶体管的驱动电路分别由不同的半导体芯片构成。这三个半导体芯片被容纳在一个封装中，并且包括用于高压侧开关的功率晶体管的半导体芯片和包括驱动电路的半导体芯片被彼此邻近地布置。
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公开(公告)号：CN1728379A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510077212.0
申请日：2005-06-16
申请人： 株式会社瑞萨科技
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/78 , H01L21/82 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L21/28035 , H01L21/823475 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L29/1095 , H01L29/41741 , H01L29/4232 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/4916 , H01L29/66143 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48011 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48253 , H01L2224/48624 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M3/155 , H02M7/003
摘要： 提供一种电源电压转换效率提高的半导体器件。在具有一个其中用于高端开关的功率MOSFET和用于低端开关的功率MOSFET串联连接的电路的非绝缘DC－DC转换器中，用于低端开关的功率MOSFET和肖特基势垒二极管形成在一个半导体芯片内，该肖特基势垒二极管与该用于低端开关的功率MOSFET并联连接。肖特基势垒二极管的形成区域SDR布置在半导体芯片较短方向上的中心，以及在其两侧上布置用于低端开关的功率MOSFET的形成区域。从半导体芯片主表面上两个长边附近的栅极指向肖特基势垒二极管的形成区域SDR，布置多个栅极指，使得形成区域SDR插入在它们之间。
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公开(公告)号：CN100521197C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510064738.5
申请日：2005-04-18
申请人： 株式会社瑞萨科技
CPC分类号： H02M1/08 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/20753
摘要： 本发明提供一种非绝缘DC-DC转换器，该转换器具有用于高端开关的功率MOSFET和用于低端开关的功率MOSFET。在该非绝缘DC-DC转换器中，用于高端开关的功率MOSFET、用于低端开关的功率MOSFET、分别控制这些功率MOSFET的操作的驱动电路、和与用于低端开关的功率MOSFET并联连接的肖特基势垒二极管，分别形成在不同的半导体芯片中。这四个半导体芯片存储在一个管壳中。这些半导体芯片安装在同一芯片焊盘上方。布置这些半导体芯片使得它们彼此接近。
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公开(公告)号：CN101488496A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910004386.2
申请日：2004-05-13
申请人： 株式会社瑞萨科技
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/48 , H01L23/538 , H02M3/00
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/495 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6611 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/16 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2224/49175 , H01L2224/84801 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015
摘要： 本发明公开了一种半导体集成电路。功率MOS－FET被用作非绝缘DC/DC变换器中的高端开关晶体管。用作功率MOS－FET源极端子的电极区分别通过连结导线连接到一个外部引线和两个外部引线。所述一个外部引线是连接到用于驱动栅极的通路上的外部端子。所述两个外部引线中的每一个是连接到主电流通路的外部端子。由于以分立的形式连接主电流通路和栅极驱动通路，因此可以减小寄生电感的影响，并提高电压变换效率。
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公开(公告)号：CN1677666A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510007761.0
申请日：2005-02-16
申请人： 株式会社瑞萨科技
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/495 , H02M3/155
CPC分类号： H01L23/5386 , H01L23/49575 , H01L23/50 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/165 , H01L29/4175 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/29339 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/4943 , H01L2224/83855 , H01L2224/85 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M3/1588 , H05K7/02 , Y02B70/1466 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/2075 , H01L2924/20754
摘要： 本发明提供了一种具有这样一个电路的非绝缘型DC－DC转换器，在该电路中用于高压侧开关的功率MOS·FET和用于低压侧开关的功率MOS·FET串联连接。在非绝缘型DC－DC转换器中，用于高压侧开关的功率晶体管、用于低压侧开关的功率晶体管和驱动这些功率晶体管的驱动电路分别由不同的半导体芯片构成。这三个半导体芯片被容纳在一个封装中，并且包括用于高压侧开关的功率晶体管的半导体芯片和包括驱动电路的半导体芯片被彼此邻近地布置。
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公开(公告)号：CN1551342A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410043136.7
申请日：2004-05-13
申请人： 株式会社瑞萨科技
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/495 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6611 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/16 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2224/49175 , H01L2224/84801 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015
