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公开(公告)号：CN100464400C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200610077489.8
申请日：2006-05-08
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/498 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种半导体封装件堆栈结构及其制法，该半导体封装件堆栈结构包括下层半导体封装件以及接置在该下层半导体封装件上的上层半导体封装件，该下层半导体封装件包括基板、接置并电性连接至该基板的半导体芯片以及形成在该基板上用于包覆该半导体芯片的封装胶体；该上层半导体封装件包括具有相对的第一表面及第二表面的基板、接置并电性连接至该基板第一表面的半导体芯片、形成于该基板第二表面的多条电性连接垫及假连接垫以及植设在该电性连接垫及假连接垫的焊球。本发明可避免半导体封装件堆栈时在回焊作业发生偏移问题、避免预设预焊锡材料造成制程成本及复杂程度增加等问题。
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公开(公告)号：CN101211793A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610169986.0
申请日：2006-12-26
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种芯片级封装结构及其制法，是提供一表面预定位置形成有多个金属垫的载具，以将接置有导电凸块的多个芯片藉该导电凸块对应焊接于该载具的金属垫上，从而将多个芯片精准定位于载具上，避免现有芯片定位不佳问题，接着，于该载具上形成包覆该多个芯片与导电凸块的封装胶体，接着移除该载具，以使该金属垫外露出该封装胶体且与该封装胶体的一表面齐平，并于该封装胶体的表面上形成电性连接至该金属垫的导电迹线，之后敷设一拒焊层于该导电迹线上，并使导电迹线预定部分外露出该拒焊层，以于该导电迹线预定外露部分上形成导电元件，再切割该封装胶体，以形成多个具有芯片的芯片级封装结构。
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公开(公告)号：CN101192550A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610163345.4
申请日：2006-12-01
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/498 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体封装件及其制法，主要是在金属载具及绝缘层间敷设牺牲层，并在该牺牲层及绝缘层的预定部位开设多数贯穿的开口，以供后续在该开口中形成导电金属层及在该绝缘层上形成图案化线路层，并使该图案化线路层电性连接至该导电金属层，接着将至少一个芯片接置并电性连接至该图案化线路层，及形成包覆该芯片及图案化线路层的封装胶体，即移除该金属载具及牺牲层，以供先前形成于贯穿该牺牲层及绝缘层开口的导电金属层得以相对凸出于该绝缘层，这样在将所完成的半导体封装件电性连接至外部装置时，可增加该半导体封装件及外部装置间的距离，减低因半导体封装件及外部装置间的热膨胀系数差所产生的热应力，进而提高可信度。
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公开(公告)号：CN101165886A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200610137122.0
申请日：2006-10-20
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
CPC classification number: H01L21/565 , H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种可供半导体器件堆栈其上的半导体封装件及其制法，是在一基板上接置并电性连接至少一半导体芯片，再将一由上层电路板与下层电路板构成的电性连接结构接置并电性连接至该基板上，并使该半导体芯片收纳在该电性连接结构内所形成的收纳空间中，然后，在该基板上形成一包覆该半导体芯片及电性连接结构的封装胶体，且在该封装胶体形成后，令该电性连接结构的上层电路板的布设有多个焊垫的顶面外露出该封装胶体，以供至少一半导体器件电性连接在该上层电路板形成堆栈结构。本发明中接置用的半导体器件的型式与输入/输出脚数不会受限，无需特殊模具即能制成，且封装胶体形成前无需回焊处理，而得降低不良品的成品产出率。
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公开(公告)号：CN1287451C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02155354.8
申请日：2002-12-09
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种球栅阵列半导体封装件，是在基板上的导电迹线的预定部位形成不连续的断口，使该断口及其邻接的导电迹线部分外露出敷设在基板上的焊接掩膜以形成不连续的焊垫，并以选择性、可移除的方式植设焊球在该不连续焊垫上，使该形成有不连续焊垫的导电迹线在其不连续焊垫上植有焊球时成通路状态，而在不连续焊垫上未植有焊球时成断路状态。由于焊球难以稳固的与不连续或不完整的焊垫接合，因此能轻易地自焊垫上移除或推除焊球，使导电迹线成断路状态；移除或推除的焊球也可轻易地再植回对应的焊垫上，再恢复导电迹线的电性导通及其原有功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1779972A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410091574.0
