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公开(公告)号：CN106241727A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201511017559.6
申请日：2015-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81B2201/0257 , B81B2207/015 , B81C1/00182 , H04R19/00 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , B81C1/00015 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括：板，包括多个孔；隔膜，设置为与板相对并且包括面向多个孔的多个波形件；以及导电塞，从板延伸穿过隔膜。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中导电塞与接合焊盘接合，以将第一器件与第二器件集成，并且板是外延(EPI)硅层或绝缘体上硅(SOI)衬底。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN104045052B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201310488777.2
申请日：2013-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了微机电（MEMS）集成压力传感器和麦克风器件及其形成方法，该方法包括提供MEMS晶圆，其中，图案化该MEMS晶圆的一部分来提供麦克风器件的第一膜以及压力传感器件的第二膜。载体晶圆接合至MEMS晶圆，并且蚀刻该载体晶圆以将麦克风器件的第一膜暴露于周围环境。图案化MEMS衬底并且去除MEMS晶圆的第一牺牲层的部分以形成MEMS结构。盖晶圆接合至MEMS晶圆中的与载体晶圆相对的一侧上从而形成包括MEMS结构的第一密封腔体。在压力传感器件的第二膜的相对侧形成第二密封腔体和暴露于周围环境的腔体。
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公开(公告)号：CN104049021B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201310554567.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414 , B81B7/00
Abstract: 本发明提供了一种生物场效应晶体管（BioFET）以及一种制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺相容的或者典型的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的一个或多个工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括：衬底、晶体管结构、隔离层、位于隔离层的开口中的界面层、以及位于界面层上方的金属冠结构。界面层和金属冠结构设置在晶体管的与栅极结构相对的一侧上。
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公开(公告)号：CN104045051B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310409982.5
申请日：2013-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种堆叠半导体器件，包括第一衬底。多层互连件设置在第一衬底上方。金属部分设置在多层互连件上方。第一接合部件位于金属部分上方。第二衬底具有正面。腔在第二衬底中从正面延伸到深度D。腔具有内表面。停止层设置在腔的内表面上方。可移动结构设置在第二衬底的正面上方并悬于腔上。可移动结构包括介电膜、位于介电膜上方的金属单元以及位于金属单元上方的覆盖介电层。第二接合部件位于覆盖介电层上方并接合至第一接合部件。第二接合部件延伸穿过覆盖介电层并电连接至金属单元。本发明还提供了堆叠半导体器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN103964376B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310148440.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2203/0307 , B81B2207/012 , B81C1/00039 , B81C1/00261 , B81C2203/035
Abstract: 本发明公开了示例性双层微机电系统(MEMS)器件以及其制造方法。一种示例性方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；对第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将第一结构层接合至衬底；以及对第二硅层进行处理以形成MEMS器件的第二结构层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102237285B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201010167364.0
申请日：2010-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶片接合机，该晶片接合机用以接合两个以上的半导体晶片，包括一壳体、一主工艺腔室以及一第一腔室。前述主工艺腔室以及第一腔室设置于壳体内部，且主工艺腔室连接第一腔室，其中前述晶片于第一腔室内被气体吹净，且前述晶片于主工艺腔室内受一外力作用并相互接合。本发明借由在晶片接合机内部配置多个腔室，当欲执行不同的工艺步骤时，仅需通过机械手臂或输送系统将晶片移动至不同的腔室中进行即可，借此能大幅缩短工艺时间并提高晶片接合机每小时的晶片产出量。
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公开(公告)号：CN104716050A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410101723.0
申请日：2014-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81B2207/094 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2203/0154 , B81C2203/0771 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/18162
Abstract: 本发明提供了一种形成具有模塑通孔的半导体器件的方法，该方法包括共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件。基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分。覆盖晶圆包括多个隔离沟槽和多个分离沟槽，相对于覆盖晶圆的相同表面，分离沟槽的深度比隔离沟槽的深度更大。该方法也包括去除覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件。该方法还包括分离晶圆封装件以将晶圆封装件分离成第一芯片封装件、第二芯片封装件和第三芯片封装件。本发明还提供具有模塑通孔的半导体器件。
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公开(公告)号：CN104045051A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310409982.5
申请日：2013-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种堆叠半导体器件，包括第一衬底。多层互连件设置在第一衬底上方。金属部分设置在多层互连件上方。第一接合部件位于金属部分上方。第二衬底具有正面。腔在第二衬底中从正面延伸到深度D。腔具有内表面。停止层设置在腔的内表面上方。可移动结构设置在第二衬底的正面上方并悬于腔上。可移动结构包括介电膜、位于介电膜上方的金属单元以及位于金属单元上方的覆盖介电层。第二接合部件位于覆盖介电层上方并接合至第一接合部件。第二接合部件延伸穿过覆盖介电层并电连接至金属单元。本发明还提供了堆叠半导体器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN104045048A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410093116.4
申请日：2014-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81C1/00158 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/019 , B81C2203/00 , B81C2203/0714 , B81C2203/0792 , H01L23/10 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/04026 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27831 , H01L2224/29011 , H01L2224/291 , H01L2224/29124 , H01L2224/29147 , H01L2224/32145 , H01L2224/83805 , H01L2224/8382 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种堆叠半导体器件包括CMOS器件和MEMS器件。CMOS器件包括多层互连件，在该多层互连件上方设置有金属元件。MEMS器件包括金属部分，在该金属部分上方设置有第一介电层。位于第一介电层中的腔露出部分金属部分。介电停止层至少设置在腔的内表面的上方。可移动结构设置在第一介电层的正面上方并悬于腔的上方。可移动结构包括位于第一介电层的正面上方且悬于腔上方的第二介电层、位于第二介电层上方的金属部件和位于金属部件上方的柔性介电膜。CMOS器件通过朝向柔性介电膜的金属元件接合至MEMS器件。本发明还提供了堆叠半导体器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN103803479A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310039862.0
申请日：2013-01-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01N27/4145 , B01L3/502707 , B01L9/527 , B01L2200/025 , B01L2200/027 , B01L2200/10 , B01L2200/143 , B01L2300/0645 , G01N21/75 , G01N27/3271 , G01N27/3275 , G01N33/5438 , Y10T29/49
Abstract: 本发明提供了一种生物场效应晶体管(BioFET)设备的测试和处理方法、系统和装置。晶圆级生物传感器处理工具包括晶圆载物台、集成电微流控探针卡以及流体供应器和回流器。该集成电微流控探针卡包括流控底座(其可以为透明的)、流控底座中的微流体通道、位于流控底座的底部的至少一个微流控探针和多个电探针顶端、位于流控底座的侧部的流体和电子输入口和输出口以及位于流控底座上的至少一个操作凸缘。该方法包括对准晶圆、安装集成电微流控探针卡、使测试流体流动以及测试电气性能。该工具还可以用于标识或标记晶圆上的设备区中的流体。本发明还提供了一种集成电微流控探针卡、系统及其使用方法。
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