半导体激光装置的制造方法及半导体激光条的检查方法

    公开(公告)号:CN101373884A

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:CN200810130888.5

    申请日:2008-08-21

    IPC分类号: H01S5/22

    摘要: 在半导体基板上,使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型的第2包覆层依次进行晶体生长,对上述第2导电型的第2包覆层进行加工,形成带状的多个脊形结构部,在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开,形成激光条;将在脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列脊形结构部后的列排列多个;该列和邻接的列,在脊形结构部的长度方向上错开,以使得脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的另一端部在脊形结构部的长度方向上互相重叠;使脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。采用该方法,就可以提供一种能以简单的方法对每个芯片判别谐振器长度的偏差是否在允许范围内的半导体激光装置的制造方法以及其制造工序中的半导体激光条的检查方法。

    半导体激光发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101292402A

    公开(公告)日:2008-10-22

    申请号:CN200680038915.5

    申请日:2006-10-16

    发明人: 野间亚树

    IPC分类号: H01S5/22 H01S5/323

    CPC分类号: H01S5/4025 H01S5/4087

    摘要: 本发明提供一种半导体激光发光装置(1),该半导体激光发光装置(1)具有:在基板(2)的上表面,叠层有第一下层包层(11)、第一活性层(12)以及第一上层包层(13)的红外激光发光元件(3),和叠层有第二下层包层(21)、第二活性层(22)以及第二上层包层(23)的红色激光发光元件(4)。第一下层包层(11)由在基板(2)的整个上表面形成的第三下层包层(17)、在第三下层包层(17)的整个上表面形成的蚀刻阻挡层(18)、和在位于蚀刻阻挡层(18)的上表面且形成红外激光发光元件(3)的区域形成的第四下层包层(19)构成。第二下层包层(21),形成于位于蚀刻阻挡层(18)的上表面且形成红外激光发光元件(3)的区域以外的区域。