公开(公告)号：CN102129994A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201110009451.8

申请日：2011-01-12

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 菲利浦·默尼耶-贝拉德 ,  约翰内斯·约瑟夫斯·斯奥道勒斯·马里纳斯·唐克斯 ,  汉斯·莫腾斯 ,  托尼·范胡克

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/7378

摘要： 本申请公开了一种形成异质结双极晶体管的方法，包括：在单晶硅衬底表面上沉积包括多晶硅层和牺牲层的第一叠层；对所述第一叠层图案化以形成延伸到所述衬底的沟槽；沉积硅层；沉积硅-锗-碳层；从所述沟槽的侧壁选择性地去除所述硅-锗-碳层；沉积掺硼的硅-锗-碳层；沉积另外的硅-锗-碳层；沉积掺硼的另外的硅层；在所述沟槽的侧壁上形成电介质间隔物；用发射极材料填充所述沟槽；通过选择性地去除所述第一叠层的牺牲层，暴露出所述沟槽侧壁外部的多晶硅区；将磞杂质注入到所暴露的多晶硅区中以限定基极注入物；以及将所得到的结构暴露到热预算，用于对磞杂质进行退火。还公开了一种通过这种方法形成的异质结双极晶体管。

公开(公告)号：CN102110709A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200910202031.4

申请日：2009-12-24

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 邱慈云 ,  朱东园 ,  钱文生 ,  范永洁 ,  刘冬华 ,  胡君

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/331 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/7371

摘要： 本发明公开了一种BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管，包括：集电区、基区和发射区。集电区由有源区中的P型杂质离子注入层构成，底部连接一形成于浅槽底部的P型埋层，通过P型埋层和集电区相邻的有源区的连接引出集电区。基区由集电区上部的N型杂质离子注入层构成，通过基区上部的P型外延层反型后引出。发射区为基区上部的P型外延层进行重掺杂后形成。本发明还公开了该BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益BiCMOS电路中的输出器件、为电路提供多一种器件选择；本发明还能降低生产成本。

公开(公告)号：CN101256983B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810081718.2

申请日：2008-02-25

申请人： 国际商业机器公司

发明人： N·B·费尔申费尔德 ,  B·A·奥尔纳 ,  B·T·弗格利

IPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L29/7302 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66287

摘要： 本发明涉及半导体结构及其方法。将高性能双极晶体管集成到包含CMOS器件的BiCMOS结构中，其中所述高性能双极晶体管具有升高的自对准的外部基极。通过形成衬垫层和相对于预先存在的CMOS器件的源极和漏极增加内部基极层的高度，以及通过选择性外延来形成外部基极，在外部基极的光刻构图期间最小化拓扑变化的效果。此外，在制造双极器件期间，由于不采用任何的化学机械平坦化工艺，所以降低了工艺集成的复杂性。形成内部间隔物或外部间隔物来隔离基极与发射极。衬垫层、内部基极层以及外部基极层形成了具有重合的外侧壁表面的台面结构。

公开(公告)号：CN101174624B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710126295.7

申请日：2007-06-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李传英 ,  邓端理

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L27/2445 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7378 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

摘要： 一种半导体结构，包括：衬底；隔离结构，在半导体衬底中，其中隔离结构在半导体衬底中定义区域；第一半导体区，其至少一部分在通过隔离结构所定义的该区域中，其中第一半导体区具有第一导电型；第二半导体区，在第一半导体区上，其中第二半导体区具有与第一导电型相反的第二导电型；以及具有第一导电型的第三半导体区，在第二半导体区上，其中第三半导体区的至少一部分高于隔离结构的上表面。本发明能够克服现有技术的PRAM装置中隔离结构的深度小的缺点，改善选择器的扩充性。

公开(公告)号：CN101552202A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910129904.3

申请日：2009-04-01

申请人： 卓联半导体(美国)公司

发明人： T·J·克鲁特西克 ,  C·J·斯派尔

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/265 ,  H01L29/73 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7317 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66265

摘要： 所公开的主题提供了一种形成双极晶体管的方法，包括形成双极晶体管的浅基区的方法。该方法包括在用第一类型掺杂剂掺杂的材料的第一层上方淀积第一绝缘层。该第一层形成在衬底上方。该方法还包括基于目标掺杂剂分布来更改第一氧化物层的厚度并且在该第一层中注入第一类型的掺杂剂。该掺杂剂以基于所更改的该第一绝缘层厚度和该目标掺杂剂分布而选择的能量被注入。

