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公开(公告)号：CN113471303A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110658831.8
申请日：2021-06-15
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/115 , H01L31/117 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高探测效率自支撑CdZnTe厚膜结构、探测器件及其制备方法和应用。本发明提供的高探测效率自支撑CdZnTe厚膜伽马射线探测器制备方法包括衬底预处理、CdZnTe膜的生长过程、CdZnTe膜的剥离过程、自支撑CdZnTe厚膜伽马射线探测器的电极制作四个主要步骤。本发明方法通过在一种高热导率的单晶膜基底上生长CdZnTe厚膜，基底的高热导率能促进CZT晶粒的形核，进而获得大面积、低缺陷浓度的CdZnTe厚膜，所制得的高探测效率自支撑CdZnTe厚膜伽玛射线探测器具备十分优异的高能辐射探测特性，在室温条件下体漏电流和噪声都较低，对伽玛射线的截止能力和探测量子效率较高，成为目前室温半导体辐射探测领域的热点。
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公开(公告)号：CN108546995B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810204992.8
申请日：2018-03-13
Applicant: 上海大学
IPC: C30B29/48 , C30B23/02 , C30B23/06 , C30B33/00 , C30B33/02 , C30B33/10 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/24
Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯衬底上定向生长碲锌镉薄膜的制备方法，先采用CVD方法在铜箔上制备出单层石墨烯，再以石墨烯为衬底采用近空间升华法制备一层定向碲锌镉薄膜。本发明通过设定衬底和升华源之间距离实现近空间升华制备薄膜的方案，采用石墨烯材料作为衬底结构，与目标CdZnTe薄膜晶格匹配度高，从而实现定向性好的CdZnTe薄膜的制备。本发明旨在石墨烯衬底上采用进空间升华方法制备定向CdZnTe薄膜，实现制成器件时载流子在上下极之间传输损耗低，提高器件载流子传输速度，提高器件传输速度。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。
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公开(公告)号：CN113001376A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110212877.7
申请日：2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种CH3NH3PbI3(MAPbI3)晶体的抛光方法，涉及抛光领域，包括以下步骤：准备好待抛光的晶体，对待抛光的晶体表面进行细砂纸的打磨处理；配制抛光液，通过煤油与硅油以1:9的体积比进行混合，配制抛光液溶剂；将25mL溶剂与2g氧化镁抛光粉混合后超声均匀分散，形成所用的抛光液；将抛光液均匀倾倒至金相绒布抛光垫上，对待抛光的晶体进行抛光；通过煤油对晶体进行清洗，得到理想的晶体表面。MAPbI3晶体通过此方法抛光后，表面缺陷显著减少，电学性质明显提高。
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公开(公告)号：CN112522735A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011347355.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 上海大学
IPC: C25B11/069 , C25B11/075 , C25B1/04 , C25B1/55 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/30 , C30B28/12 , C30B29/46 , H01L31/0296
Abstract: 本发明公开了一种具有复合衬底结构的CZT薄膜材料及其制备方法，所述碲锌镉薄膜采用基片‑复合衬底‑半导体的三明治结构的组合形式。所述复合衬底结构是由氧化锌基薄膜层与金属催化层进行层叠组装结合的结构。本发明在传统碲锌镉薄膜生长过程中采用复合衬底结构。与传统生长方式相比，本发明所采用的复合衬底结构技术，得到的薄膜生长速度更快，薄膜晶粒尺寸更大，薄膜晶体质量更高，薄膜表面形貌可调控。本发明制备的薄膜材料对于能源、公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域能源获取、安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
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公开(公告)号：CN111312857A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010126593.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0236 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法，通过对关键材料，特别是有机材料的具体种类及用量的调控，并对相应辐射探测器制备的工艺流程及关键步骤所使用的参数条件进行了一定的改进，对热喷涂工艺所采用的温度及时间进行设置，达到能够满足商业需求的多晶卤化物钙钛矿光电探测器，其结构为ITO/多晶CsPbBr3/Au电极。本发明制作的无机钙钛矿CsPbBr3探测器具有较低的暗电流数量级，较高的信噪比以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低廉，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料抗水氧能力优异，可将本发明方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110530567A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910811853.6
申请日：2019-08-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种SOI键合片键合力的检测方法，能够对SOI键合片的键合力进行检测。本发明的测试过程包括待测SOI键合片的制备，超声波扫描显微镜的准备，刀片插入过程，测试过程等四个主要步骤。本发明方法测试过程简单易操作，对测试片损伤较小，得到的图片测试结果易于计算及分析。本发明方法采用超声波扫描显微镜来测量裂纹长度，相对于其他方法操作简便易于实施；本发明方法得到的检测结果更加直观，能得到的是直观的图像和分析，能得到键合面的具体细节特性及缺陷分布，分析与计算更加简便。
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公开(公告)号：CN110289215A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910551761.9
申请日：2019-06-25
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/465 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，在刻蚀前采用碲锌镉晶体的结构采用衬底-半导体的组合形式。本发明用SF6和Ar作为电感耦合等离子刻蚀的刻蚀气体，与传统的反应离子刻蚀方式相比，电感耦合等离子刻蚀的离子密度高，刻蚀速率更快，让刻蚀后的碲锌镉晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比并且刻蚀表面平整光滑。本发明刻蚀的晶体材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
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公开(公告)号：CN110190133A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910455480.3
申请日：2019-05-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/227 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种圆形结构的MgZnO薄膜晶体管的太阳能电池逆变器及其制备方法，制备了MgZnO薄膜，对太阳能电池逆变器的结构进行了设计，本发明逆变器的结构采用电极-绝缘层-沟道层-电极的结构的组合形式，依次由Cr电极、SiO2衬底、MZO沟道和Au电极四部分进行层叠组装而成。本发明相比传统的逆变器，具有较高的阻断电压以及夹断电压，并且安全无毒，适宜使用于日常生活中的太阳能发电中。本发明价格相较IGZO材料的价格低廉，适用于大规模太阳能电池中。本发明的衬底使用的是玻璃，且MZO薄膜为透明薄膜，所以相比传统太阳能电池，在美观程度上具有较大的优势。
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公开(公告)号：CN108615786A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810538191.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法，在碲锌镉衬底上形成辐射敏感场效应晶体管，该器件的栅极绝缘层为高阻碲锌镉薄膜，加强了探测器对于高能射线的捕获能力和灵敏度。低阻碲锌镉衬底作为沟道层，与绝缘层晶格常数匹配，增加了器件的稳定性。对于低阻碲锌镉衬底进行离子注入工艺，引入高浓度的杂质陷阱，可以有效调节器件的阈值电压，减小源漏接触电阻，增加器件灵敏度。该RadFET结构探测器工艺简单，对于碲锌镉晶体要求较低，适用于辐射剂量的探测，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105742492B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610225882.0
申请日：2016-04-13
Applicant: 上海大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层，其中所述磁性元素的掺杂质量比为5‑20 wt%。本发明通过一种新颖的电极结构使阻变现象仅发生在负电压，单边阻变现象使阻变存储单元热量损耗更小，提升阻变存储单元读取次数。本发明通过在非晶碳中掺杂磁性元素，使得掺杂的非晶碳薄膜阻变层在具有稳定阻变特性的同时还具有一定磁特性；阻变窗口>10，存储时间>1×105 s；结构简单，成本低廉。
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