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公开(公告)号：CN105742422A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510967484.1
申请日：2015-12-21
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 西冈大毅
CPC分类号： H01L33/0045 , G03B21/005 , G03B21/2033 , H01L33/0012 , H01L33/10 , H01L33/14 , H01L33/36 , H01L33/02
摘要： 本发明提供能够减少增益饱和而实现高输出化的发光装置及投影仪。在本发明所涉及的发光装置(100)中，光波导路(160)具有：包括中心位置(C)的第一区域(161)、包括第一光出射面(170)的第二区域(162)以及包括第二光出射面(172)的第三区域(163)，第二覆层具有多个非接触区域(18)，多个非接触区域(18)与光波导路(160)交叉，多个非接触区域(18)和第一区域(161)相重叠的面积与第一区域(161)的面积之比大于多个非接触区域(18)和第二区域(162)相重叠的面积与第二区域(162)的面积之比、且大于多个非接触区域(18)和第三区域(163)相重叠的面积与第三区域(163)的面积之比。
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公开(公告)号：CN105633242A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610178487.1
申请日：2016-03-28
申请人： 佛山市国星半导体技术有限公司
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/005 , H01L33/38
摘要： 本发明公开了一种具有通孔电极的LED芯片的制作方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成氮化镓基、3个以上电极通孔、电流扩展层、绝缘层和电极结构，且所述电极通孔对应的N型电极在绝缘层表面具有导电性连接，将连续的finger线变成不连续的电极通孔，化线为点，大大减少有源层的刻蚀面积，从而提高发光效率。
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公开(公告)号：CN105576102A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510477885.9
申请日：2015-08-06
申请人： 美科米尚技术有限公司
发明人： 张珮瑜
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L33/48 , H01L33/24 , H01L33/36
摘要： 本发明公开了一种发光二极体照明装置，其包含基板、下电极、下透明绝缘层、第一、第二垂直式发光二极体以及第一、第二上透明电极。下电极设置于基板上。下透明绝缘层覆盖基板，且具有第一、第二开口，用以分别裸露出下电极的第一、第二部分。第一垂直式发光二极体设置于第一部分上。第二垂直式发光二极体设置于第二部分上。第一、第二上透明电极分别电性连接第一、第二垂直式发光二极体。第一、第二上透明电极以及下电极共同电性连接第一、第二垂直式发光二极体而使第一、第二垂直式发光二极体串联。借由将第一、第二垂直式发光二极体串联，本发明的发光二极体照明装置具有高功率与高发光效率，同时因为其电流维持较小，于是寿命可以延长。
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公开(公告)号：CN102959708B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201180032811.4
申请日：2011-06-29
申请人： 柯立芝照明有限公司
IPC分类号： H01L29/02 , H01L23/488 , H01L29/40
CPC分类号： F21K9/66 , F21K9/20 , F21K9/275 , F21K9/278 , F21K9/64 , F21K9/65 , F21V3/02 , F21V9/30 , F21V23/003 , F21V23/02 , F21V29/74 , F21Y2115/10 , G02F1/133603 , H01L23/367 , H01L23/4985 , H01L23/5387 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L31/0468 , H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/483 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L51/0097 , H01L2224/06102 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83385 , H01L2224/83851 , H01L2225/107 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/10253 , H01L2924/10321 , H01L2924/10322 , H01L2924/10323 , H01L2924/10324 , H01L2924/10328 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10331 , H01L2924/10332 , H01L2924/10333 , H01L2924/10334 , H01L2924/10335 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/381 , H02S30/00 , H05B33/0854 , H05B37/0218 , H05B37/0227 , H05B37/0245 , H05K1/189 , H05K3/323 , H05K2201/09036 , H05K2201/10106 , H05K2203/302 , H01L2924/01015 , H01L2924/01031 , H01L2924/01051 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 根据特定实施例，利用压力激活的粘合剂将半导体芯片直接粘合至易弯曲基板，尽管半导体芯片的表面具有任意非平面性或半导体芯片触点非共面。
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公开(公告)号：CN105531833A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480040511.4
申请日：2014-05-05
申请人： 皇家飞利浦有限公司
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/02 , H01L33/36 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2933/0091
