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公开(公告)号：CN104867895B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410344902.7
申请日：2014-07-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L2224/02181 , H01L2224/0219 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03616 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/0516 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05559 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/0603 , H01L2224/06517 , H01L2224/08147 , H01L2224/80011 , H01L2224/80012 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/8084 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/8192 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/80001
摘要： 在本发明中提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，在第一衬底上方形成一个或多个钝化层。在钝化层中形成凹槽且在凹槽中形成一个或多个导电焊盘。在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个阻挡层。将第一衬底的导电焊盘与第二衬底的导电焊盘对准，并且使用直接接合方法使第一导电焊盘与第二导电焊盘接合。本发明还涉及晶圆接合工艺和结构。
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公开(公告)号：CN104867895A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201410344902.7
申请日：2014-07-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L2224/02181 , H01L2224/0219 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03616 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/0516 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05559 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/0603 , H01L2224/06517 , H01L2224/08147 , H01L2224/80011 , H01L2224/80012 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/8084 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/8192 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/80001
摘要： 在本发明中提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，在第一衬底上方形成一个或多个钝化层。在钝化层中形成凹槽且在凹槽中形成一个或多个导电焊盘。在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个阻挡层。将第一衬底的导电焊盘与第二衬底的导电焊盘对准，并且使用直接接合方法使第一导电焊盘与第二导电焊盘接合。本发明还涉及晶圆接合工艺和结构。
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公开(公告)号：CN103531492B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210382930.9
申请日：2012-10-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/74 , H01L24/94 , H01L2224/02215 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/0381 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/7565 , H01L2224/75753 , H01L2224/75824 , H01L2224/80004 , H01L2224/80007 , H01L2224/8001 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80097 , H01L2224/80121 , H01L2224/80136 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83889 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/15 , Y10T156/1744 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/05442 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了用于半导体晶圆的混合接合系统和方法。在一个实施例中，用于半导体晶圆的混合接合系统包括室和多个设置在该室内的副室。机械夹持器设置在该室内，适用于在多个副室之间移动室内的多个半导体晶圆。多个副室包括：适用于从多个半导体晶圆去除保护层的第一副室，以及适用于在将多个半导体晶圆混合接合在一起之前激活多个半导体晶圆的顶面的第二副室。多个副室还包括适用于对准多个半导体晶圆和将多个半导体晶圆混合接合在一起的第三副室。
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公开(公告)号：CN103531492A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210382930.9
申请日：2012-10-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/74 , H01L24/94 , H01L2224/02215 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/0381 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/7565 , H01L2224/75753 , H01L2224/75824 , H01L2224/80004 , H01L2224/80007 , H01L2224/8001 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80097 , H01L2224/80121 , H01L2224/80136 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83889 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/15 , Y10T156/1744 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/05442 , H01L2924/00 , H01L21/67121 , H01L24/81 , H01L2224/10
摘要： 本发明公开了用于半导体晶圆的混合接合系统和方法。在一个实施例中，用于半导体晶圆的混合接合系统包括室和多个设置在该室内的副室。机械夹持器设置在该室内，适用于在多个副室之间移动室内的多个半导体晶圆。多个副室包括：适用于从多个半导体晶圆去除保护层的第一副室，以及适用于在将多个半导体晶圆混合接合在一起之前激活多个半导体晶圆的顶面的第二副室。多个副室还包括适用于对准多个半导体晶圆和将多个半导体晶圆混合接合在一起的第三副室。
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