一种键合方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107104059A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201610096576.1

    申请日:2016-02-22

    IPC分类号: H01L21/603

    摘要: 本发明提供一种键合方法,包括如下步骤:S1:在键合机的上下加热基板之间叠放一组待键合结构;所述待键合结构包括叠加放置的目标衬底及晶片,其中,热膨胀系数较大的一个位于上方;S2:在所述待键合结构上方叠放一组辅助键合结构;所述辅助键合结构包括相互结合的第一介质层及第二介质层,其中,热膨胀系数较大的一个位于下方;S3:通过上下加热基板对辅助键合结构及待键合结构施加压力,并加热到预设温度,使所述晶片与所述目标衬底键合。本发明通过引入辅助键合结构,使得在键合过程中辅助键合结构由于热失配产生边缘向下的翘曲,利用这种边缘的横向剪切应力向下压迫待键合晶片的边缘,从而达到降低晶片键合后翘曲,改善边缘键合质量的目的。