摘要： 在一个实施例中，LED管芯的透明生长衬底（38）形成为具有光散射区域（40A-C），诸如通过激光器形成的空隙。在另一实施例中，生长衬底被移除并且被形成有光散射区域的另一衬底取代。在一个实施例中，光散射区域形成在LED管芯的光吸收区域之上以降低那些吸收区域上的入射光的量，并且形成在衬底的侧面（42A，42B）之上以降低光引导。另一实施例包括取代衬底，其可以形成为包括其中不存在诸如-型金属接触件（28）之类的LED半导体层中的对应光生成区域的所选区域中的反射颗粒。这防止到半导体层的吸收区中的再吸收，从而增强器件的外部效率。3D结构可以通过堆叠包含反射区域的衬底层而形成。衬底可以是透明衬底或者贴附到LED顶部的磷光体瓦片（20）。
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公开(公告)号：CN103097113B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180037337.4
申请日：2011-10-28
申请人： 浦项工科大学校产学协力团
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y40/00 , H01L21/302 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L2933/0091
摘要： 本发明涉及制造纳米压印模具的方法、使用纳米压印模具的发光二极管以及制造发光二极管的方法。本发明的制造发光二极管的方法包括：在临时基板上形成n型氮化物半导体层、发光层和p型氮化物半导体层的步骤；在p型氮化物半导体层上形成p型电极的步骤；在p型电极上形成导电基板的步骤；通过去除临时基板而露出n型氮化物半导体层的步骤；在n型氮化物半导体层上形成纳米压印抗蚀剂层的步骤；通过将纳米压印模具按压在纳米压印抗蚀剂层上来将纳米图案转印到纳米压印抗蚀剂层上的步骤；将纳米压印模具与具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层分离开的步骤；以及通过刻蚀具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层来形成n型电极的步骤。本发明得到了一种制造可以有效地并经济地形成、用于增强发光二极管的光提取效率的纳米压印模具的方法、制造发光二极管的方法以及利用纳米压印模具的发光二极管。
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公开(公告)号：CN105489781A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610012381.4
申请日：2016-01-08
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01L33/36 , H01L51/50 , H01L51/56 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L2251/558
摘要： 本发明公开了一种发光器件及其制造方法和显示装置。该发光器件包括：衬底基板和位于所述衬底基板之上的第一电极层、第二电极层和发光层，所述发光层位于所述第一电极层和第二电极层之间；所述发光层包括空穴传输层，所述空穴传输层具备第一厚度，以避免所述发光器件的性能退化。本发明中，衬底基板之上形成有第一电极层、第二电极层和发光层，发光层位于第一电极层和第二电极层之间，发光层包括空穴传输层，空穴传输层具备第一厚度，从而避免了发光器件的性能退化。
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公开(公告)号：CN105449067A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201511031700.8
申请日：2015-12-31
申请人： 白德旭
发明人： 白德旭
摘要： 本发明涉及一种石墨烯LED芯片的制备方法，步骤包括：将经过硫酸水溶液浸泡并涂布于基板的石墨烯薄膜干燥后形成石墨烯透明下电极；采用原子力显微镜制造包括至少一个石墨烯纳米带的具有超晶格结构的石墨烯层，或者，通过氧化还原并透析的方式制备由石墨烯量子点形成具有超晶格结构的石墨烯层，将石墨烯层设置在石墨烯透明下电极上；在石墨烯层上依次设置P型半导体层和N型半导体层；将石墨烯透明电极作为石墨烯透明上电极设置在N型半导体层上，使得N型半导体层设置在P型半导体层和由石墨烯透明电极形成的石墨烯透明上电极之间。本发明通过具有超晶格结构的石墨烯作为发光层，光线不易被吸收，具有更高的发射率。
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公开(公告)号：CN105449060A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510985445.4
申请日：2015-12-25
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
摘要： 一种半导体发光二极管芯片，属于半导体技术领域，在两层第一导电类型半导体层之间设置二维电子气层，在两层第二导电类型半导体层之间设置二维空穴气层，第一电极与两层第一导电类型半导体层和二维电子气层分别连接，第二电极与两层第二导电类型半导体层和二维空穴气层分别连接。在第二导电类型半导体层上无需设置透明导电材料氧化铟锡ITO电流扩展层，其生产工艺简单。本发明形成高横向电流扩展及低工作电压发光二极管，通过电极和高载流子导电通道相连形成高载流子注入，降低欧姆接触电阻和LED工作电压；同时增强载流子扩展能力，提高载流子的注入效率，有效提高发光均匀性。
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公开(公告)号：CN103296166B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210085430.9
申请日：2012-03-21
申请人： 新世纪光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/382
摘要： 本发明是有关于一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件，该发光二极管组件是包含一组件基板、一第一型掺杂层、一发光层、一第二型掺杂层、多个第一沟部、一第二沟部、一绝缘层、一第一接点及一第二接点。该发光二极管组件的特征在于，该第二沟部串接该等第一沟部的一端并贯穿该第二型掺杂层及该发光层，且裸露部分该第一型掺杂层，增加该第一接点与该第一型掺杂层接触的面积，使该发光二极管组件可于高电流密度下使用而不会产生热聚集的问题，并且不会使该发光二极管组件的发光面积变小，而产生该发光二极管组件的发光效率降低的问题。而本发明的发光二极管组件可倒覆于一封装基板进行覆晶封装，以形成一覆晶式发光二极管封装组件。
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