公开(公告)号：CN102751253A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210115677.0

申请日：2012-04-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K.霍赛尼 ,  J.马勒 ,  M.门格尔

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05179 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05679 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29179 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45679 ,  H01L2224/45681 ,  H01L2224/45686 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48879 ,  H01L2224/48881 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/2938 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了半导体器件和接合线。一种半导体器件包括半导体芯片、半导体芯片的接触垫、以及布置在接触垫上方的第一层。第一层包括铌、钽或包括铌和钽的合金。

公开(公告)号：CN102751253B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210115677.0

申请日：2012-04-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K.霍赛尼 ,  J.马勒 ,  M.门格尔

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05179 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05679 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29179 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45679 ,  H01L2224/45681 ,  H01L2224/45686 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48879 ,  H01L2224/48881 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/2938 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了半导体器件和接合线。一种半导体器件包括半导体芯片、半导体芯片的接触垫、以及布置在接触垫上方的第一层。第一层包括铌、钽或包括铌和钽的合金。