公开(公告)号：CN106463520B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201680001286.2

申请日：2016-01-07

申请人： 皇家飞利浦有限公司

发明人： M·A·查波

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1469 ,  A61B6/032 ,  A61B6/4233 ,  H01L23/3675 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/14663 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81815 ,  H05K1/18 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2201/1053 ,  H01L2924/014

摘要： 一种模块组件设备(402)被配置用于组装用于成像系统(100)的探测器阵列(110)的模块组件(114)。所述模块组件设备包括具有长轴(401)的基底(400)。所述模块组件设备还包括所述基底的第一表面(406)以及从所述第一表面垂直向上凸起并沿着所述基底的至少两侧在长轴的方向上延伸的侧壁(408)。所述第一表面和侧壁形成凹槽(404)，所述凹槽被配置为在所述表面上并且在所述侧壁内接收模块衬底。所述模块组件设备还包括在所述侧壁的方向上从所述侧壁凸起的凸起部(403)。凸起部和侧壁接合以形成壁架，所述壁架充当光探测器阵列单片支撑物(410)，所述光探测器阵列单片支撑物被配置为在ASIC和模块衬底之上接收光探测器阵列单片(118)。

公开(公告)号：CN106158820B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201610657408.5

申请日：2013-07-05

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 陈天赐 ,  李俊哲 ,  王圣民

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H05K3/40

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/48 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/768 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 一封装基板包括一中心部、一上电路层及数个柱体。该多个柱体位于该上电路层上，且从该上电路层朝上。该多个柱体的顶面大致上共平面。该多个柱体提供电性连接至一半导体晶粒。借此，改善该基板及该半导体晶粒间的焊料结合可靠度。

公开(公告)号：CN107946291A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711260262.1

申请日：2013-07-24

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 杉山道昭 ,  木下顺弘

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/05552

摘要： 通过在衬底的顶表面之上装配包括具有小直径的半导体芯片和具有大直径的半导体芯片的芯片层压制件形成的半导体装置中，防止过度的压力施加至这两个半导体芯片的接合点。通过在支撑衬底之上装配具有大直径的第一半导体芯片，然后在所述第一半导体芯片之上装配具有小直径的第二半导体芯片，可以：抑制装配在所述第一半导体芯片之上的第二半导体芯片的倾斜和不稳定；从而阻止过度的压力施加至所述第一半导体芯片和第二半导体芯片的接合点。

公开(公告)号：CN106463520A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201680001286.2

申请日：2016-01-07

申请人： 皇家飞利浦有限公司

发明人： M·A·查波

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1469 ,  A61B6/032 ,  A61B6/4233 ,  H01L23/3675 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/14663 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81815 ,  H05K1/18 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2201/1053 ,  H01L2924/014

摘要： 一种模块组件设备(402)被配置用于组装用于成像系统(100)的探测器阵列(110)的模块组件(114)。所述模块组件设备包括具有长轴(401)的基底(400)。所述模块组件设备还包括所述基底的第一表面(406)以及从所述第一表面垂直向上凸起并沿着所述基底的至少两侧在长轴的方向上延伸的侧壁(408)。所述第一表面和侧壁形成凹槽(404)，所述凹槽被配置为在所述表面上并且在所述侧壁内接收模块衬底。所述模块组件设备还包括在所述侧壁的方向上从所述侧壁凸起的凸起部(403)。凸起部和侧壁接合以形成壁架，所述壁架充当光探测器阵列单片支撑物在ASIC和模块衬底之上接收光探测器阵列单片(118)。(410)，所述光探测器阵列单片支撑物被配置为

公开(公告)号：CN105428341A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510591584.9

申请日：2015-09-16

申请人： 株式会社东芝

发明人： 佐藤隆夫

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13186 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17177 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/17135 ,  H01L2224/17136 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0332

摘要： 本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式抑制半导体装置的可靠性降低。实施方式的半导体装置具备：第1半导体芯片；第2半导体芯片，积层在第1半导体芯片上，具有从一面向另一面贯通半导体基板的贯通电极，且以将另一面朝向第1半导体芯片的方式积层；第1凸块，向一面突出设置，且具有露出面；密封树脂，以将露出面露出的方式密封第1半导体芯片与第2半导体芯片、第1凸块；以及第2凸块，设置在露出面上。

公开(公告)号：CN105122447A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201380071665.5

申请日：2013-12-02

申请人： 伊文萨思公司

发明人： C·E·尤佐

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34 ,  H01L23/10 ,  H01L21/50

