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公开(公告)号：CN100524853C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510022816.5
申请日：2005-12-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , B60Q1/04 , F21S8/10 , F21W101/10 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/32 , F21S41/143 , F21S41/155 , F21Y2115/10 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/14 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00011 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 一种车辆的头灯装备有包含一个或多个发光器件(LED)的光源，以及基体部件(底座和后盖)，用以把光源紧固在车辆上。所述发光器件包括：GaN衬底1；在所述GaN衬底1的第一主表面一侧上的n-型AlxGa1-xN层3；位于比所述n-型AlxGa1-xN层3更远离GaN衬底1的p-型AlxGa1-xN层5；以及位于所述n-型AlxGa1-xN层3与p-型AlxGa1-xN层5之间的多量子阱4。在这种发光器件中，所述GaN衬底1的电阻率不大于0.5Ω·cm，朝下安装p-型AlxGa1-xN层5一侧，并从第二主表面1a放出光，所述第二主表面是一个与所述第一主表面相对的GaN衬底1的主表面。
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公开(公告)号：CN100524851C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410090350.8
申请日：2004-11-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，具备由氮化物半导体形成的第1导电型半导体层；由氮化物半导体形成的，设在第1导电型半导体层上的第2导电型半导体层；由氮化物半导体形成的，设在第1导电型半导体层和第2导电型半导体层之间的活性层；与第1导电型半导体层电连接的第1电极；以所定的图案设在第2导电型半导体层上的第2电极；和设在第2导电型半导体层上和上述第2电极上的金属反射膜。
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公开(公告)号：CN1257559C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN03155310.9
申请日：2003-08-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L31/0256 , G01J1/02
CPC classification number: H01L31/0296 , B82Y20/00 , H01L31/02966 , H01L31/0328 , H01L31/035236 , H01L31/107
Abstract: 本发明提供一种对蓝色-紫色-近紫外光灵敏的、暗电流低的、可靠性高的ZnSe系光电二极管，由p型单晶GaAs基板；在p型单晶GaAs基板上外延生长的、通过反复叠层p型ZnSe和p型ZnTe使禁带宽度连续变化的超晶格；在超晶格上外延生长的p型Zn1-xMgxSySe1-y层；在p型Zn1-xMgxSySe1-y层上外延生长的i型Zn1-xMgxSySe1-y层；在i型Zn1-xMgxSySe1-y层上外延生长的n型Zn1-xMgxSySe1-y层；在n型Zn1-xMgxSySe1-y层上形成的n金属电极；以及在p型单晶GaAs基板底面形成的p金属电极构成。
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公开(公告)号：CN1148811C
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN00106758.3
申请日：2000-04-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , Y10S438/94
Abstract: 一发光层提供在一基底上，一p-型半导体层(24)提供在发光层上。一上电极提供在p型半导体层(24)上。一上电极包括一与p型半导体层接触的Au薄膜(10a)和一形成于其上的n型透明导体层(10b)。n型透明导体膜(10b)是通过激光烧蚀来形成的。
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公开(公告)号：CN1445864A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN02131853.0
申请日：2002-09-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L31/02963 , H01L31/02966 , H01L31/035236 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/1832
Abstract: 本发明提供一种在蓝～紫～近紫外区有灵敏度，暗电流低，可靠性高的pin光电二极管和雪崩光电二极管。pin光电二极管的结构是：n型ZnSe单晶基板；在其上直接或在ZnSe基板上形成n型ZnSe缓冲层上进行外延生长的n型ZnMgSSe层；i型ZnMgSSe层；p型ZnMgSSe层；p型超晶格结构层；p型ZnTe层和p电极；n型ZnSe单晶基板上形成的n电极。以及，雪崩光电二极管，其结构是，在n型ZnSe基板上外延生长的n型ZnSe缓冲层、n型ZnMgSSe层、p型ZnMgSSe层、p型ZnSe/ZnTe超晶格层、p型ZnTe层、在p型ZnTe层侧安上p金属电极、在n型ZnSe基板上安上n电极，把p侧细、而n型基板侧粗的侧面端面进行台面蚀刻，用绝缘体层被覆侧面端面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102025104B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201010284406.9
申请日：2010-09-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3211
