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公开(公告)号：CN101517725B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200780030643.9
申请日：2007-08-13
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6831 , H01L21/68764
摘要： 本发明提供一种离子注入设备、系统和用于将工件保持装置连接并断开到扫描臂的方法。提供一种扭转头，其中静电夹盘可操作地被安装，其中与一个或多个扭转头和静电夹盘结合的一个或多个旋转和非旋转部件具有一个或多个与其结合的动态流体密封。静电夹盘还可操作地从扭转头上去除，而不需要断开一个或多个动态流体密封。
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公开(公告)号：CN101461027A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020511.8
申请日：2007-06-01
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24507 , H01J2237/24535 , H01J2237/31703
摘要： 一种导出终端返回电流以在离子注入期间调节和/或补偿束流变化的方法。从离子注入系统的区域获得一个或多个单独的逆向电流测量值，从所述的逆向电流测量值导出终端返回电流或复合逆向电流。然后为了促进目标晶片上的束流均匀性，所述终端返回电流用来调节离子束的扫描或剂量。
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公开(公告)号：CN101427345A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014619.6
申请日：2007-04-13
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/67201 , Y10S414/139
摘要： 本发明公开了一种用于加压装载室的控制件。该控制件通过将气体源连接到装载室内部而开始对装载室内部进行加压。代表性的装载室包括压力传感器和到大气的多个阀，其中至少一个这样的阀为用于将工件从装载室内部移除和将工件插入装载室内部的通过阀。第二快速作用阀也打开至大气。监测装载室内部内的压力上升，并且当压力达到大气压以上的阀值压力时，将快速作用阀开口至大气。第二快速作用阀被构造成在打开通过阀之前从通过阀释放过压。在机器人的辅助下完成工件的移动，当该机器人或者存放工件或者收回工件时，机器人进入装载室内部。此系统和过程最小化了装载室内部的颗粒污染，并且最小化了在通过阀附近的装载室和任何被规定进度的工件的外侧区域内的污染。
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公开(公告)号：CN101421814A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780013079.X
申请日：2007-04-10
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/304 , H01J37/317 , G21K5/10
CPC分类号： H01J37/3171 , G21K5/04 , H01J37/304 , H01J2237/24507 , H01J2237/3045 , H01J2237/30455 , H01J2237/31703
摘要： 本发明的实施例是关于一种用于调整被扫描离子射束的带状射束通量的方法。于此方法中，会以一扫描速率来扫描离子射束，而且会在扫描该离子射束时来测量多个动态射束轮廓。经修正的扫描速率会依据该被扫描离子射束的该多个经测量动态射束轮廓而被算出。该离子射束会以该经校正的扫描速率来扫描，以便产生经修正的带状离子射束。本发明还揭示其它方法与系统。
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公开(公告)号：CN101379583A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200680053147.0
申请日：2006-12-20
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , B08B7/0035 , H01J27/022 , H01J37/08 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
摘要： 一种用于从离子源内表面清除沉积的沉积清洁系统，包括：氟源、节流机构、以及控制器。氟源将氟作为清洁材料供至离子源。节流机构通过至少部分覆盖源孔径的方式，减少通过离子源的源孔径的氟损失。控制器控制从氟源到离子源的供氟以及流速，还控制节流机构的定位。
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公开(公告)号：CN118946950A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202380030891.2
申请日：2023-03-23
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/317
摘要： 离子注入系统具有质量分析磁体，该质量分析磁体具有内部和外部区域，并限定第一入口、第二入口和出口。第一离子源限定沿第一射束路径导向第一入口的第一离子束。第二离子源限定沿第二射束路径导向第二入口的第二离子束。磁体电流源向质量分析磁体供应磁体电流。磁体控制电路基于第一或第二离子束的形成控制磁体电流的极性。质量分析磁体分别对第一或第二离子束进行质量分析，以沿经质量分析的射束路径限定经质量分析的离子束。内部或外部区域中的至少一个屏蔽件防止第一和第二离子源之间的视线。束线部件修改经质量分析的离子束。
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公开(公告)号：CN118215979A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280069517.9
申请日：2022-10-28
申请人： 艾克塞利斯科技公司
摘要： 一种离子源具有电弧室，所述电弧室具有一个或多个辐射产生特征、包围内部容积的电弧室主体以及限定在其中的至少一个气体入口孔。气体源通过气体入口孔提供诸如源种类气体或卤化物的气体。源种类气体可以是铝基离子源材料，例如二甲基氯化铝。靠近气体入口孔定位的一个或多个屏蔽件提供气体入口孔和内部容积之间的流体连通，最小化从一个或多个辐射产生特征到气体入口孔的视线，并且基本上防止热辐射从一个或多个辐射产生特征到达气体入口孔。
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公开(公告)号：CN111149187B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201880062832.2
申请日：2018-10-09
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/317
摘要： 本发明涉及一种离子注入系统，其具有配置为形成离子束的离子源以及具有AEF区域的角能量滤波器(AEF)。气体源通过膜与气体的反应而钝化和/或蚀刻留存于AEF上的膜。该气体可为氧化气体或含氟气体。气体源可在形成离子束的同时选择性将气体供应到AEF区域。加热AEF，以辅助气体钝化和/或蚀刻膜。热量可源自离子束和/或源自与AEF相关联的辅助加热器。歧管分配器可操作性耦接至气体源并配置为将气体供应到一个或多个AEF电极。
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公开(公告)号：CN118103943A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280068562.2
申请日：2022-10-27
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/05
摘要： 一种离子注入系统，具有用于产生离子束的离子源，以及用于限定具有处于第一电荷状态的所需离子的第一离子束的质量分析装置。第一直线加速器将第一离子束加速到多个第一能量。电荷剥离器从所需离子剥离电子，从而限定处于多个第二电荷状态的第二离子束。第一偶极磁体以第一角度在空间上分散和弯曲第二离子束。电荷限定孔使所述第二离子束的所需电荷状态通过，同时阻挡多个第二电荷状态的剩余部分。四极装置在空间上聚焦第二离子束，从而限定第三离子束。第二偶极磁体以第二角度弯曲第三离子束，并且其中，能量限定孔仅使所需离子以所需能量和电荷状态通过。
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公开(公告)号：CN113692636B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202080029341.5
申请日：2020-04-16
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08
摘要： 一种用于离子注入系统的离子源具有多个电弧室。离子源基于多个电弧室中的相应一个电弧室相对于束线的位置而形成出自该多个电弧室中的该相应一个电弧室的离子束。电弧室耦接到转盘，转盘将该多个电弧室中的该相应一个电弧室平移或旋转到与束线相关联的束线位置。该多个电弧室中的一个或多个电弧室可以具有至少一种独特的特征，或者该多个电弧室中的两个或更多个电弧室可以彼此大体上相同。
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