摘要： 功率MOS－FET被用作非绝缘DC/DC变换器中的高端开关晶体管。用作功率MOS－FET源极端子的电极区分别通过连结导线连接到一个外部引线和两个外部引线。所述一个外部引线是连接到用于驱动栅极的通路上的外部端子。所述两个外部引线中的每一个是连接到主电流通路的外部端子。由于以分立的形式连接主电流通路和栅极驱动通路，因此可以减小寄生电感的影响，并提高电压变换效率。
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公开(公告)号：CN1719706A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510078017.X
申请日：2005-06-10
申请人： 株式会社瑞萨科技
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/823487 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L27/088 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H02M3/1588 , Y02B70/1466 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要： 提供一种半导体装置、DC/DC变换器和电源系统，该半导体装置可防止自导通并能大幅度地提高电源变换效率。在把高端开关、低端开关、两个驱动器单封装化了的电源用封装中系统中，由于通过把辅助开关内装在低端开关的栅－源间，并在同一个芯片上构成该低端开关的低端MOSFET 3和辅助开关的辅助MOSFET 4，能够防止自导通，所以可以安装阈值电压低的低端MOSFET 3，电源变换效率大幅度地提高。而且，关于辅助MOSFET 4的栅驱动，通过利用高端MOSFET 2的驱动器，也不需要设置新的驱动电路，而且能够以与现有制品相同的管脚配置来实现，置换是容易的。
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公开(公告)号：CN100524735C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510007761.0
申请日：2005-02-16
申请人： 株式会社瑞萨科技
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/495 , H02M3/155
CPC分类号： H01L23/5386 , H01L23/49575 , H01L23/50 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/165 , H01L29/4175 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/29339 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/4943 , H01L2224/83855 , H01L2224/85 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M3/1588 , H05K7/02 , Y02B70/1466 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/2075 , H01L2924/20754
摘要： 本发明提供了一种具有这样一个电路的非绝缘型DC-DC转换器，在该电路中用于高压侧开关的功率MOS·FET和用于低压侧开关的功率MOS·FET串联连接。在非绝缘型DC-DC转换器中，用于高压侧开关的功率晶体管、用于低压侧开关的功率晶体管和驱动这些功率晶体管的驱动电路分别由不同的半导体芯片构成。这三个半导体芯片被容纳在一个封装中，并且包括用于高压侧开关的功率晶体管的半导体芯片和包括驱动电路的半导体芯片被彼此邻近地布置。
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公开(公告)号：CN100521201C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510077212.0
申请日：2005-06-16
申请人： 株式会社瑞萨科技
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/78 , H01L21/82 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L21/28035 , H01L21/823475 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L29/1095 , H01L29/41741 , H01L29/4232 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/4916 , H01L29/66143 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48011 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48253 , H01L2224/48624 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M3/155 , H02M7/003
摘要： 提供一种电源电压转换效率提高的半导体器件。在具有一个其中用于高端开关的功率MOSFET和用于低端开关的功率MOSFET串联连接的电路的非绝缘DC-DC转换器中，用于低端开关的功率MOSFET和肖特基势垒二极管形成在一个半导体芯片内，该肖特基势垒二极管与该用于低端开关的功率MOSFET并联连接。肖特基势垒二极管的形成区域SDR布置在半导体芯片较短方向上的中心，以及在其两侧上布置用于低端开关的功率MOSFET的形成区域。从半导体芯片主表面上两个长边附近的栅极指向肖特基势垒二极管的形成区域SDR，布置多个栅极指，使得形成区域SDR插入在它们之间。
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公开(公告)号：CN100474571C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410043136.7
申请日：2004-05-13
申请人： 株式会社瑞萨科技
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/495 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6611 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/16 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2224/49175 , H01L2224/84801 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015
摘要： 功率MOS-FET被用作非绝缘DC/DC变换器中的高端开关晶体管。用作功率MOS-FET源极端子的电极区分别通过连结导线连接到一个外部引线和两个外部引线。所述一个外部引线是连接到用于驱动栅极的通路上的外部端子。所述两个外部引线中的每一个是连接到主电流通路的外部端子。由于以分立的形式连接主电流通路和栅极驱动通路，因此可以减小寄生电感的影响，并提高电压变换效率。
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