-
公开(公告)号：CN109979911A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711442213.X
申请日：2017-12-27
申请人： 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L25/075
摘要： 公开了一种半导体装置，其包含具有存储器裸芯的密集配置的3D阵列的晶片的堆叠体。每个晶片上的存储器裸芯可以布置成群集，每个群集包含光学模块，该光学模块为数据来回每个群集的传输提供光互连。
-
公开(公告)号：CN109979911B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201711442213.X
申请日：2017-12-27
申请人： 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L25/075
摘要： 公开了一种半导体装置，其包含具有存储器裸芯的密集配置的3D阵列的晶片的堆叠体。每个晶片上的存储器裸芯可以布置成群集，每个群集包含光学模块，该光学模块为数据来回每个群集的传输提供光互连。
-
公开(公告)号：CN104067389B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201280053715.2
申请日：2012-04-26
申请人： 晟碟半导体(上海)有限公司 , 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H05K9/00 , H05K1/02 , H05K3/46 , H01L27/02
摘要： 公开了一种半导体装置，该半导体装置包括用于吸收EMI和/或RFI的材料。该装置包括：衬底(202)；一个或更多个半导体裸芯(224、225)；以及围绕所述一个或更多个半导体裸芯(224、225)的模塑料。用于吸收EMI和/或RFI的所述材料可设置在所述衬底(202)上的阻焊膜层(210)内或上。该装置还包括围绕所述模塑料并且与衬底上的EMI/RFI吸收材料相接触的EMI/RFI吸收材料，以将所述一个或更多个半导体裸芯(224、225)完全包覆在EMI/RFI吸收材料中。
-
公开(公告)号：CN103718279B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201180071126.2
申请日：2011-12-16
申请人： 晟碟半导体(上海)有限公司 , 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/44 , H01L23/34 , H01L23/552
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/566 , H01L23/4334 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2223/5442 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/1434 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 公开了一种存储装置和制造存储装置的方法，该存储装置包括屏蔽电磁辐射和/或散热的金属层。金属层形成于金属层转印组件上。金属层转印组件和未封装的存储装置被置于模具中并被封装。在封装和固化模塑料期间，将金属层从屏蔽转印到封装的存储装置。
-
公开(公告)号：CN106033755A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510115569.7
申请日：2015-03-17
申请人： 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/498
CPC分类号： H01L2224/45144 , H01L2224/48147 , H01L2224/48485 , H01L2924/19107 , H01L2924/00
摘要： 公开了半导体器件和基板带。半导体器件包括基板以及设置在基板的表面上的导电阻挡，所述基板包括在基板的表面上的接地的导电图案，接地的导电图案围绕目标区域。导电阻挡电连接到接地的导电图案并为目标区域在基板的表面的横向方向上提供电磁干扰(EMI)屏蔽。
-
公开(公告)号：CN103718279A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201180071126.2
申请日：2011-12-16
申请人： 晟碟半导体(上海)有限公司 , 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/44 , H01L23/34 , H01L23/552
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/566 , H01L23/4334 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2223/5442 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/1434 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 公开了一种存储装置和制造存储装置的方法，该存储装置包括屏蔽电磁辐射和/或散热的金属层。金属层形成于金属层转印组件上。金属层转印组件和未封装的存储装置被置于模具中并被封装。在封装和固化模塑料期间，将金属层从屏蔽转印到封装的存储装置。
-
公开(公告)号：CN109216292B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201710517107.7
申请日：2017-06-29
申请人： 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L21/56
摘要： 一种半导体装置，包含控制开关，该控制开关使能半导体裸芯的堆叠体中的半导体裸芯来发送或接收信号，同时将裸芯堆叠体中的其余的裸芯电隔离。通过将裸芯堆叠体中未使能的半导体裸芯电隔离，来降低或避免寄生针脚电容。
-
公开(公告)号：CN104067389A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201280053715.2
申请日：2012-04-26
申请人： 晟碟半导体(上海)有限公司 , 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H05K9/00 , H05K1/02 , H05K3/46 , H01L27/02
CPC分类号： H01L21/56 , H01L23/295 , H01L23/3135 , H01L23/49811 , H01L23/49894 , H01L23/552 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/06155 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/49113 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06537 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1438 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H05K1/0218 , H05K1/0298 , H05K3/3452 , H05K2201/0215 , H05K2201/083 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 公开了一种半导体装置，该半导体装置包括用于吸收EMI和/或RFI的材料。该装置包括：衬底(202)；一个或更多个半导体裸芯(224、225)；以及围绕所述一个或更多个半导体裸芯(224、225)的模塑料。用于吸收EMI和/或RFI的所述材料可设置在所述衬底(202)上的阻焊膜层(210)内或上。该装置还包括围绕所述模塑料并且与衬底上的EMI/RFI吸收材料相接触的EMI/RFI吸收材料，以将所述一个或更多个半导体裸芯(224、225)完全包覆在EMI/RFI吸收材料中。
-
公开(公告)号：CN109216292A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710517107.7
申请日：2017-06-29
申请人： 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L21/56
摘要： 一种半导体装置，包含控制开关，该控制开关使能半导体裸芯的堆叠体中的半导体裸芯来发送或接收信号，同时将裸芯堆叠体中的其余的裸芯电隔离。通过将裸芯堆叠体中未使能的半导体裸芯电隔离，来降低或避免寄生针脚电容。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
9 条记录 (耗时 0.031 秒)
