公开(公告)号：CN100461403C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510076387.X

申请日：2005-06-10

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 爱场喜孝 ,  藤泽哲也 ,  米田义之

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开一种半导体器件，包括：支撑衬底；第一半导体元件，安装在该支撑衬底的一侧上；第二半导体元件，包括安装在该支撑衬底的所述一侧上的高频电极；通孔，设置在与该高频电极相关联的该支撑衬底上；以及外部连接电极，设置在与该通孔相关联的该支撑衬底的另一侧上。

公开(公告)号：CN101145546B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710146868.2

申请日：2007-08-24

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 加藤祯胤 ,  藤泽哲也 ,  佐藤光孝 ,  吉田英治

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/4334 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有优良散热特性结构。通过使用粘合剂材料将第一散热部设置在线路板上。通过使用粘合剂材料将半导体元件粘着在第一散热部上。通过引线将半导体元件与设置在线路板上的电极连接。通过使用导电粘合剂材料将覆盖半导体元件和引线的第二散热部接合至第一散热部。通过树脂密封第二散热部除其平坦上部之外的内部和外部。通过上述过程，制造了半导体器件。在半导体元件中产生并传送至第一散热部的热量从第一散热部的边缘部分释放出去。此外，在半导体元件中产生并传送至第一散热部的热量传送至导电粘合剂材料和第二散热部，并从第二散热部的平坦上部释放出去。