公开(公告)号：CN102376615B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201110204420.8

申请日：2011-07-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/683 ,  H01L23/29 ,  C08L63/00 ,  C08L71/12 ,  C08L61/06 ,  C08K7/18 ,  C09J7/02

CPC classification number: C09J163/00 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件。本发明提供一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，该倒装芯片型半导体背面用膜包含基于倒装芯片型半导体背面用膜的总量在70重量％-95重量％范围内的无机填料。

公开(公告)号：CN105219287A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510586296.4

申请日：2011-07-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 浅井文辉 ,  志贺豪士 ,  高本尚英

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/60

CPC classification number: B32B7/06 ,  B32B7/02 ,  B32B7/12 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/26 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜及用于生产半导体器件的方法。本发明涉及一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包含依次堆叠的基材层、第一压敏粘合剂层和第二压敏粘合剂层的切割带，和堆叠在切割带的第二压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中第一压敏粘合剂层与第二压敏粘合剂层之间的剥离强度Y大于第二压敏粘合剂层与半导体背面用膜间的剥离强度X，和其中剥离强度X为0.01-0.2N/20mm，和剥离强度Y为0.2-10N/20mm。

公开(公告)号：CN102373019B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201110216966.5

申请日：2011-07-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 浅井文辉 ,  志贺豪士 ,  高本尚英

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: B32B7/06 ,  B32B7/02 ,  B32B7/12 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/26 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜及用于生产半导体器件的方法。本发明涉及一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包含依次堆叠的基材层、第一压敏粘合剂层和第二压敏粘合剂层的切割带，和堆叠在切割带的第二压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中第一压敏粘合剂层与第二压敏粘合剂层之间的剥离强度Y大于第二压敏粘合剂层与半导体背面用膜间的剥离强度X，和其中剥离强度X为0.01-0.2N/20mm，和剥离强度Y为0.2-10N/20mm。

公开(公告)号：CN102373022B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201110217053.5

申请日：2011-07-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: C09J5/06 ,  C09J7/22 ,  C09J7/29 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/11 ,  C09J2205/302 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81911 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/10253 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/31504 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体背面用加热剥离片集成膜、半导体元件的收集方法和半导体器件的生产方法。本发明涉及半导体背面用加热剥离片集成膜，其包括：包括基材层和压敏粘合剂层的压敏粘合片，和形成于压敏粘合片的压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中压敏粘合片为其从半导体背面用膜的剥离力在加热时减少的热剥离性压敏粘合片。

公开(公告)号：CN102344646B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110184672.9

申请日：2011-06-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: C08L63/00 ,  C08L71/12 ,  C08L61/06 ,  C08K3/22 ,  C09J7/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78

CPC classification number: C08K3/22 ,  C08K2201/001 ,  C08K2201/005 ,  C09J163/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2848 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜及其用途。本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜要设置于要倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面上，所述膜包含树脂和导热性填料，其中导热性填料的含量为所述膜的至少50体积％，以及相对于所述膜的厚度，导热性填料的平均粒径为至多30％，并且相对于所述膜的厚度，导热性填料的最大粒径为至多80％。

公开(公告)号：CN102169849B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201010623081.2

申请日：2010-12-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 村田修平 ,  松村健 ,  水野浩二 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/68 ,  C09J7/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67132 ,  B32B7/12 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24777 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及芯片保持用胶带、芯片状工件的保持方法、使用芯片保持用胶带的半导体装置制造方法及芯片保持用胶带的制造方法。本发明提供容易进行芯片状工件的粘贴剥离的芯片保持用胶带。一种芯片保持用胶带，具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述粘合剂层具有用于粘贴芯片状工件的芯片状工件粘贴区域和用于粘贴安装框架的框架粘贴区域，所述芯片保持用胶带通过将安装框架粘贴到所述框架粘贴区域上来使用，其中，所述粘合剂层中，在测定温度23±3℃、牵引速度300mm/分钟的条件下，所述框架粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力为所述芯片状工件粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力的5倍以上。

公开(公告)号：CN103038300B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201280002198.6

申请日：2012-05-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 龟井胜利 ,  生岛伸祐 ,  土生刚志 ,  浅井文辉

IPC: C09J5/00 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02 ,  C09J123/00 ,  C09J123/14

CPC classification number: C09J123/14 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B27/06 ,  B32B27/327 ,  B32B2307/748 ,  B32B2405/00 ,  C08L2207/14 ,  C08L2314/06 ,  C09J7/40 ,  C09J2423/00

Abstract: 提供简便地选择适合于粘合片的隔离膜的方法。本发明的选择方法包括如下工序：至少形成粘合剂层的材料在熔融的状态下与隔离膜贴合，得到至少具有粘合剂层和隔离膜的粘合片的工序；将该隔离膜从得到的粘合片上剥离，将该粘合片的粘合剂层与评价用隔离膜贴合，制作评价用粘合片的工序；以及，用一对缓冲材料和一对压板夹持该评价用粘合片，在压板表面温度140℃、压力5MPa下保持1分钟后，通过在剥离速度300mm/分钟下的180°剥离试验对评价用隔离膜的剥离力进行评价的工序。

公开(公告)号：CN1865376B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200610079200.6

申请日：2006-05-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 新谷寿朗 ,  高桥智一 ,  山本昌司 ,  木内一之 ,  浅井文辉 ,  赤泽光治

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B7/12 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2809 ,  Y10T428/2891

Abstract: 本发明提供一种用于切割的压敏粘合片及使用其的工件的加工方法。本发明的切割用压敏粘合片包括基膜和至少一个设置在基膜上的压敏粘合剂层，并在切割工件时使用，其特征在于，所述压敏粘合剂层含有丙烯酸类聚合物，该丙烯酸类聚合物包含按重量至少5％的、侧链上具有烷氧基的单体单元。通过所述构成，能够提供即使经过长时间的情况下，仍然良好地表现拾取性的切割用压敏粘合片以及使用它的工件的加工方法。

公开(公告)号：CN103173149A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210558997.3

申请日：2012-12-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 土生刚志 ,  龟井胜利 ,  生岛伸祐 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02

Abstract: 本发明提供一种可以抑制切断粘合片时产生碎块和切割碎屑的粘合片。本发明的粘合片具备粘合剂层和基材层，是将粘合剂层形成材料和基材层形成材料共挤出成型而得到的。本发明的粘合片的该粘合剂层和该基材层间的锚固力与该粘合剂层的粘合力之差为1.0N/20mm以上。

公开(公告)号：CN101130669B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200710142361.X

申请日：2007-08-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 新谷寿朗 ,  浅井文辉 ,  山本和彦

IPC: C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08K5/0008 ,  C08L2312/06 ,  C09D133/08 ,  C09J7/50 ,  C09J2203/326 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/001 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T428/2809

Abstract: 本发明涉及一种用于加工的压敏黏合片，其包括基材；包含可辐射聚合化合物的压敏黏合剂层；和包含玻璃化转变温度为20℃以上的丙烯酸类聚合物作为主要成分的中间层，该中间层布置在所述基材和所述压敏黏合剂层之间。本发明压敏黏合片的压敏黏合性能、可剥离性和膨胀性优异。