CPC分类号： H05K13/046 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/05552

摘要： 一种微电子组件(10、110、210、310、410)包括：第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)，具有第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)；以及第二衬底(14、114、214、314、414)，具有第二导电元件(26、126、226、326、426)。该组件还包括导电合金块(16、116)，接合至第一和第二导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)，包括第一、第二和第三材料。导电合金块(16、116)的第一和第二材料的熔点均低于合金的熔点。第一材料的浓度从朝向第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)设置的位置处的相对较大量向朝向第二导电元件(26、126、226、326、426)的相对较小量变化，并且第二材料的浓度从朝向第二导电元件(26、126、226、326、426)设置的位置处的相对较大量向朝向第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)的相对较小量变化。通过将具有第一接合部件(30、230、330、430)的第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)与具有第二接合部件(40、240、340、440)的第二衬底(14、114、214、314、414)对准来形成微电子组件(10、110、210、310、410)，使得第一(30、230、330、430、1030)和第二(40、240、340、440)接合部件彼此接触，第一接合部件(30、230、330、430、1030)包括邻近第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)的第一材料层(36、536、636、736、836、936)以及上覆第一材料层(36、536、636、736、836、936)的第一保护层(38、538、638、738、838、938)，第二接合部件(40、240、340、440)包括邻近第二导电元件(26)的第二材料层(46)以及上覆第二材料层(46)的第二保护层(48)，并且加热第一(30、230、330、430、1030)和第二(40、240、340、440)接合部件使得第一(36、536、636、736、836、936)和第二(46)材料层的至少部分一起扩散以形成使第一(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)和第二(14、114、214、314、414)衬底彼此接合的合金块(16、116)。可以在第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)上形成多个第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)以及在第二衬底(14、114、214、314、414)上形成多个第二导电元件(26、126、226、326、426)，由多个导电合金块(16、116)接合。导电合金块(116)还可以包围并密封内部容积。

公开(公告)号：CN103098191B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201180029141.0

申请日：2011-09-22

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 樱井大辅 ,  后川和也

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC分类号： H05K7/06 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/11442 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/02 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明提供的电子元器件安装体，在基板（6）上安装有包括多个元器件侧电极端子（3a，3b）的电子元器件（1），该基板包括与多个元器件侧电极端子（3a，3b）相对应的多个基板侧电极端子（7a，7b），其特征在于，包括：多个突起状电极（5a，5b），该突起状电极分别形成于电子元器件（1）的多个元器件侧电极端子（3a，3b）上且与电子元器件（1）及基板（6）电连接；假电极（3c），该假电极形成于电子元器件（1）上且与多个元器件侧电极端子（3a，3b）中的预定位置上的元器件侧电极端子（3a）电连接，与假电极（3c）电连接的预定位置上的元器件侧电极端子（3a）上的突起状电极（5a）比与上述预定位置不同的位置上的元器件侧电极端子（3b）上的突起状电极（5b）更高。

公开(公告)号：CN104272478A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380024621.7

申请日：2013-03-25

申请人： 克里公司

发明人： M·J·伯格曼 ,  K·哈伯恩 ,  A·W·迪隆恩

IPC分类号： H01L33/48

CPC分类号： H01L33/50 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2224/81

摘要： LED晶圆包括在LED衬底上的LED管芯。LED晶圆和载体晶圆是接合的。接合到载体晶圆的LED晶圆被成形。将波长转换材料施加到被成形的LED晶圆。执行切单以提供接合到单个载体管芯的多个LED管芯。通过在LED管芯中和/或在单个载体管芯中的互连将在单个载体管芯上的多个LED管芯串联地和/或并联地连接。可以将切单的器件安装在LED设备中以提供高的每单位面积光输出。描述了相关的器件和制造方法。

公开(公告)号：CN103975427A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280060141.1

申请日：2012-10-04

申请人： 沃尔泰拉半导体公司

发明人： M·迈克尔 ,  K·H·陈 ,  I·耶尔格维奇 ,  C·江 ,  A·斯特拉塔克斯

IPC分类号： H01L23/12 ,  H05K3/46

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49527 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1427 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16196 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 描述了互连衬底在功率管理系统中的各种应用。

公开(公告)号：CN103748681A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280036343.2

申请日：2012-05-14

申请人： 国际商业机器公司

发明人： J.库齐恩斯基 ,  A.辛哈 ,  K.斯普利特斯托瑟 ,  T.托菲尔

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L23/42 ,  H01L23/4275 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 具有增强冷却设备的半导体芯片的芯片堆叠包括在第一侧上具有电路的第一芯片和通过连接器栅格电连接且机械连接到第一芯片的第二芯片。该设备还进一步包括热界面材料垫，设置在第一芯片和第二芯片之间，其中热界面材料垫包括纳米纤维，排列得平行于第一芯片和第二芯片的配合表面。该方法包括形成在第一侧上具有电路的第一芯片以及形成通过连接器栅格电连接且机械连接到第一芯片的第二芯片。该方法还包括在第一芯片和第二芯片之间设置热界面材料垫，其中热界面材料垫包括纳米纤维，排列为平行于第一芯片和第二芯片的配合表面。