Abstract: 一种III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法，在六方晶系III族氮化物的c轴朝向a轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能够实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第1和第2切断面(27、29)与a-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在a-n面和半极性面(17a)的交叉线方向上延伸的激光波导。因此，能够利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第1面(13a)是第2面(13b)的相反侧的面。第1及第2切断面从第1面的边缘(13c)延伸至第2面的边缘(13d)。切断面不通过干法蚀刻形成，并且与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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公开(公告)号：CN103582938A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201180071382.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/80 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/30621 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/7788 , H01L29/7789
Abstract: 提供一种具有能够避免沟道层的载流子浓度增大而降低泄漏的结构的、氮化物电子器件。半导体叠层（15）的斜面（15a）及主面（15c）分别相对于第一基准面及第二基准面（R1、R2）延伸。由于半导体叠层（15）的主面（15c）相对于表示六方晶类III族氮化物的c轴方向的基准轴（Cx）以5度以上40度以下的范围内的角度倾斜，且第一基准面（R1）的法线与基准轴（Cx）所构成的角度小于第二基准面（R2）的法线与基准轴（Cx）所构成的角度，所以能够使沟道层（19）的氧浓度小于1×1017cm-3。因此，在沟道层（19）中，能够避免因氧添加而载流子浓度增加的情况，能够降低经由沟道层的晶体管的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN102422497B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201080020695.X
申请日：2010-02-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/32341 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光二极管，其具有能够提供较高的光限制及载流子限制的覆层。在(20-21)面GaN衬底(71)上，以产生晶格弛豫的方式生长n型Al0.08Ga0.92N覆层(72)。在n型覆层(72)上，以产生晶格弛豫的方式生长GaN光导层(73a)。在光导层(73a)上，以不产生晶格弛豫的方式生长有源层(74)、GaN光导层(73b)、Al0.12Ga0.88N电子阻挡层(75)及GaN光导层(73c)。在光导层(73c)上，以产生晶格弛豫的方式生长p型Al0.08Ga0.92N覆层(76)。在p型覆层(76)上，以不产生晶格弛豫的方式生长p型GaN接触层(77)，从而制作半导体激光器(11a)。结(78a)～(78c)的位错密度大于其它结的位错密度。
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公开(公告)号：CN101874309B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200980101123.1
申请日：2009-01-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/2009 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3407 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 氮化物类半导体光元件(LE1)中，内含应变的阱层(21)沿着相对于与c轴方向上延伸的基准轴正交的面以倾斜角(α)倾斜的基准平面(SR1)延伸。倾斜角(α)在大于59度且小于80度的范围及大于150度且小于180度的范围。与具有负压电电场的发光层(SP-)相邻地具有带隙大于势垒层的带隙的氮化镓类半导体层(P)。阱层(W3)中的压电电场的方向为自n层向p层的方向，氮化镓类半导体层(P)中的压电电场的方向为自p层向n层的方向。因此，在发光层(SP-)与氮化镓类半导体层(P)的界面上，不是在导带而是在价带上形成有倾角。
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公开(公告)号：CN101919076B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200980100861.4
申请日：2009-04-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01L21/02389 , B82Y20/00 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/305 , H01S5/3086 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供包含具有良好表面形态的氮化镓基半导体膜的III族氮化物半导体器件。III族氮化物半导体光器件(11a)具备：III族氮化物半导体支撑体(13)、GaN基半导体区域(15)、有源层(17)和GaN基半导体区域(19)。III族氮化物半导体支撑体(13)的主面(13a)显示相对于与基准轴(Cx)正交的基准平面(Sc)倾斜的非极性，基准轴(Cx)沿III族氮化物半导体的c轴方向延伸。GaN基半导体区域(15)设置在半极性主面(13a)上。GaN基半导体区域(15)的GaN基半导体层(21)例如包含n型GaN基半导体，在n型GaN基半导体中添加有硅。GaN基半导体层(23)的氧浓度为5×1016cm-3以上时，在GaN基半导体层(23)的主面上后续生长的有源层(17)的结晶品质变得良好。
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