公开(公告)号：CN103456686A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310052224.2

申请日：2008-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  伊佐敏行 ,  本田达也

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3274 ,  H01L28/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度（低于500℃）的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜，在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，并且在有机化合物膜上形成通过较低温度（低于500℃）的工艺而制造的元件，然后将其元件从玻璃衬底剥离。

公开(公告)号：CN102007585B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200980113806.9

申请日：2009-04-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  大力浩二 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  伊佐敏行

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管包括：在具有绝缘表面的衬底上的覆盖栅电极的栅极绝缘层；与该栅极绝缘层接触并在非晶结构中包含多个晶体区域的构成沟道形成区域的半导体层；形成源区及漏区的包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层；以及由位于该半导体层和包含赋予一种导电类型的该杂质元素的半导体层之间的包括非晶半导体的缓冲层。上述晶体区域具有倒锥形或倒金字塔形的晶粒，这些晶粒从远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面的位置沿半导体层被沉积的方向大致放射状地生长。

公开(公告)号：CN101884112B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200880118999.2

申请日：2008-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  小松立

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明提供了一种使用少数量掩模的薄膜晶体管和显示器件的制造方法。将第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、和第二导电膜堆叠。然后，使用多色调掩模在其上面形成具有凹陷部分的抗蚀剂掩模。执行第一蚀刻以形成薄膜堆叠体，并执行其中对薄膜堆叠体进行侧蚀刻的第二蚀刻以形成栅极电极层。使抗蚀剂凹入，然后形成源极电极、漏极电极等；由此，制造薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN102522462A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201210008282.0

申请日：2006-01-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  青木智幸 ,  伊佐敏行 ,  藤井严

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: G04C10/02 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/048 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳电池和半导体器件以及其制造方法，目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。

公开(公告)号：CN102246310A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980150030.8

申请日：2009-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  小林聪 ,  宫入秀和 ,  伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04

Abstract: 减少利用栅电极对半导体层进行遮光的底栅型薄膜晶体管的截止电流。一种薄膜晶体管包括：栅电极层；第一半导体层；设置在所述第一半导体层上并与其接触的第二半导体层；在所述栅电极层和所述第一半导体层之间并与它们接触的栅极绝缘层；接触于所述第二半导体层的杂质半导体层；以及部分地接触于所述杂质半导体层和所述第一及第二半导体层的源电极层及漏电极层。由所述栅电极层覆盖所述第一半导体层在栅电极层一侧上的整个表面，并且所述第一半导体层和所述源电极层及漏电极层接触的部分的势垒为0.5eV以上。

公开(公告)号：CN102163553A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110048426.0

申请日：2011-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L21/77

Abstract: 公开了一种高生产率地制造具有高电特性的薄膜晶体管的方法。在用于形成双栅薄膜晶体管的沟道区的方法中，其中该双栅薄膜晶体管包括第一栅电极和面向第一栅电极的第二栅电极且沟道区设置在其间，第一微晶半导体膜在用于形成用非晶半导体填充晶粒间空隙的微晶半导体膜的第一条件下形成，而第二微晶半导体膜在用于促进晶体生长的第二条件下在第一微晶半导体膜之上形成。

公开(公告)号：CN102077331A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980124705.1

申请日：2009-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  神保安弘 ,  手塚祐朗 ,  大力浩二 ,  宫入秀和 ,  山崎舜平 ,  广桥拓也

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管，包括作为缓冲层的半导体层，该半导体层包含氮，且在栅极绝缘层和源区及漏区之间的至少源区及漏区一侧的非晶结构中包括晶体区域。与在沟道形成区中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，可以提高薄膜晶体管的导通电流。并且，与在沟道形成区中具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，可以降低薄膜晶体管的截止电流。

公开(公告)号：CN102007585A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113806.9

申请日：2009-04-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  大力浩二 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  伊佐敏行

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管包括：在具有绝缘表面的衬底上的覆盖栅电极的栅极绝缘层；与该栅极绝缘层接触并在非晶结构中包含多个晶体区域的构成沟道形成区域的半导体层；形成源区及漏区的包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层；以及由位于该半导体层和包含赋予一种导电类型的该杂质元素的半导体层之间的包括非晶半导体的缓冲层。上述晶体区域具有倒锥形或倒金字塔形的晶粒，这些晶粒从远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面的位置沿半导体层被沉积的方向大致放射状地生长。

公开(公告)号：CN100555621C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200510129046.4

申请日：2005-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/7688 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法，在半导体器件的制造工艺中，电镀和CMP已经导致增加用于形成布线的制造成本的一种问题。相应地，在其上形成掩模之后，在多孔绝缘膜中形成开口，并将含有Ag的导电材料注入开口内。进一步地，通过选择性激光照射烘焙注入开口内的导电材料，形成第一导电层。随后，通过溅射，在整个表面之上形成金属膜，此后去除掩模，以便在第一导电层之上仅仅保留金属膜，由此形成由含有Ag的第一导电层和第二导电层(金属膜)的叠层形成的嵌入布线层。

公开(公告)号：CN101527284A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910128517.8

申请日：2009-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  梅崎敦司

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027 ,  G02F1/1362

Abstract: 简化安装在EL显示装置的薄膜晶体管的制造步骤。通过如下步骤形成薄膜晶体管，并且使用该薄膜晶体管制造EL显示装置：层叠第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜；在其上形成第一抗蚀剂掩模；进行第一蚀刻形成薄膜叠层体；对该薄膜叠层体进行带着侧面蚀刻的第二蚀刻形成栅电极层；使用第二抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层等。