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公开(公告)号：CN103050486A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210047905.5
申请日：2012-02-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/31051 , H01L21/31127 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/76885 , H01L21/786 , H01L23/3128 , H01L23/49805 , H01L23/49816 , H01L23/5226 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/02371 , H01L2224/02381 , H01L2224/03618 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13164 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/27019 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/82005 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2224/92244 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1047 , H01L2225/1058 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要： 本发明包括一种器件，该器件包括层间电介质、位于该层间电介质下方的器件管芯、以及位于该层间电介质下方并且位于该器件管芯上方的管芯接合膜，其中，管芯接合膜与器件管芯相接合。多个再分布线的一部分与管芯接合膜相齐平。多个Z互连件与器件管芯和多个再分布线电连接。含聚合物材料位于层间电介质下方。器件管芯、管芯接合膜、和多个Z互连件设置在含聚合物材料中。本发明还提供了一种形成封装堆叠结构的工艺。
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公开(公告)号：CN107026090A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611195926.6
申请日：2016-12-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48
CPC分类号： H01L24/09 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/036 , H01L2224/0361 , H01L2224/03618 , H01L2224/03826 , H01L2224/03827 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05541 , H01L2224/05554 , H01L2224/05558 , H01L2224/05567 , H01L2224/05686 , H01L2224/11334 , H01L2224/13007 , H01L2224/13021 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48228 , H01L2224/49109 , H01L2224/49173 , H01L2225/0651 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05341 , H01L2924/0535 , H01L2924/05432 , H01L2924/14 , H01L2924/206 , H01L2224/05599 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/053 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L21/4853
摘要： 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，该方法包括在半导体器件上方形成接触焊盘。在接触焊盘上方形成钝化材料。所述钝化材料的材料类型和厚度允许穿过所述钝化材料与所述接触焊盘建立电连接。
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公开(公告)号：CN105448862B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201410514075.1
申请日：2014-09-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/68 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03618 , H01L2224/05111 , H01L2224/05113 , H01L2224/05116 , H01L2224/05139 , H01L2224/08145 , H01L2224/8013 , H01L2224/80203 , H01L2224/80801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109
摘要： 一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括：提供第一晶圆以及第二晶圆，第一晶圆内形成有第一金属层，第二晶圆内形成有第二金属层；在第一晶圆表面形成第一材料层；在第二晶圆表面形成第二材料层；对所述第一晶圆与第二晶圆进行对准处理以及键合处理，使第一材料层与第二材料层对准且表面相接触；在进行键合处理后，对所述第一材料层以及第二材料层进行加热处理，使第一材料层以及第二材料层相互熔融，提高第一金属层与第二金属层之间的对准精度。本发明利用第一材料层以及第二材料层相互熔融产生的表面张力，使第一材料层和第二材料层相互拉近，从而提高第一金属层和第二金属层之间的对准精度，减小键合偏移。
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公开(公告)号：CN108074899A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710057874.4
申请日：2017-01-23
申请人： 艾马克科技公司
CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/03001 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/03618 , H01L2224/0384 , H01L2224/039 , H01L2224/03901 , H01L2224/0391 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/0518 , H01L2224/05184 , H01L2224/0519 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05557 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/056 , H01L2224/05647 , H01L2224/0569 , H01L2224/0579 , H01L2224/058 , H01L2224/11 , H01L2224/11462 , H01L2224/11614 , H01L2224/13026 , H01L2224/131 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/034 , H01L2224/0361 , H01L21/78 , H01L2924/014 , H01L2224/033 , H01L2924/0665 , H01L2224/03 , H01L23/49 , H01L24/10 , H01L24/26 , H01L24/27
摘要： 电子装置和其制造方法。一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供一种制造半导体装置的方法，其包括通过至少部分地执行横向镀覆处理形成互连结构，并且提供一种通过这种方法制造的半导体装置。
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公开(公告)号：CN107342236A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710239394.X
申请日：2017-04-13
申请人： 株式会社吉帝伟士
CPC分类号： H01L24/27 , H01L24/04 , H01L24/11 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/64 , H01L24/97 , H01L2223/54426 , H01L2224/03001 , H01L2224/03618 , H01L2224/03632 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8201 , H01L2224/82039 , H01L2224/83132 , H01L2224/83192 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/15159 , H01L2224/83 , H01L21/56 , H01L21/4846 , H01L2224/0231
摘要： 本发明提供一种用于获得半导体装置与布线之间的良好的接触的半导体封装件的制造方法。所述半导体封装件的制造方法包括如下步骤：在基材上配置上部面设有外部端子的半导体装置；形成覆盖半导体装置的树脂绝缘层；在树脂绝缘层形成用于露出外部端子的开口部；在形成开口部之后，对开口部的底部进行等离子处理；在等离子处理之后，对开口部的底部进行化学溶液处理；以及形成与在开口部中被露出的外部端子相连接的导体。
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公开(公告)号：CN105448862A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410514075.1
申请日：2014-09-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/68 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03618 , H01L2224/05111 , H01L2224/05113 , H01L2224/05116 , H01L2224/05139 , H01L2224/08145 , H01L2224/8013 , H01L2224/80203 , H01L2224/80801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109
摘要： 一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括：提供第一晶圆以及第二晶圆，第一晶圆内形成有第一金属层，第二晶圆内形成有第二金属层；在第一晶圆表面形成第一材料层；在第二晶圆表面形成第二材料层；对所述第一晶圆与第二晶圆进行对准处理以及键合处理，使第一材料层与第二材料层对准且表面相接触；在进行键合处理后，对所述第一材料层以及第二材料层进行加热处理，使第一材料层以及第二材料层相互熔融，提高第一金属层与第二金属层之间的对准精度。本发明利用第一材料层以及第二材料层相互熔融产生的表面张力，使第一材料层和第二材料层相互拉近，从而提高第一金属层和第二金属层之间的对准精度，减小键合偏移。
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公开(公告)号：CN103050486B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210047905.5
申请日：2012-02-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/31051 , H01L21/31127 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/76885 , H01L21/786 , H01L23/3128 , H01L23/49805 , H01L23/49816 , H01L23/5226 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/02371 , H01L2224/02381 , H01L2224/03618 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13164 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/27019 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/82005 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2224/92244 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1047 , H01L2225/1058 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要： 本发明包括一种器件，该器件包括层间电介质、位于该层间电介质下方的器件管芯、以及位于该层间电介质下方并且位于该器件管芯上方的管芯接合膜，其中，管芯接合膜与器件管芯相接合。多个再分布线的一部分与管芯接合膜相齐平。多个Z互连件与器件管芯和多个再分布线电连接。含聚合物材料位于层间电介质下方。器件管芯、管芯接合膜、和多个Z互连件设置在含聚合物材料中。本发明还提供了一种形成封装堆叠结构的工艺。
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