公开(公告)号：CN101263600A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200480039266.1

申请日：2004-11-18

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 詹姆斯·A·基希格斯纳

IPC分类号： H01L27/082 ,  H01L27/102 ,  H01L29/70 ,  H01L31/11

CPC分类号： H01L29/7322 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7378

摘要： 一种半导体元件的制造方法，包括：提供半导体衬底(210，510)；在该半导体衬底中形成沟槽(130，430)，以便限定出由此沟槽彼此隔离的多个有源区；在该沟槽的一部分之下的半导体衬底之中，形成掩埋层(240，750)，其中该掩埋层至少部分地与该沟槽邻接；在形成该掩埋层之后，在该沟槽中淀积电绝缘材料(133，810)；在多个有源区的一个有源区中形成集电极区(150，950)，其中该集电极区形成与该掩埋层的接触；在多个有源区的一个有源区之上形成基极结构；以及在多个有源区的一个有源区之上形成发射极区。

公开(公告)号：CN100352061C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN02157058.2

申请日：2002-12-19

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 青木成刚 ,  斋藤徹 ,  能泽克弥

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L27/04 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

摘要： 本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，该半导体器件在绝缘层上具有在外延生长的同时所制造的很厚的多结晶半导体层。在集电开口部(5)上，外延生长由Si缓冲层(7d)、SiGe隔离层、倾斜SiGe层以及Si覆盖层的Si/SiGe层(7)，同时在氮化膜(6)的上面上和氧化膜(5)以及氮化膜(6)的侧面上沉积多结晶层(8)。此时，通过制成Si缓冲层(7d)之后制成SiGe隔离层等膜，确实进行非选择外延生长，并在氮化膜(6)上又制成多结晶层(8)。

公开(公告)号：CN101057328A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580038284.2

申请日：2005-11-10

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 玛瓦恩·H.·卡特 ,  弗朗索瓦·帕杰蒂

IPC分类号： H01L27/082 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732

摘要： 一种双极晶体管及制作晶体管的方法，其中晶体管包括基片(10)中的集电极(12)、位于集电极上的内基极(14)、与内基极相邻的外基极、位于内基极上的发射极(130)。从横切面看，外基极包括与内基极相邻的外基极注入区(82、172、192)。晶体管通过对基极上方的基片上发射极下部构图形成发射极基座(50)而形成。在不受发射极基座保护的区域内形成外基极。随后，形成发射极、相关联的分隔件(180)和硅化物区(220)。硅化物、外基极和发射极都彼此自对准。

公开(公告)号：CN1992337A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610064203.2

申请日：2006-12-22

申请人： 克里公司

发明人： A·K·阿加瓦尔 ,  S·克里什纳斯瓦米 ,  S·-H·刘 ,  D·C·卡佩尔

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/24 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/7325

摘要： 双极结型晶体管(BJT)包括：第一导电型的碳化硅(SiC)集电极层，在碳化硅集电极层上第二导电型的外延碳化硅基极层外延碳化硅基极层上的第一导电型的外延碳化硅发射极台。在碳化硅发射极台外部在外延碳化硅基极层的至少一部分上提供第一导电型的外延碳化硅钝化层。外延碳化硅钝化层可以设置以在零器件偏压时完全耗尽。还公开了相关的制造方法。

公开(公告)号：CN1836321A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023663.X

申请日：2004-06-22

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·J·约瑟夫 ,  刘奇志

IPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L21/331 ,  H01L27/082

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/732

摘要： 一种高fT和fmax的双极晶体管(100)，包括发射极(104)、基极(120)和集电极(116)。发射极具有下部分(108)和延伸超过下部分的上部分(112)。基极包括内基极(140)和外基极(144)。内基极位于发射极的下部分和集电极之间。外基极从发射极的下部分延伸超过发射极的上部分，并包括从发射极的上部分下面和发射极的上部分下面以外延伸的连续导体(148)。连续导体提供了从基极接触(未示出)到内基极的低电阻通路。晶体管可以包括未在发射极的上部分下面延伸的第二导体(152)，所述第二导体进一步减小通过外基极的电阻。