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公开(公告)号：CN104221131A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380019118.2
申请日：2013-07-29
申请人： 富士电机株式会社
发明人： 为则启
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6836 , B32B37/06 , B32B37/1207 , B32B38/0012 , B32B38/18 , B32B2037/1223 , B32B2038/0016 , B32B2038/0028 , B32B2307/202 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , H01L21/304 , H01L21/6838 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386 , Y10T156/1028
摘要： 利用因晶片正面的聚酰亚胺保护膜而产生凹凸来缓和背面研磨用的表面保护带中产生的凹凸，提高对晶片背面进行研磨加工的晶片的厚度精度，降低芯片厚度的偏差。在具有因晶片(1)的聚酰亚胺保护膜(11)而产生的凹凸的正面粘贴具有基材层(5)和粘接剂层(包含中间层)(4)的表面保护带(3)。接着，在以表面保护带(3)一侧作为平台(21)一侧来将晶片(1)放置于平台(21)上之后，通过向平台(21)侧吸引表面保护带(3)并进行加热，来使表面保护带(3)的表面平坦化。接着，在对晶片(1)背面进行研磨加工以使其成为薄晶片之后，在晶片(1)背面形成背面元件结构，并进行切割以切断成芯片。
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公开(公告)号：CN104064491A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410057304.1
申请日：2014-02-20
申请人： 琳得科株式会社
发明人： 中田干
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67132 , B32B37/003 , B32B37/10 , B32B2457/14 , H01L21/67092 , H01L21/6833
摘要： 一种片材粘贴装置及粘贴方法。本发明的片材粘贴装置（1）具有保持粘接片（AS）的保持单元（2）、将所述粘接片（AS）按压并粘贴到被粘接体（WF）上的按压单元（3），所述保持单元（2）具有可弹性变形的保持部件（21）、设于所述保持部件（21）内的电极（22），通过对所述电极（22）施加电压能够由所述保持部件（21）保持所述粘接片（AS），所述按压单元（3）使所述保持部件（21）弹性变形，能够由该保持部件（21）将所述粘接片（AS）按压到所述被粘接体（WF）上。
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公开(公告)号：CN103988282A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280060029.8
申请日：2012-10-29
申请人： 聚斯微技术平版印刷有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/6835 , B32B38/10 , B32B38/1858 , B32B43/006 , B32B2309/105 , B32B2457/14 , H01L21/00 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/67282 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , H01L2221/683 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2221/6839 , Y10T156/11 , Y10T156/1142 , Y10T156/1168 , Y10T156/1179 , Y10T156/1184 , Y10T156/19 , Y10T156/1911 , Y10T156/1961 , Y10T156/1967 , Y10T156/1978
摘要： 所描述的方法和设备提供对器件晶片和载体晶片之间粘附性键合的受控扰动。可以是机械、化学、热或辐射性的该受控扰动便于两个晶片的分离，而不损坏器件晶片。该受控扰动或者在接合两个晶片的粘附剂内、或者在粘附层内的界面(诸如释放层与粘附剂之间)处或者在晶片/粘附剂界面处引发裂纹。然后可以使用用于引发裂纹的上述方法中的任一方法或其组合来扩展裂纹。
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公开(公告)号：CN103965794A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410042958.7
申请日：2014-01-29
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C09J7/00 , C09J7/02 , C09J183/00 , H01L23/28
CPC分类号： C09J183/04 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/283 , B32B2307/748 , B32B2457/14 , B32B2551/00 , C08G77/045 , C08G77/12 , C08G77/16 , C08G77/20 , C09D183/04 , C09J7/22 , C09J7/25 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2483/00 , C09J2483/006 , H01L33/52 , H01L2924/0002 , C08L83/00 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供光半导体用片和光半导体装置。所述光半导体用片具备由第1有机硅树脂形成的粘合层，以及设置于粘合层的厚度方向一面、由第2有机硅树脂形成的非粘合层。
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公开(公告)号：CN103748664A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280038816.2
申请日：2012-08-09
申请人： 三井化学东赛璐株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J133/08
CPC分类号： C08F220/18 , B32B27/08 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B2457/14 , C08F222/1006 , C09J7/29 , C09J133/14 , C09J2201/122 , C09J2201/162 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2467/006 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , C08F2220/1858 , C08F2220/1808 , C08F2220/325 , C08F220/14 , C08F2222/104 , C08F2222/1046 , C09J133/08
