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公开(公告)号：CN111159082B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201911083166.3
申请日：2019-11-07
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： G06F13/40
摘要： 本发明提供一种可重组式数据总线系统及其方法，该可重组式数据总线系统包括信号驱动装置、信号接收装置、数据总线及信号检测装置。信号驱动装置存储有电性参数数据库。电性参数数据库包含多个不同的信号线与接地线数量比值以及对应信号线与接地线数量比值的多个信号质量参数。数据总线的多个信号线电性连接在信号驱动装置与该信号接收装置之间。信号检测装置电性连接于数据总线以及信号驱动装置，且信号检测装置用于检测数据总线的当前信号质量参数且传送当前信号质量参数至信号驱动装置，信号驱动装置依据数据总线的当前信号质量参数以及电性参数数据库选择地重新配置数据总线的当前信号线与接地线数量比值。
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公开(公告)号：CN106356349A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510524918.0
申请日：2015-08-25
申请人： 财团法人工业技术研究院
发明人： 吴仕先
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本发明公开一种电路结构，包括一环形导体、一导体柱及至少一导电延伸件。环形导体沿一方向延伸。导体柱沿此方向延伸且位于环形导体内。至少一导电延伸件连接于环形导体的至少一端缘且朝向导体柱延伸。
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公开(公告)号：CN103904053B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310089368.5
申请日：2013-03-20
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L23/522
CPC分类号： H01L25/00 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L23/49833 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/64 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L2224/02375 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13024 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/1703 , H01L2224/17106 , H01L2224/17515 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2224/49177 , H01L2224/73204 , H01L2224/73257 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/3011 , H01L2924/01079 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要： 一种芯片堆叠结构，包括多个微凸块结构、多个第一衬底、至少一第一间隙层、多个第二衬底以及至少一第二间隙层。所述第一衬底利用所述微凸块结构的一部分彼此堆叠，并且各第一衬底包括至少一第一重布线层。第一间隙层位于所堆叠的第一衬底之间。所述第二衬底利用所述微凸块结构的另一部分与所述第一衬底至少其中之一堆叠，并且各第二衬底包括至少一第二重布线层。第二间隙层位于所堆叠的第一衬底与第二衬底之间。所述第一重布线层、所述第二重布线层以及所述微凸块结构形成多个阻抗元件，并且所述阻抗元件提供一特定的振荡频率。
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公开(公告)号：CN103594440B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210367115.5
申请日：2012-09-28
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L23/48 , H01L21/02107 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/06181 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/81192 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开一种半导体基板，其包括有具有相对的一第一表面与一第二表面的一基板、形成于该基板的一第一表面的一预定位置的一第一导电接垫、以及对应第一导电接垫的位置而形成于该基板的一第二表面的一预定位置的一第二导电接垫以及形成于基板中而与第一导电接垫以及第二导电接垫其中之一接触的一导电柱。
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公开(公告)号：CN102612253B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110036528.0
申请日：2011-01-31
申请人： 财团法人工业技术研究院
发明人： 吴仕先
IPC分类号： H05K1/02 , H05K1/11 , H05K9/00 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/552
CPC分类号： H05K1/0222 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H05K2201/096 , H01L2924/00
摘要： 内连线结构及使用该结构的装置、线路结构与方法。本发明公开了一内连线(Interconnection)结构。该内连线结构置于实际上相互平行的一第一导电层与一第二导电层之间，其中所述导电层包括一信号线。该内连线结构包括一导电柱以及一遮蔽墙柱。该导电柱穿行于所述第一导电层与第二导电层之间，而导电柱连接第一导电层的信号线。遮蔽墙柱设置于第一导电层与第二导电层之间，该遮蔽墙柱围绕导电柱外围的局部区域，并且电性耦合到导电柱。该导电柱以及遮蔽墙柱为成对或成组式架构。该不同于导电柱形状的遮蔽墙柱，将依其特殊形状设计将使得该导电柱成为具备阻抗设计及控制能力的连线。
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公开(公告)号：CN103904053A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310089368.5
申请日：2013-03-20
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L23/522
CPC分类号： H01L25/00 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L23/49833 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/64 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L2224/02375 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13024 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/1703 , H01L2224/17106 , H01L2224/17515 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2224/49177 , H01L2224/73204 , H01L2224/73257 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/3011 , H01L2924/01079 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要： 一种芯片堆叠结构，包括多个微凸块结构、多个第一衬底、至少一第一间隙层、多个第二衬底以及至少一第二间隙层。所述第一衬底利用所述微凸块结构的一部分彼此堆叠，并且各第一衬底包括至少一第一重布线层。第一间隙层位于所堆叠的第一衬底之间。所述第二衬底利用所述微凸块结构的另一部分与所述第一衬底至少其中之一堆叠，并且各第二衬底包括至少一第二重布线层。第二间隙层位于所堆叠的第一衬底与第二衬底之间。所述第一重布线层、所述第二重布线层以及所述微凸块结构形成多个阻抗元件，并且所述阻抗元件提供一特定的振荡频率。
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公开(公告)号：CN102024565A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910173551.7
申请日：2009-09-15
申请人： 财团法人工业技术研究院
摘要： 本发明提供一种电容结构，其包括：第一电极层；第一介电层，设于该第一电极层上；以及第二电极层，设于第一介电层上，其中第一电极层与第二电极层至少其一具有凹凸结构，使第一电极层与第二电极层之间具有至少两种不同距离，形成至少两组电容值的并联效果。
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公开(公告)号：CN101458994A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810184389.4
申请日：2008-12-10
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01G4/35 , H01G4/38 , H01L23/488 , H01L23/498 , H05K1/16 , H05K3/46
摘要： 本发明公开了一种阶梯式电容结构、其制造方法、及应用其的基板。阶梯式电容结构至少有一层导体层为阶梯式结构。导孔会贯穿此阶梯式电容的导体层。所以，当有不同频率的电流流过此导孔时，会引发不同的电流回流路径，导致不同电感效应。如此，可在单一平板电容结构达成阶层式去耦合电容的效果。
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公开(公告)号：CN101026151A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610007882.X
申请日：2006-02-23
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC分类号： H01L2224/32225 , H01L2224/4824 , H01L2224/49109 , H01L2224/73215 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
摘要： 一种具内藏式电容结构的芯片封装体，其包括集成电路元件、电容元件、封装架体以及封装胶体。电容元件设置于集成电路元件上。电容元件包括第一金属片、第二金属片以及介电层，其中介电层设置于第一金属片与第二金属片之间。封装架体设置于第二金属片的远离介电层的表面上。第一金属片与封装架体电连接、第二金属片与封装架体电连接、集成电路元件与封装架体电连接、集成电路元件与第一金属片电连接以及集成电路元件与第二金属片电连接。封装胶体设置于封装架体上，以固定集成电路元件、电容元件以及封装架体。
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公开(公告)号：CN113347786B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202010987166.2
申请日：2020-09-18
申请人： 财团法人工业技术研究院
摘要： 本发明公开一种具导电通孔阵列基板的电子装置，其包含一导电通孔阵列基板及至少一外层板。导电通孔阵列基板具有多个第一导电通孔。外层板具有多个第二导电通孔。外层板设置于导电通孔阵列基板的一侧，第一导电通孔的分布密度或数量大于第二导电通孔的分布密度或数量，使得部分第一导电通孔电连接于第二导电通孔，部分第一导电通孔为电性浮动。
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