申请日：2004-11-19
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是包覆有倒装芯片封装件的半导体装置及其制法，该装置包括：承载件、倒装芯片封装件、第二芯片、焊线及第二封装胶体；其制法是将经过测试的倒装芯片封装件接置在承载件的顶面，并借多个第一导电组件电性连接该倒装芯片封装件与承载件，在该倒装芯片式封装件上接置至少一个第二芯片，借由多个第二导电组件与该承载件电性连接，接着在该承载件上形成包覆该倒装芯片封装件及第二芯片的封装胶体后，在该承载件底面上植接多个焊球，供该第一芯片与第二芯片与外界形成电性连接关系；本发明能提高制成品的优良率，因承载件无须使用昂贵的增层基板，所以能降低封装成本。
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公开(公告)号：CN1228827C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN03101951.X
申请日：2003-01-30
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
Inventor： 普翰屏
IPC: H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153
Abstract: 一种半导体芯片封装结构及工序，能够以成批的方式在同一片载具上制作出多个高密度及小尺寸的半导体芯片封装件。该半导体芯片封装结构及工序的特点是在芯片上形成绝缘隔绝层，再利用重布线路技术在该绝缘隔绝层上形成焊点数组，并将这些重布线路电性连接至芯片上的焊垫。可使重布后的焊点数组被安置在超出芯片的表面范围之外的区域，而不是像现有技术那样，焊点数组仅局限在芯片电路面上，因此能应用在新一代微型化(如小于90纳米)芯片的封装结构。
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公开(公告)号：CN101165886B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610137122.0
申请日：2006-10-20
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
CPC classification number: H01L21/565 , H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种可供半导体器件堆栈其上的半导体封装件及其制法，是在一基板上接置并电性连接至少一半导体芯片，再将一由上层电路板与下层电路板构成的电性连接结构接置并电性连接至该基板上，并使该半导体芯片收纳在该电性连接结构内所形成的收纳空间中，然后，在该基板上形成一包覆该半导体芯片及电性连接结构的封装胶体，且在该封装胶体形成后，令该电性连接结构的上层电路板的布设有多个焊垫的顶面外露出该封装胶体，以供至少一半导体器件电性连接在该上层电路板形成堆栈结构。本发明中接置用的半导体器件的型式与输入/输出脚数不会受限，无需特殊模具即能制成，且封装胶体形成前无需回焊处理，而得降低不良品的成品产出率。
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公开(公告)号：CN101071779A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200610077489.8
申请日：2006-05-08
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/498 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种半导体封装件堆栈结构及其制法，该半导体封装件堆栈结构包括下层半导体封装件以及接置在该下层半导体封装件上的上层半导体封装件，该下层半导体封装件包括基板、接置并电性连接至该基板的半导体芯片以及形成在该基板上用于包覆该半导体芯片的封装胶体；该上层半导体封装件包括具有相对的第一表面及第二表面的基板、接置并电性连接至该基板第一表面的半导体芯片、形成于该基板第二表面的多条电性连接垫及假连接垫以及植设在该电性连接垫及假连接垫的焊球。本发明可避免半导体封装件堆栈时在回焊作业发生偏移问题、避免预设预焊锡材料造成制程成本及复杂程度增加等问题。
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公开(公告)号：CN1585115A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN03155817.8
申请日：2003-08-22
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/34 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的具有散热结构的半导体封装件包括：一基板，具有一个第一表面及一个相对的第二表面；至少一芯片，接置在基板上且与基板电性连接；多个焊球，接置在基板的第二表面上；一散热结构，包括具有至少一个第一定位部的第一散热片与具有至少一个第二定位部及一个镂空部的至少一个第二散热片；其中，第二散热片接置在基板与芯片接置的表面上，第一散热片通过第一定位部接置在第二散热片的第二定位部上，并将该芯片包覆在第一散热片、第二散热片的镂空部与基板围置而成的空间中，从而通过散热片堆栈形成的散热结构，形成低成本、薄型化且散热良好的半导体封装件。
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