摘要： 本发明提供一种即便对于硬且脆的半导体晶片，亦可无破损地进行背面磨削的半导体晶片表面保护用膜。具体而言，本发明提供一种半导体晶片表面保护用膜，其包括：在150℃的储存弹性模量GA（150）为1MPa以上的基材层（A），以及在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量GB（120～180）为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量GB（40）为10MPa以上的软化层（B）。
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公开(公告)号：CN103459149A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280015798.6
申请日：2012-02-24
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： B32B27/20
CPC分类号： B32B27/20 , B32B15/092 , B32B2457/14 , C09J7/20 , H01L24/33 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , Y10T428/24355 , Y10T428/24413 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种多层树脂片，其具有：包含热固性树脂和填料的树脂组合物层；和配置在上述树脂组合物层的至少一个面上，且不与上述树脂组合物层对置的面的算术平均表面粗糙度Ra为1.5μm以下的粘接材层。
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公开(公告)号：CN103377879A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310130951.6
申请日：2013-04-16
申请人： 国际商业机器公司 , 阿卜杜勒阿齐兹国王科技城
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： B32B38/10 , B32B2457/14 , H01L21/02002 , H01L21/304 , H01L21/6836 , H01L31/1892 , Y02E10/50
摘要： 本发明涉及深度受温度控制的释放层的制造方法。在第一温度下在基体衬底顶上形成应力源层，该应力源层在基体衬底中诱导第一拉伸应力，第一拉伸应力低于基体衬底的断裂韧度。然后使基体衬底和应力源层处于低于所述第一温度的第二温度。第二温度在应力源层中诱导第二拉伸应力，第二拉伸应力大于第一拉伸应力并且足以允许在基体衬底内发生剥落式断裂。基体衬底在第二温度下剥落而形成剥落的材料层。剥落在断裂深度处发生，所述断裂深度依赖于基体衬底的断裂韧度、基体衬底内的应力水平以及应力源层的在第二温度下诱导的第二拉伸应力。
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公开(公告)号：CN103249559A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180055158.3
申请日：2011-11-16
申请人： 日立化成株式会社
CPC分类号： H01L24/29 , B32B27/20 , B32B2264/105 , B32B2457/14 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29082 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
摘要： 一种半导体密封填充用膜状树脂组合物，其具有由含有热固性树脂和填料的第1树脂组合物构成的第1层以及由含有熔剂的第2树脂组合物构成的第2层，第2树脂组合物中的填料相对于第2树脂组合物总量的质量比率与第1树脂组合物中的填料相对于第1树脂组合物总量的质量比率相比更小。
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公开(公告)号：CN103101283A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210448014.0
申请日：2012-11-09
申请人： 株式会社名机制作所
CPC分类号： B32B37/1009 , B32B2457/14 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , Y10T156/108 , Y10T156/12
摘要： 本发明提供真空层叠系统及真空层叠方法，其在对层叠薄膜与被层叠品进行层叠，并从层叠有层叠薄膜的层叠品切断层叠薄膜的剩余部时，能进行高精度的层叠成形，并且，包括用于切断层叠薄膜的剩余部的切断的运送装置的切断工序能够简单化。一种真空层叠成形系统（11），其利用分批式真空层叠装置（12）层叠分别在层叠薄膜（NCF）与下侧的载体薄膜（C1）上被搬运的被层叠品（W），并从层叠有层叠薄膜的层叠品（W1）切断层叠薄膜（NCF），在将层叠有层叠薄膜的层叠品（W1）载置在下侧载体薄膜（C1）上的状态下，从该层叠有层叠薄膜的层叠品（W1）切断层叠薄膜的剩余部（NCFa）。
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公开(公告)号：CN102653144A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210142314.6
申请日：2012-02-15
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 李圭远
CPC分类号： B32B38/04 , B32B3/266 , B32B15/06 , B32B15/18 , B32B25/08 , B32B25/10 , B32B2038/047 , B32B2274/00 , B32B2309/10 , B32B2309/105 , B32B2319/00 , B32B2398/20 , B32B2457/00 , B32B2457/14 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2224/73265 , Y10T428/24339 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721
摘要： 本发明涉及一种缓冲基板，包括：具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的第一基板，所述第一基板具有一个或多个形成在其中的通孔；第一弹性材料部件，填充所述通孔并且覆盖所述第一基板的所述第二表面；以及第二基板，设置在第一弹性材料部件上，第一弹性材料部件设置在第一基板的第二表面上。
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