公开(公告)号：CN101110394A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710007940.3

申请日：2007-02-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 白好善 ,  成演准 ,  河镜虎 ,  孙重坤 ,  李成男

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/02647 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02469 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645

摘要： 本发明提供了具有低缺陷密度以及优异表面形态特性的低缺陷半导体衬底以及制造其的方法。该半导体衬底包括由III－V族半导体材料形成的第一半导体层并且在其上形成有非晶区域和晶质区域，以及形成在该第一半导体层上并且从该晶质区域晶体生长的第二半导体层。

公开(公告)号：CN1934717A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580008071.5

申请日：2005-03-14

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 竹内良一 ,  宇田川隆

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/30

摘要： 一种化合物半导体发光二极管，包括由III－V族化合物半导体构成的发光层以及设置在所述发光层上并由III－V族化合物半导体构成的电流扩散层，其特征在于，所述电流扩散层由导电的基于磷化硼的半导体构成，并且所述电流扩散层的室温带隙宽于所述发光层的室温带隙。

公开(公告)号：CN1833311A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200480020384.8

申请日：2004-04-28

申请人： 株式会社日矿材料

发明人： 高草木操 ,  金井进

IPC分类号： H01L21/203

CPC分类号： C30B29/40 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02631

摘要： 一种外延生长方法，是采用分子束外延生长法形成具有III－V族系化合物半导体的异质结的半导体薄膜的外延生长方法，具备下述工序：照射至少一种以上的III族元素的分子束和第1V族元素的分子束，形成第1化合物半导体层的第1工序；停止上述III族元素的分子束和上述第1V族元素的分子束的照射，中断生长直到上述第1V族元素的供给量变为上述第1工序中的供给量的1/10以下的第2工序；和照射至少一种以上的III族元素的分子束和第2V族元素的分子束，在上述第1化合物半导体层上形成与上述第1化合物半导体不同的第2化合物半导体层的第3工序。

公开(公告)号：CN1447990A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01814308.3

申请日：2001-07-18

申请人： 索尼株式会社

发明人： 奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  大畑丰治 ,  菊谷友志

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02409 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139

摘要： 提供一种细微芯片结构的半导体发光器件，该结构具有良好的晶体特性和控制的衬底螺纹位错，能够不增加步骤地制备这种结构。半导体发光器件包括衬底和形成其上的晶体层，所述晶体层具有与衬底主平面倾斜的晶面(例如S面)，还包括第一导电类型层、有源层、以及平行于所述晶体层上所述晶面的第二导电类型层。半导体发光器件可选的具有平行于倾斜晶面的反射面。具有与衬底主平面平行的晶体层具有良好的晶体特性。此外，由于倾斜，晶体层防止了衬底螺纹位错，并有助于器件小型化和器件隔离。

公开(公告)号：CN1416590A

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN01804746.7

申请日：2001-02-08

申请人： 摩托罗拉公司

发明人： 珈玛尔·拉丹尼 ,  拉艾德兰斯·德鲁帕德 ,  林迪·L·西尔特 ,  科特·W·埃森贝瑟

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L21/8258

CPC分类号： H01S5/0261 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/15 ,  H01L33/16 ,  H01L33/30 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/021 ,  H01L2924/00

摘要： 通过首先在硅晶片(22)上生长出调节缓冲层(24)可以生长出覆盖较大硅晶片的高质量复合半导体材料外延层。调节缓冲层是单晶氧化物层，其中氧化硅非晶质分界层(28)将调节缓冲层与硅晶片分离开。非晶质分界层消除变形并且允许生长出高质量单晶氧化物调节缓冲层。调节缓冲层与底层硅晶片和覆盖的单晶复合半导体层(26)晶格匹配。通过非晶质分界层消除调节缓冲层和底层硅质基底之间的任何晶格失配。

公开(公告)号：CN1086514C

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN96105106.X

申请日：1996-04-18

申请人： 富士通株式会社

发明人： 今西健治

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/72 ,  H01L29/80 ,  H01L21/331 ,  H01L21/22 ,  H01L21/24

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7783

摘要： 一种制作半导体器件的方法包括用MOVPE工艺沉积具有第一导电类型的第一化合物半导体层(14，25)的步骤、采用由于气体掺杂剂的分解实施的平面掺杂工艺使第一化合物半导体层(15，16)的表面掺杂成同样的第一导电类型，这样在平面掺杂工艺期间不出现第一化合物半导体层的明显生长以及在第一化合物半导体晶层的掺杂表面上用MOVPE工艺沉积第一导电类型的第二化合物半导体层(16，27)。

公开(公告)号：CN106688079A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580047087.0

申请日：2015-06-24

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 藤仓序章

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B25/14

CPC分类号： C23C16/4401 ,  B08B5/02 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/54 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  C30B35/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68785

摘要： 半导体制造装置具有：处理容器；隔壁，其将处理容器内的空间的至少一部分划分为生长部和清洁部；基板保持构件，其配置于生长部内；原料气体供给系统，其向生长部内供给原料气体；清洁气体供给系统，其向清洁部内供给清洁气体；以及加热器，其对生长部以及所述清洁部进行加热。

公开(公告)号：CN103222072B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201180056609.5

申请日：2011-10-21

申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

发明人： P.施托斯 ,  A.贝雷斯

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/02 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01L33/26 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02543 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/173 ,  H01L2924/00

摘要： 说明了一种用于制造具有基于材料系统AlInGaP的半导体层堆叠（1）的光电子半导体芯片（10）的方法，其中提供生长衬底（2），所述生长衬底具有硅表面。将压缩松弛的缓冲层堆叠（3）施加在所述生长衬底（2）上。将半导体层堆叠（1）变质地外延生长在缓冲层堆叠（3）上。半导体层堆叠（1）具有被设置为生成辐射的活性层。还说明了一种借助于这样的方法制造的半导体芯片（10）。

公开(公告)号：CN105609585A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510952593.6

申请日：2015-12-16

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 陈星佑 ,  张永刚 ,  顾溢 ,  马英杰

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1844 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631

摘要： 本发明涉及一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法，包括：采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层，用两个或以上气态源进行生长，III族束源为固态，束流由快门切换实现控制；V族束源为气态，由压力或流量调节V族束流强度或V-III比，获得组分递变过渡层。用本发明的材料生长方法获得的过渡层可以有效地缓解异质结器件中异质界面处的能带尖峰或晶格和组分突变对器件性能带来的负面效应，从而有利于提高器件性能或发展新型器件。

公开(公告)号：CN103367418B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210421462.1

申请日：2012-10-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 姚福伟 ,  游承儒 ,  黄敬源 ,  许竣为 ,  余俊磊 ,  杨富智 ,  蔡俊琳

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/452 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明公开了一种高电子载流子迁移率晶体管(HEMT)包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且在成分上与第一III-V化合物层不同。载流子沟道设置在第一III-V化合物层和第二III-V化合物层之间。硅化物源极部件和硅化物漏极部件通过第二III-V化合物层与第一III-V化合物层接触。栅电极设置在第二III-V化合物层位于硅化物源极部件和硅化物漏极部件之间的部分的上方。本发明还公开了形成高电子迁移率晶体管的方法。